姜洪义
,
陈小佳
硅酸盐通报
采用晶体与非晶态硅质原料,与氧化钙在高压釜中进行动态水热反应,合成晶须状硬硅钙石晶体,研究合成温度,保温时间等工艺参数对最终结晶产物的影响,并使用XRD、SEM对水热合成的产物进行分析.
关键词:
硬硅钙石
,
硅质原料
,
合成温度
,
保温时间
李家亮
,
陈斐
,
沈强
,
张联盟
,
姜洪义
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.06.021
利用氧化镁(MgO)和氧化铝(Al2O3)作为烧结助剂,采用放电等离子烧结(SPS)方法制备α-Si3N4陶瓷材料.讨论了SPS方法制备氮化硅材料的烧结行为和烧结机理,分析了烧结助剂添加量和烧结温度等影响因素与材料致密度的关系,利用XRD分析了样品的物相组成,SEM观察了样品断口的显微结构,并且测试了样品的力学抗弯强度.结果表明:当烧结温度为1300～1500℃,烧结助剂含量为6%～10%时,可以制备出致密度变化范围为64%～96%的α-Si3N4陶瓷材料;当烧结助剂含量为10%时,材料在1400℃即可烧结致密,致密度可达到95%以上.烧结机理为SPS低温液相烧结.材料的力学强度为50～403MPa,并且与密度关系密切.
关键词:
放电等离子烧结(SPS)
,
Si3N4
,
烧结助剂
,
显微结构
,
力学性能
罗卫军
,
姜洪义
,
杨梅君
,
沈强
,
张联盟
功能材料
为了解决传统方法制备Mg2X(X=Si、Ge、Sn)基热电材料过程中带来Mg的氧化,挥发,碳化等问题,引进低温固相反应法,成功合成了Mg2Sn粉体,用DTA、XRD、SEM、EDS等分析手段对合成的粉体物相和形貌进行了表征,并系统研究了合成工艺对粉体制备的影响.结果表明:通过改变升温制度可以抑制Mg氧化;调节预压力大小可以有效抑制Sn析出,控制Mg过量可以补偿Mg的挥发;本实验条件下,当Mg过量0.0025mol、预成型压力20MPa、823K下保温8h时,可以得到单相Mg2Sn热电化合物粉体.
关键词:
Mg2Sn
,
热电材料
,
低温固相反应法
姜洪义
,
郑威
,
海鸥
,
李明
,
徐东
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.011
为了制备低折射率疏水SiO2薄膜,将正硅酸乙酯(TEOS)和二甲基二乙氧基硅烷(DDS)在碱性条件下共水解缩聚,再以六甲基二氮硅烷(HMDS)做进一步的改性,采用提拉浸渍工艺在玻璃基底上制备单层增透膜.通过对溶胶粘度随老化时间的变化规律及HMDS添加对薄膜接触角影响等的分析与研究,制备了接触角最大的低折射率薄膜;同时对薄膜的红外特性、透过率、折射率进行了表征.结果表明:TEOS和DDS共水解缩聚提高了膜层疏水性,经HMDS改性后,薄膜的接触角为149°,折射率为1.12.
关键词:
溶胶-凝胶
,
疏水
,
折射率
,
改性
姜洪义
,
王华文
,
任卫
材料导报
热电材料是利用热电效应将电能和热能直接相互转换的功能材料,在热电发电和热电制冷领域都有巨大的应用前景,而SiGe热电材料则是高温域一种很有前途的热电材料.论述了SiGe热电材料的热电特性及制备工艺,阐述了提高材料热电性能的主要途径.
关键词:
SiGe
,
热电材料
,
掺杂
,
烧结
