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高介电高压电活性PLZT陶瓷材料的研究

郑克玉 , 张端明 , , 杨凤霞 , 李智华 , 马海峰 , 严文生

功能材料

利用改进的固相烧结工艺设计和制备出一种具有高介电常数、高压电系数的PLZT陶瓷材料.研究了Sb2O3、BaTiO3的不同掺杂量对PLZT陶瓷的介电性能和压电性能的影响.实验发现,当Sb2O3和BaTiO3含量的质量百分比均为0.5%时,PLZT陶瓷的介电性能、压电性能较佳,相应的物理参数为:频率为1kHz时室温相对介电常数εr=4500,压电常数d33=640pC/N,压电耦合系数kp=0.7,密度ρv=7.914g/cm3,居里温度Tc=213℃,介电损耗tgδ=0.0175.该材料在叠层电容器、压电陶瓷固体继电器、压电驱动器及压电电声器件等方面具有良好的应用前景.

关键词: 掺杂 , PLZT , 介电性 , 压电性能

LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷

刘越彦 , 尚勋忠 , 孙锐 , 郭金明 , , 常钢 , 何云斌

人工晶体学报

采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料.LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点.实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950~1050℃,比未添加时的烧结温度低240~340℃.当w(LiBiO2) =1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε33T/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51 μC/cm2,体积密度p =7.45g/cm3.该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中.

关键词: PSZT压电陶瓷 , LiBiO2掺杂 , 低温烧结

MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响

, 尚勋忠 , , 常钢 , 卢寅梅 , 何云斌

硅酸盐通报

通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95 Sr0.05(Zr0.525 Ti0.475)O3+1.1 mol% CaFeO5/2+0.3mol% Fe2O3+0.2mol% Li2CO3+xmol% MgO压电陶瓷材料.实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ.当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5%,相对介电常数εT33/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34%,机械品质因子Qm=822.其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中.

关键词: 压电陶瓷 , PZT , MgO掺杂 , 电学性能

制备工艺对新型大各向异性压电陶瓷材料性能的影响

张源伟 , 尚勋忠 , , 柴荔英 , 邝安祥 , 袁润章

功能材料

通过在钙改性钛酸铅陶瓷材料中添加少量Pb(Zn1/2w1/2)O3、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3和MnCO3,研制出了-种既有大机械品质因数又有大各向异性的压电陶瓷新材料.在预烧温度为845~905℃和烧结温度为1130~1190℃的范围内对新材料的微观结构、性能进行了讨论.当预烧温度为860~885℃,烧结温度为1160~1180℃时,样品的压电性能较佳.该材料可用于制作高温高频换能器.

关键词: 钛酸铅陶瓷 , 大压电各向异性 , 高机械品质因数

直接反应烧结法制备(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3系无铅压电陶瓷的性能研究

黄荣厦 , , 顾豪爽 , 彭绯 , 柴荔英

功能材料

采用直接反应烧结法制备了(Bi0.5Na0.5)1-xBaxTiO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的压电性能和显微结构.结果表明,直接反应烧结法不影响BNBT陶瓷的钙钛矿相结构,但可使准同型相界处组成的四方相含量增加;直接反应烧结的BNBT陶瓷呈无变形,收缩率稍大于采用传统固相法制成的陶瓷样品,晶粒明显较大,并具有更好的压电介电性能,其中,d33=166pC/N,tanδ=0.03.

关键词: 无铅压电陶瓷 , BNT-BT , 直接反应烧结法

CeO2掺杂(Ba, Sr,Ca) TiO3 基高压电容陶瓷的研究

姜丹 , , 刘珩 , 尚勋忠 , 张蕾 , 何云斌

硅酸盐通报

采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3·0.03(Bi2O3·3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响.随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小.当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384.当CeO2为0.2 wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125 kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界.

关键词: 高压电容陶瓷 , 钛酸钡锶钙 , 掺杂改性 , 二氧化铈

一种新型改性PbTiO3压电陶瓷材料研究

, 何云斌 , 尚勋忠 , 张源伟 , 邝安祥

无机材料学报

研制了一种新型的添加Pb(Mn1/3Sb2/3)O3、碱土金属CaCO3、Bi2O3、NiO的改性钛酸铅压电陶瓷材料.该材料具有高压电活性、大压电各向异性、低介电常数及小的机械品质因素.实验确定其典型配方为Pb0.80Ca0.20[(Mn1/3Sb2/30.05Ti0.95]O3+0.5wt%NiO+1wt%Bi2O3;在优化后的制备工艺条件下,其主要性能参数为:εT33/ε0=160, d33=70×10-12C·N-1Kt=60.0;Hp≈0,Qm=43,Nt=2004Hz·m.

关键词: 钛酸铅压电陶瓷 , B-site substitution of [Mn1/3Sb2/3]4+ , modification , high Kt , large anisotropy

锰掺杂对(Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3压电陶瓷性能的影响

小元 , 顾豪爽 , 李位勇 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.004

研究了 Mn掺杂对 (Na0.5Bi0.5)0.92Ba0.08TiO3系陶瓷介电、压电与铁电性能的影响. X- ray衍 射结构分析表明掺杂适量的 Mn得到单一的钙钛矿结构,无第二相出现.当添加 0.3 wt % MnCO3 时,介电常数达到 1850;矫顽场强 Ec降低至 3.54kV/mm;压电常数 d33达到 160× 10- 12 C/N.该 材料的温度稳定性也得到改善.

关键词: 钛酸铋钠陶瓷 , Mn掺杂 , 电滞回线 , 温度稳定性

3,4-二羟基噻吩交联壳聚糖的合成及其对白的抑菌保鲜性能

曾涵 , 赵淑贤 , 王永疆 , 张雷

应用化学 doi:10.3724/SP.J.1095.2010.00037

以氯乙酸乙酯、硫化钠、草酸二乙酯和壳聚糖为原料合成了3,4-二羟基噻吩交联壳聚糖(DTCC),测定了该交联聚合物对一系列菌种的抑菌能力;测定了以该交联聚合物为涂膜剂处理白后的失重率、腐烂率、叶绿素含量、膜透率和总糖含量随贮存时间的变化关系. 结果表明,部分交联的DTCC对革兰氏阳性、阴性菌有较强的抑菌效能,作用20 min后对铜绿假单胞菌、荧光假单胞菌、蜡样芽孢杆菌、枯草芽孢杆菌的抑菌率分别可达96.7%、95.8%、97.9%和98.2%,最小抑菌浓度分别为25.0、25.0、3.1和3.1 g/L;DTCC对黑曲霉菌和柑橘青霉菌亦有较强的抑菌效果,作用20 min后的抑菌率分别达到99.0%和28.4%,最小抑菌浓度分别为25.0和12.5 g/L. 以质量浓度为1.0 g/L的DTCC涂液处理白并在(27±0.5) ℃贮存12 d后,失重率仅有8.1%,腐烂率为40%,膜透率为34.1%,总糖含量可达75.1 mg/g.

关键词: 壳聚糖 , 二羟基噻吩交联壳聚糖 , 保鲜 , 抑菌性能

分散固相萃取-高效液相色谱法快速检测猕猴中的氯吡脲

胡江涛 , 盛毅 , 方智 , 金晶 , 何开蓉

色谱 doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2007.03.036

建立了高效液相色谱快速检测猕猴中氯吡脲残留的方法.试样经乙腈提取、丙基乙二胺(PSA)分散固相萃取(DSPE)净化后在C18柱上以乙腈-0.01 mol/L磷酸水溶液(体积比为35:65)为流动相进行分离,在260 nm波长下检测.氯吡脲的检出限为0.005 mg/kg,在0.05~10.00 mg/L时线性关系良好(r=1.000).试样在0.05,0.60,1.20 mg/kg三个添加水平的回收率为82.0%~112.0%,相对标准偏差(RSD)(n=5)为2.41%.该方法简便快速,准确灵敏,适合大批量样品的快速处理.

关键词: 分散固相萃取(dispersive solid phase extraction) , 高效液相色谱(HPLC) , 氯吡脲(forchlorfenuron) , 猕猴(Chinese gooseberry)

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