宋文海
,
姜柳笛
,
赵兵
,
蒲明华
,
吴兴才
,
黄卫东
,
孙玉平
,
杜家驹
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.014
研究了不同含量纳米银掺杂的(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox块材.DTA分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Tc相的形成.磁场下R-T展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂15wt%Ag时激活能提高5～6倍;掺杂样品的钉扎能U(H)随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能.交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动20K,说明纳米银掺杂改善了晶界弱连接,并大大增强了晶界的涡旋钉扎能力.
关键词:
马永青
,
宋文海
,
戴建明
,
张瑞丽
,
杨杰
,
杜家驹
,
孙玉平
金属学报
用内耗的方法测量了钙钛矿结构锰氧化物La0.67Ca0.33MnO3的内耗温度曲线Q^-1(T)，在260，222和105K温度处分别出现内耗峰，分析表明105 K处的内耗峰与铁磁态中的电子相分离有关。222K处的内耗峰由两个次峰构成，峰温分别为222和234 K，并具有弛豫特征，与绝缘畴和金属畴的相对移动有关．它们的激活能以及指数前因子分别为0.32eV，2.0×10^-12 s和0.38 eV，2.5±10^-13 s.
关键词:
内耗
,
null
,
null
马永青
,
宋文海
,
戴建明
,
张瑞丽
,
杨杰
,
杜家驹
,
孙玉平
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.013
用内耗的方法测量了钙钛矿结构锰氧化物La0 67Ca0 33MnO3的内耗温度曲线Q-1(T).在260,222和105 K温度处分别出现内耗峰.分析表明105 K处的内耗峰与铁磁态中的电子相分离有关.222 K处的内耗峰由两个次峰构成,峰温分别为222和234 K,并具有弛豫特征,与绝缘畴和金属畴的相对移动有关.它们的激活能以及指数前因子分别为0.32 eV,2.0×10-12s和0.38 eV,2.5×10-13 s.
关键词:
内耗
,
钙钛矿锰氧化物
,
电子相分离
宋彬
,
蔺帅
,
郭新格
,
杨骋
,
林建超
,
童鹏
,
孙玉平
低温物理学报
我们通过高能球磨的方法,制备出平均晶粒尺寸为45纳米(nm)的GaCMn3纳米晶样品,并研究了其磁热和铁磁-顺磁相变的临界行为.在磁场变化2T时,相比于块体GaCMr3,虽然纳米晶GaCMn3的磁熵变(-ASM)减小了,但是其相对磁制冷能力(RCP)却增强了.通过Kouvel-Fisher方法,我们确定了GaCMr3纳米晶铁磁-顺磁相变的临界指数β=0.463和γ=1.161,根据Widom标度理论,得出第三个临界指数δ=3.51.这些临界指数和平均场模型的临界指数(β=0.5,γ =1.0,andδ=3.0)很接近,表明GaCMn3纳米晶中的铁磁耦合是长程的.
关键词:
反钙钛矿结构GaCMn3
,
纳米晶
,
磁热效应
,
临界行为
黄胜利
,
阮可青
,
吕章明
,
魏鹏
,
曹烈兆
,
孙玉平
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.023
用固相反应法制备了Nd2-xSrxCoO4 ( x = 1.25, 1.33, 1.60) 多晶.X射线衍射结果表明样品没有杂项,且都是四方层状K2NiF4结构[1].电阻率结果表明这组样品在测量温区都是半导体行为.对于x= 1.25和1.33的样品,热电势为正值;而对于x= 1.60的样品,热电势在60K发生了由正到负的转变.所有样品在80K左右零场冷却磁化率有个缓变的最大值,在180K左右场冷和零场冷磁化率发生劈裂,表明在低温下样品存在类自旋玻璃态.我们同时测量了x = 1.25样品在110 K到300 K温区的电子自旋共振谱,发现在居里温度左右存在顺磁相和铁磁相激烈竞争,强烈的轨道-自旋耦合导致了短自旋-晶格驰豫时间使谱线宽化.
关键词:
输运性质
,
自旋玻璃态
,
居里温度
郭新格
,
林建超
,
童鹏
,
孙玉平
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.07.06
“热胀冷缩”会导致材料晶界、空位等缺陷部位应力集中,进而引发热疲劳或者机械疲劳,致使材料的安全性能下降,使用寿命缩短.近年来,反钙钛矿结构锰氮化物由于具有类似立方钙钛矿结构锰氧化物的晶体结构,而具有负热膨胀效应(NTE),同时具有良好的导热、导电等物理性能而获得了广泛关注.作者课题组利用传统的固相反应法制备出系列反钙钛矿结构化合物Ga1-xN0.8Mn3+x(0＜x≤0.3),并对其热膨胀性能及电输运性质展开研究.研究结果发现,随着Mn原子对Ga原子替换量(x)的增加,Ga1-xN0.8 Mn3+x中磁体积效应(MVE)的温区被展宽且向低温区移动,呈现负热膨胀行为.其中,x=0.2和0.25样品的负热膨胀效应的温度范围分别是294～339 K和255 ～ 309 K,对应线膨胀系数分别为-51 ppm/K和-42 ppm/K.与之相对应,电阻率也在对应温区出现反常行为.作者课题组认为Mn替代Ga对(111)面内Γ5g反铁磁序的扰动可能是导致MVE效应展宽为NTE效应的主要因素.
关键词:
负热膨胀
,
反钙钛矿结构
,
反铁磁序
钱文超
,
高关胤
,
吴文彬
,
杨骋
,
童鹏
,
孙玉平
低温物理学报
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3 (001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMr3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450 mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优电实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.
关键词:
GaCMn3反钙钛矿薄膜
,
不同激光能量
,
多取向结构
,
应力
,
磁电输运性质
张莉
,
朱雪斌
,
孙玉平
,
刘果红
,
李义宝
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.04.006
本文采用化学溶液法在钇稳定的二氧化锆(Y-stabilized ZrO2,YSZ)单晶基板上制备了La1-xNaxMnO3(LNMO)膜并对其输运性能进行了研究.X-射线衍射(XRD)结果表明,所获得的LNMO膜为高度(h00)取向;输运结果表明,所制备的LNMO膜表现为外延膜的性能,且La0.7Na0.3MnO3薄膜在300K、0.5T磁场下可获得～5%磁阻值.
关键词:
化学溶液法
,
庞磁电阻
,
La1-xNaxMnO3薄膜
张莉
,
刘果红
,
丁世英
,
孙玉平
,
朱雪斌
低温物理学报
我们通过对重Pb掺杂的Bi-2212((Bi,Pb)-2212)单晶磁化性质的测量来研究磁通钉扎性能,发现样品中存在与温度有明显依赖关系的鱼尾效应,且此鱼尾效应不仅体现在磁滞洄线上,还体现在不同磁场下零场冷的M～T曲线的交叠上,同时我们采用非线性磁通蠕动模型,并考虑表面位垒和体钉扎的影响,运用数值模拟分析了样品的磁化性质,结果表明(Bi,Pb)-2212单晶的鱼尾效应源于重Pb掺杂导致样品各向异性的降低所引起的强的体钉扎效应,而高温的磁化性质主要取决于表面位垒的作用.
关键词:
(Bi-Pb)-2212单晶
,
鱼尾效应
,
磁通钉扎
,
磁通蠕动
