胡明哲
,
周东祥
,
黄静
,
姜胜林
,
王浩
,
章天金
,
顾豪爽
功能材料
研究了烧结工艺对Bi2O3及MnO2掺杂[(Pb0.5Ca0.5)0.92 La0.08](Fe0.5 Nb0.5)O3陶瓷体系显微结构及介电性能的影响.研究表明Bi2O3及MnO2的加入可降低体系的烧结温度100～140℃,同时提高体密度.XRD图谱、SEM及微波介电性能证明950℃是最佳的煅烧温度.烧结温度对晶粒形貌有显著影响,随烧结温度的增加晶粒尺寸不断增加,但超过一定值后不断减小的气孔率又会增加.当掺杂物的质量比(Bi2O3/MnO2)K=1,掺杂物质量百分含量W=1%,烧结条件为1050℃,保温4h,体系微波介电性能可达:εr=91.1,Qf=4870GHz,τf=1.85×10-5/℃.
关键词:
低温烧结
,
掺杂
,
显微结构
,
微波介电性能
李元昕
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
姜胜林
,
邓传益
材料导报
PST铁电薄膜是一种具有优良铁电、热释电和介电等性能的铁电材料.该材料在红外探测器、红外焦平面阵列、热成像器件、非易失性铁电存储器和大容量电容器等方面具有广泛的应用.PST铁电薄膜的制备方法多种多样,各具优缺点,不同的制备工艺对薄膜的性能有影响.叙述了PST铁电薄膜的制备技术、电性能和在热释电红外探测器方面的应用.
关键词:
PST薄膜
,
制备工艺
,
铁电性
,
热释电性
,
介电性
熊龙宇
,
姜胜林
,
曾亦可
,
张海波
,
王青萍
材料导报
随着电子元器件向小型、高灵敏、集成、多功能化方向发展,薄/厚膜材料及器件逐渐成为研究的重点.由于压电厚膜(10～100μm)兼具有压电陶瓷与压电薄膜的优点,是各种微型传感器和执行器的核心部分,已引起世界各国研究者极大的兴趣,但是大多数研究还处于实验阶段.评述了压电厚膜的制备方法、测试表征以及应用状况,归纳了压电厚膜研究的现状及发展趋势,指出了其中存在的问题及解决办法,并对压电厚膜今后的研究提出了一些建议.
关键词:
压电厚膜
,
压电测试
,
压电器件
陈实
,
姜胜林
,
曾亦可
,
邓传益
,
刘梅冬
功能材料
通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,所制备的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀.
关键词:
硝酸氧锆
,
PZT铁电薄膜
,
sol-gel方法
,
化学反应过程
姜胜林
,
周莹
,
易金桥
,
何俊刚
材料导报
铁电陶瓷基光子晶体在外场激励作用下发生铁电相变,可用于制备带隙可调光子晶体.主要介绍了不同维度铁电陶瓷基光子晶体的常用制备方法,总结了每种方法的特点及代表性的研究成果,阐述了铁电陶瓷基光子晶体的应用,最后提出了铁电陶瓷基光子晶体的发展趋势.
关键词:
铁电陶瓷
,
光子晶体
,
可调带隙
,
光子禁带
任伏龙
,
曾亦可
,
姜胜林
,
易飞
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.017
研究了组分改变对PMN-PMS-PZT(铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅)热释电陶瓷材料的相组成、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果进行了分析.实验结果表明:通过改变材料Zr/Ti的比例,在陶瓷介电常数εr和介电损耗tanδ变化不大的情况下,使得热释电系数的峰值向室温附近移动;在Zr/Ti=95/5时,常温(28℃)下介电常数占εr=228.5、介电损耗tanδ=0.23%,热释电系数P=25.5×10-4C/m2℃,探测率优值FD=47.3×10-5Pa-1/2,此类材料符合制作热释电红外探测器的要求.
关键词:
PMN-PMS-PZT
,
介电性能
,
热释电性能
王青萍
,
姜胜林
,
熊龙宇
,
曾亦可
材料导报
介绍了当前测量薄/厚压电参数的2大类方法:直接测量法(包括Berlincourt法、圆片弯曲技术、激光干涉法、扫描激光多普勒振动法、原子力显微镜法)和间接测量法(包括体声波响应和表面声波响应法、复合谐振法).详细分析了这些方法的基本原理、测试表征、应用状况和存在的问题,比较了这些方法的优缺点.结果表明,高分辨率的双束激光干涉和表面扫描振动相结合的方法将是评估压电参数方便、准确和可靠的方法,有望成为将来表征薄/厚膜压电特性的标准方法.
关键词:
薄/厚膜
,
压电参数
,
测量方法
姜胜林
,
林汝湛
,
曾亦可
,
刘梅冬
材料研究学报
应用新型溶胶--凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,
研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响. 结果表明,
采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn$_{7}$Sb$_{2}$O$_{12}$及ZnCr$_{2}$O$_{4}$相,
且在退火温度范围内(550$\sim$950℃)基本上没有焦绿石相形成. 当退火温度达到750℃以后,
Sb$_{2}$O$_{3}$已全部转变为稳定性好的尖晶石相, 同时存在Bi$_{2}$O$_{3}$、
ZnO的挥发. 采用适当的退火温度, 可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,
其压敏电压低于5 V, 非线性系数可达20, 漏电流密度小于0.5 $\mu$A/mm$^{2}$.
关键词:
无机非金属材料
,
a novel sol-gel process
,
annealing temperature
仝金雨
,
姜胜林
,
刘栋
,
金学淼
功能材料
通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响.实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2.在25℃时,薄膜的热释电系数p为0.3×10-8C/cm2·K.
关键词:
PVDF
,
热释电性
,
铁电性
