杨睿
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介万奇
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孙晓燕
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杨敏
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呼唤
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蔺云
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140539
以CrTe作为掺杂源、以Te作为溶剂，用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的ZnTe晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm)，且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入ZnTe中的CrTe富集于固液界面处，表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的ZnTe晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的ZnTe(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了ZnTe中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低，表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。
关键词:
C r掺杂Z n Te
,
晶体生长
,
Te夹杂相
,
电学和光学性能
