吉祥波
,
陈志
,
陈慧
,
唐贤臣
高分子材料科学与工程
通过控制气态环状二聚体原料的裂解温度,在不同裂解温度下合成Parylene C膜,分析了裂解温度对膜的微观组织、拉伸性能和透气性能的影响。研究结果表明,当温度低于600℃时,原料裂解不充分,膜中存在大量未裂解原料的球状聚集体,导致膜的拉伸强度降低,气体透过率较高;当裂解温度达到720℃,气态原料存在部分过度裂解,裂解温度在630℃~690℃时,原料的裂解较充分,而且过裂解程度较小,制备的膜综合性能优异。
关键词:
Parylene
,
C
,
透气性能
,
裂解温度
,
化学气相沉积
吉祥波
,
鲜晓斌
,
唐贤臣
,
帅茂兵
高分子材料科学与工程
采用拉开法分析了KH550（γ-氨丙基三乙氧基硅烷）偶联剂浓度对Parylene C膜与金属铝基体间结合强度的影响,采用拉曼光谱（Raman）和红外光谱（FT-IR）分析了偶联剂在膜和基体间的作用机理。研究结果表明,使用10%的KH550偶联剂可提高Parylene C膜与铝基体的结合强度到7.5MPa。其增强作用机理为KH550偶联剂的烷氧基团水解后,-Si-OH与基体的Al-O键发生化学作用生成-Si-O-Al键,-NH2能与Parylene C膜分子间形成氢键,从而使Parylene C膜与金属铝之间产生化学键桥连。
关键词:
Parylene
,
C
,
硅烷偶联剂
,
结合强度
陈艳平
,
帅茂兵
,
鲜晓斌
,
吉祥波
,
唐贤臣
高分子材料科学与工程
用化学气相沉积法制备的聚氯代对二甲苯膜具有优异的耐溶剂腐蚀及气体阻隔性能.文中采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)表征了不同基体温度下制备聚氯代对二甲苯膜的微观组织结构;采用MOCON透湿仪测试了其水汽渗透率.结果表明,随基体温度升高,膜内聚合物分子链取向度先升高、后降低,且在较高温度下聚合物苯环基团更倾向于垂直基体表面.水汽在膜内渗透速率随基体温度升高先降低、后升高,且在约30℃～45℃处达到最低值.
关键词:
聚氯代对二甲苯膜
,
基体温度
,
微观结构
,
渗透性
赵宗峰
,
鲜晓斌
,
唐贤臣
,
吉祥波
功能材料
通过真空化学气相沉积方法制备了Parylene F薄膜,采用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了表面形貌,并用红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)及热重分析仪(TGA)等分析手段对薄膜组成与性能进行了表征,阻抗分析仪测试了薄膜的介电参数.研究结果表明化学气相沉积方法制备的Parylene F薄膜是一种致密光滑、性能较优、易于成型且具有较大潜在应用前景的介电材料.
关键词:
介电材料
,
Parylene F薄膜
,
化学气相沉积
吉祥波
,
敬畏
,
康彬
,
祝明水
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.增刊(Ⅰ).023
通过烧结Y2 O3,Al2 O3和Nd2 O3粉体注浆的陶瓷胚体制备了Nd∶Y3 Al5 O12(Nd∶YAG)透明陶瓷,研究了MgO 和TEOS烧结助剂对陶瓷微观结构的影响和助烧结机理,分析了微观结构对陶瓷激光性能的影响.研究结果表明不加入烧结助剂,烧结后的样品晶界处存在大量的气孔,加入0．1％的Mg O 后,气孔数量减少,晶粒粒径变小,能够抑制晶界出现杂相,TEOS在陶瓷烧结过程形成的液相有助于气孔的排除.通过调节烧结助剂和烧结时间,制备出透光性达到83．1％的Nd∶YAG透明陶瓷,实现了1．4 W的激光输出.
关键词:
Nd∶YAG 陶瓷
,
烧结助剂
,
透明陶瓷
于名讯
,
丁文皓
,
李云南
,
何华辉
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2007.07.003
以电磁理论为基础,对两层结构的毫米波/厘米波兼容吸收涂层的设计方法进行了分析,并根据理论分析的结果进行了系列吸波涂层的实验.理论分析和实验结果表明,先分别以电损耗和磁损耗为主,采用单层结构分别对毫米波和厘米波实现较好的吸收,然后以厘米波吸收层作为内层,以毫米波吸收层作为外层,并进一步改善内外层之间的阻抗匹配,利用两层结构可以对毫米波和厘米波实现较好的兼容吸收.
关键词:
兼容吸波涂层
,
毫米波
,
厘米波
王海泉
,
陈秀琴
材料导报
综述了目前国内外吸波材料的研究动态,介绍了传统吸波材料以及新型吸波材料,如铁氧体吸波材料、碳纤维结构吸波材料、纳米吸波材料、手性吸波材料,多晶铁纤维吸波材料,导电高聚物吸波材料,雷达红外兼容吸波材料的研究状况.
关键词:
吸波材料
,
隐身技术
,
吸收剂
,
纳米材料
罗发
,
周万城
,
焦桓
,
赵东林
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.011
研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究.结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大.吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异.这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异.形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强.
关键词:
纳米SiC(N)
,
LAS玻璃陶瓷
,
介电常数
,
界面层
,
吸波材料
