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钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响

顾锦华 , 汪浩 , 兰椿 , 钟志有 , , 杨春勇 , 侯金

人工晶体学报

以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响.当钛掺杂含量为3wt%时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能.TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大.

关键词: 磁控溅射 , ZnO∶Ti , 透明导电薄膜

纯铝材电解液微弧氮化工艺探讨

, 戴茂飞

材料保护

电解液微弧氮化工艺简单,过去未见用其制备AlN膜的报道。采用电解液微弧氮化工艺在纯铝基片上制备了AlN陶瓷膜,利用正交试验优化工艺,研究了最优工艺制备的膜层的物相、形貌,并探讨了占空比、放电频率对膜层硬度、绝缘电阻、耐压值的影响。结果表明:正交试验优化的工艺为100mL超纯水中CO(NH2)235.0g,EDTA-2Na3.0g,放电频率1.0kHz,占空比20%;各因素的影响由主到次依次为CO(NH2)2浓度、占空比、放电频率、EDTA-2Na浓度;最优工艺制备的陶瓷膜由多晶AIN组成,膜层致密;选择适当的占空比和放电频率有利于改善AlN陶瓷膜的性能。

关键词: 电解液微弧氮化 , AlN陶瓷膜 , 纯铝材 , 电解液浓度 , 放电参数 , 性能

磁控溅射沉积掺锡氧化铟透明导电薄膜的光电性能研究

钟志有 , 张腾 , 顾锦华 ,

人工晶体学报

采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试方法,研究了沉积速率对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO样品为具有(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其晶体结构和光电性能明显受到沉积速率的影响.当沉积速率为4 nm/min时,所制备的ITO薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最低的电阻率(1.1×10-3Ω·cm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优良指数(7.9×102 S·cm-1),其光电综合性能最佳.同时采用Tauc法则计算了ITO薄膜的光学能隙,结果显示沉积速率增大时,ITO薄膜的光学能隙单调减小.

关键词: 透明导电薄膜 , 掺锡氧化铟 , 晶体结构 , 光电学性能

镓掺杂氧化锌透明导电薄膜的制备及其性能研究

钟志有 , 顾锦华 , , 杨春勇 , 侯金

人工晶体学报

采用射频磁控溅射方法在玻璃基片上制备了镓掺杂氧化锌(Ga∶ ZnO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等表征技术,研究了衬底温度对Ga∶ ZnO薄膜结构、组分、光学和电学性质的影响.结果表明:所有样品均为具有(002)择优取向的高质量透明导电薄膜,其晶体结构和光电性能与衬底温度密切相关.当衬底温度为673 K时,所制备的Ga∶ ZnO薄膜具有最大的晶粒尺寸(72.6 nm)、最低的电阻率(1.3×10-3Ω·cm)、较高的可见∶ZnO薄膜的光学能隙,结果显示随着衬底温度的升高,薄膜的光学能隙单调增加.

关键词: 氧化锌薄膜 , 磁控溅射 , 光电性能

TiO2磁控溅射工艺参数对薄膜沉积速率的影响

, 张龙

材料保护

为了经济、有效、准确地在线测量光学薄膜厚度,采用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备TiO2薄膜.用自制的简易监测系统对TiO2薄膜在生长过程中的沉积速率进行了即时测量,研究了射频功率、气体流量、工作气压等工艺参数对TiO2薄膜沉积速率的影响规律.结果表明:沉积速率监测系统对膜厚变化反应灵敏,能够实时监测薄膜生长速率;溅射过程中,射频功率、氧氩流量比和工作气压对薄膜沉积速率有较大的影响,射频功率从120 W增加到240 W,薄膜沉积速率增加;氧气流量从l mL/min增加到5 mL/min,薄膜沉积速率先逐渐增大后减小,存在一个临界点;工作气压从0.3 Pa增加到0.8 Pa,薄膜沉积速率缓慢增加,但临界点后迅速下降.

关键词: 磁控溅射 , TiO2薄膜 , 沉积速率 , 薄膜监测系统 , 石英晶体振荡法 , 工艺参数

交流脉冲等离子体作用于聚四氟乙烯表面性能研究

陈首部 , , 周武庆

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.04.018

利用自行研制的100kHz交流脉冲电源产生等离子体,对聚四氟乙烯进行了表面改性研究.在放电电压、占空比、工作气压、工作气氛、处理时间相同的情况下,探讨了样品置于放电区域不同位置、采用不同的电极间距对改性结果的影响,并对改性效果的保持特性进行了考察.通过接触角测量、扫描电镜(SEM)等手段对作用前后样品的亲水性、表面形貌进行了检测和分析.结果表明:交流脉冲等离子体对PTFE表面有良好的改性效果.

关键词: 交流脉冲等离子体 , 聚四氟乙烯 , 表面改性 , 亲水性

活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施

左雄 , , 樊英

表面技术

目的 根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题,对渗陶电源进行改进,使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率.方法 分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素,以这些因素为依据,通过改变渗陶电源放电的各种参数,比较在不同参数下处理的效果.结果 在最佳组合的放电参数下,这种改进后电源在活塞环表面的成膜效果与传统电源相当,同时,处理的效率得到了提高.结论 非对称脉冲式电源可以代替传统高功耗的射频电源使活塞环表面陶瓷化.

关键词: 等离子体 , PECVD , 陶瓷膜 , A2K电源

交流和直流脉冲等离子体改性聚四氟乙烯对比研究

周武庆 , , 何翔

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2007.05.010

利用自行研制的直流脉冲电源和交流脉冲电源产生等离子体, 分别对聚四氟乙烯进行了表面改性研究.在放电电压、占空比、工作气压、工作气氛、处理时间相同的情况下,探讨了直流脉冲和交流脉冲等离子体对样品改性效果的不同影响;通过接触角测量、扫描电镜(SEM)等手段对未处理的、直流脉冲和交流脉冲作用后的亲水性、表面形貌进行了检测和分析.结果表明:交流脉冲等离子体对PTFE的改性效果优于直流脉冲等离子体.

关键词: 直流脉冲等离子体 , 交流脉冲等离子体 , 聚四氟乙烯 , 表面改性 , 亲水性

交流脉冲等离子体改性聚四氟乙烯的XPS研究

何翔 , , 周武庆

材料科学与工程学报

用交流脉冲等离子体对聚四氟乙烯进行了表面改性实验.利用XPS研究了处理后样品表面的化学成分、电子结构和结合能.结果表明:交流脉冲等离子体作用于聚四氟乙烯样品表面将发生C-F键断裂,表层氟含量减少,氧含量增加;由于大量极性基团的引入,使得PTFE亲水性能得到改善.同时讨论了不同交流脉冲占空比对改性效果的影响,占空比较大时改性效果更佳.

关键词: 交流脉冲等离子体 , 聚四氟乙烯 , 表面改性 , XPS分析

Ti-O薄膜中O含量对紫外光-可见光吸收的影响

万维威 , 何翔 ,

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2010.01.013

应用射频磁控溅射技术在普通载玻片上镀制一层均匀的Ti-O薄膜,采用红外光谱仪对其进行红外吸收光谱分析,采用紫外光-可见光分光光度计测量其吸光度,得到了在不同O含量条件下制备的Ti-O薄膜对紫外光-可见光的吸收情况,并进行了比较.实验结果表明:随着O含量的逐渐减少,Ti-O薄膜的结构从TiO_2逐渐转变为多种Ti-O结构共存,并且其吸收峰出现红移现象.

关键词: Ti-O薄膜 , 射频磁控溅射 , 禁带宽度 , 红移

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