刘明
,
陈宝钦
,
刘小伟
,
尉林鹏
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.030
Ⅰ-线光致抗蚀剂可以同时被电子束和光学曝光系统曝光,在50KV加速电压下,其曝光剂量为50-100μC/cm2,曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1min.其灵敏度比PMMA快5倍,分辨率为0.5μm.采用两种方法制备GaAs PHEMT,首先,用I线光致抗蚀剂,源、漏及栅的全部都采用电子束曝光,制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT.将源、漏及栅分割成两部分,其中的精细部分由电子束曝光,其余部分由光学曝光系统曝光,用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT.
关键词:
Ⅰ-线光致抗蚀剂
,
栅长
,
混合与匹配光刻
陈震
,
魏珂
,
王润梅
,
刘新宇
,
刘训春
,
吴德馨
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.024
比较研究了GaAs背面通孔腐蚀中的湿法腐蚀和ICP干法刻蚀技术,并利用感应离子耦合(ICP)干法刻蚀技术,采用CCl2F2/Ar混合气体,对GaAs衬底上的通孔工艺进行了研究.通过优化气压、射频功率、CCl2F2/Ar混合气体组分配比,在CCl2F2流量为200sccm,Ar流量为10sccm,源功率Ps=400W,偏压功率Pb=14W,自偏压Vb=120V,真空度P=43Pa时,得到了表面平滑的通孔形貌和最大的通孔刻蚀速率(4.3μm/min).
关键词:
通孔
,
感应离子耦合(ICP)
,
干法刻蚀
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2008]01号),经各高等院校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所认真评选和推荐,吴仲华奖励基金理事会评审并确定授予青年学者戴巍、罗坤、唐桂华“吴仲华优秀青年学者奖”,授予程雪涛等10位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
评选
,
获奖者
,
中国科学院
,
青年学者
,
物理研究所
,
高等院校
工程热物理学报
根据《吴仲华奖励基金章程》(吴奖[2010]01号),经各高校、中国工程热物理学会和中国科学院工程热物理研究所遴选和推荐,以及吴仲华奖励基金理事会评审,决定授子钟文琪、张鹏、张明明、徐纲4位青年学者“吴仲华优秀青年学者奖”,授予顾超等13位同学“吴仲华优秀学生奖”。
关键词:
基金
,
奖励
,
获奖者
,
中国科学院
,
评选
,
青年学者
,
物理研究所
,
物理学会