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脉冲放电烧结纳米WC-10%Co粉

吴稀勇 , 张伟 , 汪伟 , 杨菲 , 闵家源 , 郭敬东

金属学报

以喷雾转化工艺(SCP)制备的纳米WC-10%Co(质量分数)粉为原料, 应用脉冲放电烧结方法(EDC)制备出平均晶粒尺寸为120 nm左右的超细晶WC-Co硬质合金, 并对样品的微观组织结构与力学性能进行了分析. 结果表明, EDC方法极短的烧结时间是抑制晶粒长大的重要原因. 除裂纹桥联机制外,弥散分布的小孔隙对提高WC-Co硬质合金的断裂韧性也起到重要作用.

关键词: WC-Co , nano-crystalline material , electric-discharge compacting (EDC)

脉冲放电烧结纳米WC-10%Co粉

吴稀勇 , 张伟 , 汪伟 , 杨菲 , 闵家源 , 郭敬东

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.09.019

以喷雾转化工艺(SCP)制备的纳米WC-10%Co(质量分数)粉为原料,应用脉冲放电烧结方法(EDC)制备出平均晶粒尺寸为120 nm左右的超细晶WC-Co硬质合金,并对样品的微观组织结构与力学性能进行了分析.结果表明,EDC方法极短的烧结时间是抑制晶粒长大的重要原因.除裂纹桥联机制外,弥散分布的小孔隙对提高WC-Co硬质合金的断裂韧性也起到重要作用.

关键词: WC-C0 , 纳米材料 , 脉冲放电烧结 , 力学性能

第四届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2008]01号），经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐，吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”，授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 评选 , 获奖者 , 中国科学院 , 青年学者 , 物理研究所 , 高等院校

第五届“吴仲华奖励基金”评选出获奖者

工程热物理学报

根据《吴仲华奖励基金章程》（吴奖[2010]01号），经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐，以及吴仲华奖励基金理事会评审，决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”，授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。

关键词: 基金 , 奖励 , 获奖者 , 中国科学院 , 评选 , 青年学者 , 物理研究所 , 物理学会

上海金吴乙烯管线的腐蚀检测

樊洪 , 蒋霞星 , 刘志刚

腐蚀与防护 doi:10.3969/j.issn.1005-748X.2006.04.014

金吴乙烯管线在运行十几年后需对全线的腐蚀情况作评估,调查了管道的涂层、厚度、腐蚀情况及阴极保护系统的效果,结果表明涂层防护仍是有效的,阴极保护的外加电流装置运行正常,保护系统的维护是非常重要的.

关键词: 涂层 , 阴极保护 , 评估

吴航钢铁公司热轧不锈窄带钢生产线

褚元强

上海金属 doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2002.06.004

介绍福州吴航钢铁公司热轧不锈窄带钢生产线的设计和工艺、设备情况,投产后的实践表明,该生产线的设计基本是成功的.此外还讨论了工艺实践中尚存在的问题和改进建议.

关键词: 不锈窄带钢 , 热轧生产线 , 工艺设计 , 半连轧机

吴家塬金矿选矿工艺研究及生产实践

张大铸 , 贾振武

黄金 doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2001.02.011

根据吴家塬金矿矿石为含砷微细粒金矿石这一性质,针对该矿原选矿工艺存在的问题进行了小型试验研究.依据小型试验结果,将原流程的一段磨矿改为二段磨矿;将浮选单一用药改为多种混合用药.流程改造后,金回收率提高了26.11%,年增效益154.21万元.

关键词: 含砷微细粒金矿石 , 二段磨矿 , 工艺流程 , 金回收率

聚氨酯稀溶液行为研究

左榘 , 安英丽 , 栗方星 , 魏鹏 , 朱常英 , 何炳林

高分子材料科学与工程

采用动态光散射技术,较系统地研究了新合成的系列聚氨酯的稀溶液行为.样品的表观粒径在几百甚至上千纳米范围,显著高于一般大分子粒径在几十至上百纳米的水平;随浓度变化粒径非单调变化;随扩链剂用量减少,表观粒径基本趋势是逐渐增大.用大的簇状分子观点能很好地解释上述稀溶液行为及与其优良力学性能之间的关系.

关键词: 聚氨酯 , 动态光散射 , 稀溶液行为

AlN基稀磁半导体的研究进展

王腊节 , 聂招秀

材料导报

主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程、AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向.

关键词: AlN , 稀磁半导体 , 居里温度 , 掺杂 , 过渡元素

ZnO基稀磁半导体材料研究进展

周勋 , 沈益斌 , 段满益 , 徐明 , 令狐荣锋

材料导报

随着铁磁性半导体(如Mn掺杂InAs和GaAs)的发现,稀磁半导体(DMS)近来吸引了众多研究者的目光.传统半导体不具有磁性,而稀磁半导体可以在不改变传统半导体其它性质的情况下引入磁性,具有良好的物理化学性能.从实验和理论计算两个方面总结了ZnO基DMS的国内外研究现状,讨论了各种生长方法、基底选择、生长温度对材料磁性的影响,总结了如何通过改变实验条件来增大饱和磁化强度及提高Curie温度.

关键词: ZnO , 稀磁半导体 , 铁磁序 , 反铁磁序 , 电子结构