原子健
,
朱夏明
,
王雄
,
张莹莹
,
万正芬
,
邱东江
,
吴惠桢
,
杜滨阳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00141
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜, 通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应, 研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性. 实验发现, 氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大. X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体, 并且随着生长温度的升高, 可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小, 这也说明结晶质量的改善. 在可见光范围的透射率超过90%. 同时, 在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大, 其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω·cm、9.69cm2/(V·s)和1
×1018cm-3. 退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
关键词:
氧化铟
,
RF magnetron sputtering
,
surface morphology
,
XRD
,
electrical properties
斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00545
采用分子束外延方法在II-VI族Cd 0.98 Zn 0.02 Te(111)衬底上实现了异系IV-VI族半导体(PbTe)的外延生长. 原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明, PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成; 理论计算表明, 螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响. 通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察, 发现在PbTe和Cd 0.98 Zn 0.02 Te界面处存在Frank位错. 分析表明, 这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态, 位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
surface structure
,
dislocation
斯剑霄
,
吴惠桢
,
徐天宁
,
夏明龙
,
王擎雷
,
陆叶青
,
方维政
,
戴宁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.025
采用分子束外延方法在Ⅱ-Ⅵ族Cd0.98Zn0.02Te(111)衬底上实现了异系Ⅳ-Ⅵ族半导体(PbTe)的外延生长.原子力显微镜(AFM)的表面形貌表征表明,PbTe表面形貌主要由三角形台阶线和螺旋形台阶面构成;理论计算表明,螺旋形台阶面的分布受到滑移位错弹性应变能的影响.通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察,发现在PbTe和Cd0.98Zn0.02Te界面处存在Frank位错.分析表明,这些Frank位错在运动过程中会形成不同的位错组态,位错组态的相互作用是表面上形成三角形台阶线和螺旋形台阶面的主要原因.
关键词:
异质外延
,
表面微结构
,
位错运动
原子健
,
朱夏明
,
王雄
,
张莹莹
,
万正芬
,
邱东江
,
吴惠桢
,
杜滨阳
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00141
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω·cm、9.69cm~3/(V·s)和1×10~(18)cm~(-3).退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.
关键词:
氧化铟
,
射频磁控溅射
,
表面形貌
,
X射线衍射
,
电学特性
楼腾刚
,
胡炼
,
吴东锴
,
杜凌霄
,
蔡春锋
,
斯剑霄
,
吴惠桢
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027
采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点, 在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层, 结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件. 透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm, 扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整, 由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射, 表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料. 光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm, 电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ~ 850 nm, 峰值在800 nm附近. 本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
关键词:
CdSe; 量子点; 电致发光; 光致发光
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.01108
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe (0≤ x≤0.050)薄膜. X射线衍射结果表明, Pb1-xSrxSe 薄膜为立方相NaCl型晶体结构, 没有观察到SrSe相分离现象, 薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面. 薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大, Sr含量由Vegard公式得到. 再用理论模拟Pb1-xSrxSe 薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙. 最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe 薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe 外延薄膜
,
transmission spectrum
,
refractive index
,
absorption coefficient
王擎雷
,
吴惠桢
,
斯剑霄
,
徐天宁
,
夏明龙
,
谢正生
,
劳燕锋
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.06.018
采用分子束外延的方法在BaF2衬底(111)上制备出了高质量的Pb1-xSrxSe(0≤x≤0.050)薄膜.X射线衍射结果表明,Pb1-xSrxSe薄膜为立方相NaCl型晶体结构,没有观察到SrSe相分离现象,薄膜的取向为平行于衬底(111)晶面.薄膜晶格常数随Sr含量的增加逐渐增大,Sr含量由Vegard公式得到.再用理论模拟Pb1-xSrxSe薄膜透射光谱的方法得到了相应的带隙.最后通过介电函数模型拟合得到了PbSe和Pb1-xSrxSe薄膜在光子能量位于基本带隙附近的折射率n和吸收系数α.
关键词:
Pb1-xSrxSe外延薄膜
,
透射光谱
,
折射率
,
吸收系数
楼腾刚
,
胡炼
,
吴东锴
,
杜凌霄
,
蔡春锋
,
斯剑霄
,
吴惠桢
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12027
采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ～ 850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.
关键词:
CdSe
,
量子点
,
电致发光
,
光致发光
谢正生
,
吴惠桢
,
劳燕锋
,
刘成
,
曹萌
稀有金属材料与工程
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.
关键词:
分布布拉格反射镜
,
气态源分子束外延
,
X射线衍射
,
反射谱
