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碳纳米管场致发射平面背光源

游玉香 , 苏艺菁 , , 汤巧治 , 张杰 , 张永爱 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.014

通过酸化、球磨、超声分散等工艺制备碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)悬浮液,利用电泳沉积技术制备CNT阴极,并真空封装制备成25.4 cm(10 in)的CNT场致发射平面背光源器件.采用扫描电子显微镜对CNT阴极样品的表面形貌进行表征,并对器件的场致发射性能进行测试.结果表明,当电场为1.76 V/μm时,CNT场致发射平面背光源器件的亮度为6 500 cd/m2,亮度均匀性为89%,可应用于液晶显示器的背光源.

关键词: 碳纳米管 , 背光源 , 电泳 , 场致发射

衬底电极对丝网印刷CNT阴极场发射性能的影响

游玉香 , , 林志贤 , 郭太良

功能材料

通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In_2O_3(indium tin oxides,ITO)透明导电薄膜衬底电极和Ag浆导电厚膜衬底电极上,高温烧结后得到CNT阴极,并对CNT阴极进行表面形貌和场发射性能的研究.结果表明,不同衬底电极对CNT阴极场发射性能的影响不一样,CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极、ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极及Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极场发射的开启电场分别为0.99、2.05和2.46V/μm;当电场为3.0V/μm时,它们的亮度分别为2472、1889、587cd/m~2.CrCuCr薄膜衬底电极CNT阴极的场发射性能最优,ITO透明导电薄膜衬底电极CNT阴极次之,Ag浆厚膜导电衬底电极CNT阴极最差,并根据金属-半导体理论模型分析了原因.

关键词: 碳纳米管 , 丝网印刷 , 场发射 , 衬底电极

电场作用下PVDF薄膜的结构相变与剩余极化特性研究

, 蒋亚东 , 吴志明 , 曾红娟

功能材料

采用流延工艺制备了半晶态的PVDF薄膜,通过X射线衍射分析(XRD)对不同电场强度下电极化的薄膜进行了表征.电极化的相变过程为α相→δ相→β相.薄膜的铁电性能分析表明,薄膜的剩余极化值Pr随电场强度变化的趋势符合Boltzmann分布函数,拟合的Boltzmann方程表明:引起Pr变化最大的极化电场强度范围是105~125MV/m,最大的剩余极化值Pr达到6μC/cm2.

关键词: PVDF薄膜 , 电场 , 相变

MgO纳米线的制备及其电子发射性能的研究

王灵婕 , 熊飞兵 , 郭太良 , 杨尊先 ,

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.020

采用碳热还原-氧化法成功制备大小均匀的MgO纳米线,采用场致发射电子显微镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)表征其形貌及晶体结构.采用丝网印刷将MgO纳米线转移到阴极电极,并将阴极电极与印刷有荧光粉的阳极电极组装成二级场致发射器件.场致电子发射测试表明MgO纳米线具有较好的电子发射特性:其阈值电场强度仅为3.82V/μm(1mA/cm2),最高电流密度达到2.68mA/cm2(4.01V/μm),发光亮度为1152cd/m2,4h内没有明显的衰减.MgO有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用.

关键词: 纳米材料 , MgO , 场致发射

有机溶剂高压气流法改善碳纳米管阴极场发射特性

陈秀云 , , 张丽凡 , 段丽 , 游玉香 , 郭太良

功能材料

针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出有机溶剂高压气流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用表面轮廓仪、扫描电子显微镜及高分辨透射电子显微镜表征有机溶剂高压法处理前后CNT阴极表面形貌变化,并对处理前后CNT阴极进行场发射特性测试.结果表明,有机溶剂高压法处理后CNT阴极表面整洁无包覆,开启电场下降,场发射电流密度大幅度提升,发射点密度明显增大,均匀性提高,处理前后场增强因子比值为1:2.8.

关键词: 丝网印刷 , 场发射 , 碳纳米管阴极 , 表面处理

不同强酸氧化对碳纳米管场发射特性的影响

, 游玉香 , 汤巧治 , 郭太良

功能材料

研究了强HNO3和HNO3-H2SO4氧化对碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)场发射特性的影响,采用TEM、Raman、XPS和J-E进行了表征.实验结果表明,HNO3和HNO3-H2SO4可去除碳纳米管中的催化剂颗粒、无定形碳及碳纳米微粒等杂质;由于H2SO4具有协同氧化和脱水作用,使得混酸氧化后的碳纳米管具有更高的无序程度和缺陷密度,且表面存在C-OH,CO,COOH等氧化基团.HNO3和HNO3-H2SO4氧化碳纳米管的开启电场分别为1.7和1.1V/μm,当电场增大至3.0V/μm的电场下对应的发射电流密度分别为1.8和4.2mA/cm2.

关键词: 碳纳米管 , 场发射 , 氧化 , XPS

静电自组装铁电复合超薄膜及特性研究

, 蒋亚东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00741

将极化处理后充负电荷的聚偏氟乙烯(PVDF)有机铁电聚合物薄膜经溶解,与BaTiO3无机纳米粉体形成良好分散的PVDF-BT荷电阴离子溶液和聚二丙烯基二甲基氯化铵(PDDA)聚阳离子溶液,通过静电作用在石英基片上交替自组装PDDA/PVDF-BT铁电复合超薄膜. 采用石英晶体微天平(QCM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)对该铁电复合超薄膜进行了表征. 研究结果表明:自组装12层PDDA/PVDFBT铁电复合超薄膜厚度为82nm,且静电自组装过程均匀,复合超薄膜表面平整、致密,无机纳米颗粒规整并均匀地覆盖在石英基底表面. 通过在PDDA/PVDF复合超薄膜间引入BaTiO3无机纳米铁电粉体,可实现对超薄膜内部结构以及膜厚度的控制,极化强度可提高到约3μC/cm2.

关键词: 静电自组装 , composite ultrathin films , ferroelectric polymer , nano-granules

Fe2O3微纳米管阵列的制备及场发射性能研究

, 郭凡 , 洪春燕 , 胡利勤 , 胡海龙 , 郭太良

功能材料

首先采用草酸氧化法在Fe基片上生长FeC2O4·2H2O微纳米棒,然后再利用草酸对微纳米棒中部进行选择性刻蚀制备出FeC2O4·2H2O微纳米管,最后在400℃空气中热氧化处理2h获得Fe2O3微纳米管.XRD及ESEM分析测试表明,热氧化后的微纳米管主要成分为Fe2O3,管径约1μm,管壁厚约100nm,顶端有细小纳米尖,直径约20nm.场发射测试结果表明,Fe2O3微纳米管具有低的开启场强(2.34V/μm),大电流密度(1.5mA/cm2),高的场增强因子(10347)以及良好的发光效果.

关键词: Fe2O3微纳米管 , 场发射 , 草酸处理 , 热氧化

电极化对Ag/PVDF薄膜间相互作用的XPS研究

, 蒋亚东 , 吴志明 , 曾红娟

功能材料

采用X射线光电子能谱(XPS)研究了高压直流电极化前后真空蒸发沉积的金属Ag电极与聚合物PVDF薄膜间的相互作用.高分辨率的Ag3p、C1s和F1s的XPS能谱分析表明:电极化前,由于蒸发Ag电极的凝聚能及HF的挥发,在Ag/PVDF界面处产生了新的CC;高温高压电极化后,由于极化过程中注入的负电荷及Ag的扩散,Ag/PVDF薄膜界面处因蒸发能量形成的F-C基,与Ag之间形成F-C-Ag有机化合物.电极化不仅改善了PVDF薄膜的压电性,还通过界面化学键合作用提高了聚合物薄膜与金属电极间的粘附性.

关键词: Ag , PVDF薄膜 , 电极化 , X射线光电子能谱

热极化和电晕极化铁电PVDF薄膜的成分和结构

, 郭太良 , 蒋亚东 , 黎威志

材料研究学报

用高分辨率X-射线光电子能谱(XPS)研究了热极化和电晕极化的PVDF薄膜的成分和结构的变化。结果表明:PVDF薄膜的热极化和电晕极化反应过程和机理不同。在热极化过程中.高温强电场作用使PVDF薄膜产生了少量的F^-自由基,继而产生HF,形成了新C=C键:怛是,在电晕极化过程中荷能粒子使PVDF产生了H^+自由基。热极化PVDF薄膜的剩余极化值约为3.5μC/cm^2,电晕极化PVDF薄膜的剩余极化值约为3.0μC/cm^2。

关键词: 无机非金属材料 , 热极化 , 电晕极化 , PVDF薄膜 , XPS

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