邢志国
,
周新远
,
吕振林
,
周永欣
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.06.014
为了改善工厂、矿山中大型机件的耐冲蚀磨损性,利用SiC颗粒与环氧树脂制备了能够便捷涂覆和快速固化具有优异耐冲蚀磨损性能的环氧/SiC复合材料,着重考察了SiC含量对环氧/SiC复合材料冲蚀磨损性能的影响.用自制的冲蚀磨损试验机对复合材料进行了冲蚀磨损实验,采用SEM等手段对复合材料的冲蚀磨损形貌进行观察分析.结果表明:在复合材料中提高SiC含量可以提高其耐冲蚀磨损性能,当SiC质量分数为复合材料的66.66％时,SiC颗粒与树脂之间“阴影效应”和“粘接效应”相互配合达到最佳,复合材料的冲蚀磨损性能最好；当SiC含量最佳时,复合材料的耐冲蚀磨损性能要好于相同角度下白口铸铁.
关键词:
复合材料
,
冲蚀磨损
,
环氧树脂
,
SiC颗粒
邢志国
,
吕振林
,
魏鑫
,
周永欣
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.03.009
研究酚醛树脂粘结SiC耐磨涂层中偶联剂KH-550对其性能的影响,通过剪切强度、拉伸强度测试结果表明,偶联剂KH-550的加入可显著地提高改性酚醛树脂胶粘接金属的强度.弯曲强度测试结果表明,偶联剂KH-550的加入可显著地提高改性酚醛树脂胶粘接SiC颗粒的强度.通过冲蚀磨损试验,确定改性酚醛树脂胶粘SiC耐磨涂层中KH-550的最佳加入量.
关键词:
偶联剂KH-550
,
酚醛树脂
,
SiC耐磨涂层
,
粘接强度
,
耐磨性
张敏
,
王为波
,
安强
,
周永欣
,
吕振林
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2005.09.020
高锰钢铁路辙叉在使用过程中因心轨表面龟裂剥落而提前失效,对其进行了扫描电镜观察和能谱仪测试分析.结果表明:断口中的夹杂物为Al2O3或[Al2O3]·(CaO)x等;在表面裂纹的断口微观组织中有大量的致密疲劳辉纹和泥状腐蚀形貌,次表面裂纹断口也有疲劳辉纹,表明辙叉表面的剥落掉块为表面的腐蚀疲劳和次表面的接触疲劳所致.疲劳裂纹往往从氧化铝、氧化钙等颗粒状夹杂物或组织不均匀处萌生,表面裂纹与切应力成锐角向表层下扩展,次表面裂纹斜向表面扩展,当表面裂纹与次表面裂纹相互连接时,被裂纹包围的金属块即产生剥落,形成剥落坑.
关键词:
铁路辙叉
,
龟裂剥落
,
腐蚀疲劳
,
接触疲劳
周永欣
,
赵西城
,
吕振林
,
张敏
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.05.010
通过涂覆预制块的预置方法,利用消失模(V-EP)铸渗工艺制备了SiC颗粒增强钢基表面复合材料,着重研究碳化硅粒径对表面复合效果的影响.结果表明:碳化硅颗粒粒径在600～850 μm时,制备的复合材料表面复合效果好,铸渗复合层厚度可达4 mm左右,表面较平整;碳化硅颗粒粒径对SiC/钢复合材料表面质量有很大的影响,随着SiC颗粒粒径的增加,复合材料铸渗层的表面质量呈下降趋势.
关键词:
真空实型铸渗
,
钢基表面复合材料
,
碳化硅颗粒
王超
,
吕振林
,
周永欣
,
王玲玲
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2008.04.011
以Ti/Si/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理.结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1 250～1 300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料.Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti5Si3和β-Ti形成液相,液相再与TiC反应,进而合成Ti3SiC2.
关键词:
烧结温度
,
固-液反应
,
热力学分析
,
Ti3SiC2
,
反应机理
王超
,
吕振林
,
张姗姗
,
周永欣
机械工程材料
利用反应烧结技术得到了纯度为93.0%的Ti3SiC2块体材料;测试了该材料的断裂强度和硬度;用XRD、SEM等方法分析了材料的物相组成、断口形貌和损伤机制;用TG/DTA法分析了气孔产生的原因.结果表明:1 250℃烧结Ti3SiC2材料的抗弯强度为105.59 MPa,硬度为101 HB;其强度随Ti3SiC2含量的增加而增大;材料的抗损伤机制是通过晶粒破碎、穿晶断裂、分层、拔出等形式来消耗能量,从而阻止了裂纹的扩展,表现出了一定的微塑性.
关键词:
Ti3SiC2
,
反应烧结
,
力学性能
,
抗损伤机制
王超
,
吕振林
,
周永欣
,
张姗姗
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2008.05.011
分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料.结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1200~1400℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3:1.3:2和3:1.4:2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1200~1400℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料.
关键词:
Ti3SiC2
,
反应烧结
,
显微结构
