王海燕
,
卢景霄
,
吴芳
,
王子健
,
张宇翔
,
靳瑞敏
,
张丽伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.034
本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为.分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果.
关键词:
氧钝化
,
快速热处理(RTP)
,
快速热氧化(RTO)
,
减反膜
方亮
,
彭丽萍
,
杨小飞
,
周科
,
吴芳
材料导报
本征ZnO是高阻材料,如何对其进行掺杂,提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键.从晶体结构和能带结构、影响光电性能的因素、透明导电机制、提高光电性能的途径等方面综述了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜光电性能的研究进展,提出了降低ZnO:In薄膜电阻率和提高透光率的有效途径,并对未来的发展方向进行了简要说明.
关键词:
宽禁带半导体材料
,
ZnO:In薄膜
,
光学性质
,
电学性质
吴芳
,
王伟
低温物理学报
通过水热法以Na2 TeO3为Te源和SDBS为表面活性剂在不同反应温度和反应时间下合成了半导体材料Bi2Te3的一维纳米线粉体.纳米线粉体通过XRD衍射仪分析物相,扫描电镜分析其表面形貌.分析结果表明反应温度和反应时间对Bi2Te3的纯度和表面形貌均有很大的影响.最佳的反应条件为反应温度150℃,反应时间为24小时.在此条件下制备的Bi2 Te3纳米线的长度为500～1000nm左右,直径仅为30～50nm.同时也对不同形貌Bi2Te3晶体的成核和生长机理进行了研究.
关键词:
Bi2Te3纳米线
,
水热法
,
不同形貌
葛四杰
,
吴芳
,
张立秋
,
封莉
膜科学与技术
以水体中经常暴露的消炎镇痛类药物萘普生(NAP)为研究对象,考察了溶液pH、离子强度(以Ca2+浓度表示)、共存腐殖酸浓度、操作压力和温度对纳滤膜去除NAP效能的影响.试验发现:溶液pH值、离子强度或腐殖酸浓度的增加均提高了纳滤膜对NAP的去除率,操作压力的增加则使NAP的去除率有所降低,当溶液温度在16.5～36.5℃范围内变化时未对NAP的去除率产生明显影响.在所有试验条件下,纳滤膜对NAP的去除率介于83.9％～96.2％之间,说明纳滤膜分离工艺是去除饮用水中微量NAP的一种有效方法,分析认为静电排斥和筛分作用是纳滤膜去除NAP的主要机制.
关键词:
纳滤
,
萘普生
,
pH
,
离子强度
,
操作压力
赵存挺
,
冯新星
,
吴芳
,
陈建勇
功能材料
采用改进工艺条件的Stober法制备纳米SiO_2微球.用场发射扫描电镜(FESEM)分析了纳米二氧化硅的形貌、粒径.结果表明,通过温度梯度法和控制氨水浓度变化制备出高圆度、单分散、粒径可控的纳米级二氧化硅微球.用KH-550硅烷偶联剂和丁二酸酐对纳米二氧化硅表面羧基化改性.采用X射线能谱仪(EDS)、热重(TGA)、傅里叶红外(FTIR)等手段对改性后纳米二氧化硅的结构、元素种类及含量进行了表征.结果表明,纳米二氧化硅表面成功接枝了羧基官能团.
关键词:
温度梯度法
,
二氧化硅微球
,
羧基化
吴芳
中国有色金属学报
采用碱溶解→酸浸出→P204萃取净化→P507萃取分离钴、锂→反萃回收硫酸钴和萃余液沉积回收碳酸锂的工艺流程, 从废旧锂离子二次电池中回收钴和锂.实验结果表明: 碱溶解可预先除去约90%的铝, H2SO4+H2O2体系浸出钴的回收率达到99%以上; P204萃取净化后, 杂质含量为Al 3.5mg/L、Fe 0.5mg/L、Zn0.6mg/L、Mn2.3mg/L、Ca ＜0.1mg/L; 用P507 萃取分离钴和锂, 在pH为5.5时, 分离因子βCo/Li可高达1×105; 95℃以上用饱和碳酸钠沉积碳酸锂, 所得碳酸锂可达零级产品要求, 一次沉锂率为76.5%.
关键词:
固体废物
,
锂离子二次电池
,
回收
,
硫酸钴
,
碳酸锂
刘伯威
,
樊毅
,
张金生
,
高游
,
吴芳
中国有色金属学报
研究了在Cu-Fe基烧结摩擦材料中SiO2和SiC对材料的力学性能特别是摩擦磨损性能的影响.结果表明:添加SiO2摩擦材料的抗弯强度和摩擦因数分别为141 Mpa和0.277,添加SiC的分别为89 Mpa和0.255,添加SiO2+SiC的分别为109 Mpa和0.255.添加SiO2的摩擦材料磨损量为后两者的2倍,而添加SiC和SiO2+SiC的摩擦材料对对偶的磨损量比前者约大10倍.
关键词:
Cu-Fe基合金
,
烧结摩擦材料
,
SiO2
,
SiC
谌夏
,
方亮
,
吴芳
,
阮海波
,
魏文猴
,
黄秋柳
材料导报
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.
关键词:
Sn掺杂ZnO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光学性质
,
电学性质
郑伟娟
,
杨锋
,
吴芳
,
陆纯
,
华子春
色谱
doi:10.3321/j.issn:1000-8713.2006.03.016
按照人金属硫蛋白-3(hMT-3)的基因序列,选用大肠杆菌偏爱的密码子合成了全长hMT-3基因,并将其插入大肠杆菌融合表达质粒pALEX的多克隆位点中,在谷胱甘肽-硫-转移酶(GST)下游与GST融合表达.通过异丙基-β-D-硫代半乳糖苷(IPTG)诱导在大肠杆菌表达菌株BL21(DE3)LysS中表达了与重金属离子镉结合的融合蛋白GST-Cd2+-hMT-3.经十二烷基硫酸钠-聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)分析表明融合蛋白主要在超声上清液中.分别通过"先纯化、后酶切"和"亲和柱色谱原位酶切"两种方法纯化了Cd2+-hMT-3,比较了两种方法的纯化效率和得率,表明原位酶切法操作简便,较之"先纯化、后酶切"法减少了洗脱、透析、冻干等步骤,从而也减少了样品的损失,提高了样品的纯度和得率.从摇瓶培养菌液中纯化获得了结合有Cd2+的完整的人金属硫蛋白-3,得率为1.8% .氨基酸组成分析结果表明所获得的Cd2+-hMT-3不含芳香族氨基酸和组氨酸,符合金属硫蛋白的特征;直读电感耦合等离子体发射光谱分析其硫镉原子比为21∶(7.5±0.1),与理论值21∶7基本吻合.
关键词:
亲和柱色谱
,
人金属硫蛋白-3
,
融合表达
,
Factor Xa原位酶切
,
纯化
