霍骥川
,
刘保亭
,
邢金柱
,
周阳
,
李晓红
,
李丽
,
张湘义
,
王凤青
,
王侠
,
彭英才
功能材料
以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结.利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质.实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料.
关键词:
Cu互连
,
Ni-Al
,
扩散阻挡层
王宽冒
,
张沧生
,
李曼
,
周阳
,
王玉强
,
王侠
,
彭英才
,
刘保亭
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO_3基片上制备了SrRuO_3薄膜,采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO_3薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响.实验结果表明:当生长温度低于550 ℃时,SrRuO_3薄膜为多晶结构;当温度在550～650 ℃范围内变化时,SrRuO_3薄膜可以在SrTiO_3基片上外延生长,薄膜的最低电阻率约为0.5 mΩ·cm.
关键词:
SrRuO_3
,
磁控溅射
,
外延薄膜
邢金柱
,
刘保亭
,
霍骥川
,
周阳
,
李晓红
,
李丽
,
张湘义
,
彭英才
,
王侠
机械工程材料
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40 nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100 nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400～800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析.结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用.
关键词:
铜互连
,
阻挡层
,
钛-铝薄膜
,
射频磁控溅射
王宽冒
,
刘保亭
,
倪志宏
,
赵敬伟
,
李丽
,
李曼
,
周阳
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,制备了Pt/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/Pt和SrRuO3(SRO)/PZT/SrRuO3(SRO)异质结电容器,并研究了快速退火条件下SRO导电层对PZT结构和性能的影响.XRD测试表明,两种结构电容器中的PZT薄膜均为钙钛矿结构,SRO/PZT/SRO、Pt/PZT/Pt均具有较好的铁电性和脉宽依赖性,5 V电压下两电容器的剩余极化强度Pr和矫顽电压Vc分别为28.3 μC/cm2、1.2 V和17.4 μC/cm2、2.1 V.在经过1010次翻转后,SRO/PZT/SRO铁电电容器疲劳特性相对于Pt/PZT/Pt电容器有了较大的改善,但SRO导电层的引入也带来了漏电流增大的问题.
关键词:
钌酸锶
,
锆钛酸铅
,
快速退火
武德起
,
姚金城
,
赵红生
,
张东炎
,
常爱民
,
李锋
,
周阳
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.01.012
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的能力.X射线衍射表明在HfO2中掺入Ni和Al元素明显提高了其结晶温度.原子力显微镜测试显示:在N2中退火后薄膜表面是原子级平滑连续的,没有发现针孔.900℃N2中退火后的薄膜在高分辨透射电镜下没有发现硅酸盐界面层.实验结果表明在氧化物薄膜与硅衬底之间引入Ni-Al-O置入层能够防止硅酸盐低介电界面层的生成,这有利于MOS晶体管的进一步尺度缩小.
关键词:
高介电栅介质材料
,
激光分子束外延
,
二氧化铪
周阳
,
程春生
,
赵敬伟
,
郑红芳
,
赵庆勋
,
彭英才
,
刘保亭
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00242
采用溶胶凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/ Pb(Zr 0.4 Ti 0.6 )O3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有（101）高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm2和2.5×109Ω·cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
关键词:
Pt/PZT/ITO
,
sol-gel method
,
electric property
周阳
,
仇满德
,
付跃举
,
邢金柱
,
霍骥川
,
彭英才
,
刘保亭
人工晶体学报
在室温条件下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延的ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了ZnO薄膜微观结构和光学特性.AFM测量结果表明ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,表面平整,具有较小的均方根粗糙度(0.9 nm);X射线衍射结果表明制备的ZnO薄膜为具有六角纤锌矿结构的外延薄膜;光学透射谱显示样品在可见光范围内具有较高的透过性,并在370 nm附近出现一个较陡的吸收边,表明在室温下制备出了具有较高质量的ZnO薄膜.
关键词:
ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
外延生长
周阳
,
程春生
,
赵敬伟
,
郑红芳
,
赵庆勋
,
彭英才
,
刘保亭
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00242
采用溶胶-凝胶方法在玻璃基ITO电极上制备了Pt/Pb((Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3(PZT)/ITO电容器.采用X射线衍射仪、铁电测试仪、分光光度计对其微观结构、电学性能及光学性能进行了测量.结果表明PZT薄膜结晶良好,具有(101)高度择优取向.铁电电容器具有良好的保持特性和抗疲劳特性,具有较大的剩余极化强度和电阻率,5V电压下的剩余极化强度和电阻率分别为41.7μC/cm~2和2.5×10~9Ω·cm;漏电流测量结果表明电压小于0.8V时为欧姆导电机制,当电压大于0.8V时,漏电流满足肖特基发射机制.光学透射谱结果表明在短波范围内,PZT表现出强吸收作用;在长波范围内,PZT表现为强透射,最大透射率达到95%.
关键词:
Pt/PZT/ITO
,
溶胶-凝胶法
,
电学性能
付继芳
,
李胜方
,
王佳丽
,
刘景明
,
周阳
,
王洛礼
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.01.007
以二苯甲烷二胺和3-氯丙烯为原料,乙醇为溶剂,合成了新型增韧剂N,N'-双烯丙基二苯甲烷二胺(AN).发现在30～50℃的温和条件下,加入少量弱还原剂可以提高产物纯度,并用傅里叶变换红外光谱和核磁共振氢谱对产物进行了表征.结果表明以二苯甲烷二胺和3-氯丙烯为原料在适宜的条件下制备N,N-双烯丙基二胺,其转化率高.
关键词:
N,N'-双烯丙基二苯甲烷二胺
,
合成
,
表征
周阳
,
郑红芳
,
王英龙
,
刘保亭
功能材料
在4.0×10-4Pa的真空条件下,采用脉冲激光烧蚀技术在单晶Si衬底和石英衬底上制备了非晶纳米Si薄膜.在N2气氛下,经过900℃热退火得到纳米Si晶薄膜.采用表面台阶测试仪、扫描电子显微镜、拉曼光谱仪等检测手段对样品不同位置的微观结构进行了表征.测量结果表明制备的纳米Si晶薄膜厚度及其晶粒尺寸分布不均匀,随着测量点与样品沉积中心距离的增加,薄膜的厚度逐渐减小,纳米Si晶粒的尺寸逐渐增大.从脉冲激光烧蚀动力学的角度对实验结果进行了定性的分析.
关键词:
脉冲激光烧蚀
,
纳米Si薄膜
,
晶粒尺寸
,
羽辉动力学
