牛永吉
,
桑灿
,
李振瑞
,
陈国钧
,
降向东
,
吕键
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2007.05.010
就坡莫合金研究、生产的最新进展作了简介.其中包括高导磁率坡莫合金成分设计理论、低中Ni代中高Ni的坡莫合金廉价化进展,立体声磁头用耐磨耐应力坡莫合金的开发,软磁合金的损耗分析等.
关键词:
坡莫合金
,
软磁合金
,
成分设计
,
损耗分析
吕键
,
王荫君
,
马如璋
金属学报
测试了非晶Tb_(32)Fe_(54)Co_(14)膜的垂直膜面各向异性能、矫顽力和Kerr角。经X射线、电子衍射、XPS和Auger剖面分析证实,在100℃下退火,Tb_(32)Fe_(54)Co_(14)膜的非晶“相结构”和氧含量没有明显变化。对膜施加应力后,其性能发生明显变化,认为在制备过程中引入的应力与磁伸缩相耦合的应力感生各向异性是膜垂直各向异性的主要来源。非晶Tb_(32)Fe_(54)Co_(?4)膜的热不稳定性的原因是低温退火过程中的应力弛豫所致。
关键词:
非晶
,
perpendicular anisotropy
,
thermal stability
孟长功
,
徐东生
,
郭建亭
,
胡壮麒
金属学报
利用离散变分Xa法计算了单晶Ni_3Al的一个原子簇(Ni_(15)Al_(12)),并据此分析了能级结构、电子态密度,计算了Ni_3Al中原子间的键级及相应的组成。键组成分析证明:Ni-Al键与Ni-Ni键具有较好的相似性,p-d键在两种键的组成中都占有较大比例。Ni_3Al的Ll_2结构,使两种相似的键在空间呈均匀分布,宏观上Ni_3Al表现出较高的强度。单晶体良好的韧性归因于Ni-Al键与Ni-Ni键的相似性,方向性较强的共价键在晶界处受到削弱导致多晶体的本征脆性。
关键词:
Ni_3Al
,
energy level structure
,
electronic state density
,
covalent bond
,
bonding characteristic
曹军
,
丁雨田
,
郭廷彪
材料科学与工艺
为了提高铜线性能及其键合质量,采用拉力-剪切力测试仪、扫描电镜等研究了不同力学性能铜线及相应的键合参数对其键合质量的影响,分析了不同伸长率和拉断力、铜线表面缺陷、超声功率和键合压力对铜线键合质量的作用机制.结果表明：伸长率过小和拉断力过大会造成焊点颈部产生微裂纹,从而导致焊点的拉力和球剪切力偏低;表面存在缺陷的铜线其颈部经过反复塑性大变形会造成铜线表面晶粒和污染物脱落而出现短路和球颈部断裂;键合过程中键合压力过大能够引起的焊盘变形,同时较大的接触应力引起铝层溢出;过大的超声功率使键合区域变形严重产生明显的裂纹和引起键合附近区域严重的应力集中,致使器件使用过程中产生微裂纹而降低器件的使用寿命.
关键词:
伸长率
,
拉断力
,
表面
,
超声功率
,
键合压力
王敬
,
屠海令
,
刘安生
,
周旗钢
,
朱悟新
,
张椿
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.008
用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.
关键词:
硅片键合
,
SOI
,
界面
,
微结构
杜茂华
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.015
研究了 Cu/Sn等温凝固芯片键合工艺,对等离子体处理、键合气氛、压力以及 Sn层厚度等因 素对焊层的键合强度的影响进行了分析和优化.实验表明,等离子体处理过程的引入是保证键合 质量的重要因素,在功率 500W、时间 200s的处理条件下,得到了最大的键合强度;而键合气氛对键 合质量有显著的影响,在真空环境下,能得到最佳的键合质量;压力对键合质量的影响较小,施加较 小的压力( 0.05MPa)即能得到较大的剪切强度;而 Sn层厚度对键合质量的影响极小,而较薄的厚度 能够缩短键合时间.在最优化条件下,得到的键合强度值全部达到了美军标规定的 6.25MPa的强 度要求(对于 2mm× 2mm芯片).
关键词:
芯片键合
,
等温凝固
,
Cu/Sn体系
,
微结构
