张锁良
,
贾长江
,
郝彦磊
,
史守山
,
张二鹏
,
李钗
,
娄建忠
,
刘保亭
,
闫小兵
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功地制备出了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜.研究了不同溅射功率对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在80～150 W溅射功率范围内In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着溅射功率的增加,生长速率成线性增加,电阻率逐渐降低.透射光谱显示在350 nm附近出现较陡的吸收边缘,说明In-Ga-Zn-O薄膜在以上溅射功率范围内具有良好的薄膜质量.光学禁带宽度随着溅射功率增加而减小.In-Ga-Zn-O薄膜在500～800nm可见光区平均透过率超过90％.
关键词:
In-Ga-Zn-O薄膜
,
溅射功率
,
电阻率
,
禁带宽度
,
透过率
闫小兵
,
史守山
,
贾长江
,
张二鹏
,
李钗
,
李俊颖
,
娄建忠
,
刘保亭
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法制备Ti金属薄膜作为反应电极,结合脉冲激光沉积法在Pt/Ti/Si衬底上制备了Ti/非晶-SrTiO3-δ (STO)/Pt结构的阻变存储器件单元.器件的有效开关次数可达200次以上.利用5 mV的小电压测量处于高低阻态的器件电阻,发现在经过3.1 ×105 s以后,两种阻态的电阻值均没有明显的变化,说明器件具有较好的保持特性.器件处于高阻态和低阻态的电阻比值可达100倍以上.在9mA的限制电流下,器件的低阻态为500 Ω,有利于降低电路的功耗.氧离子和氧空位的迁移在阻变开关中起到重要的作用,界面层TiOx发挥着氧离子库的作用.阻变开关机制归因为导电细丝(Filaments)的某些部分出现氧化或者还原现象,造成导电细丝的形成和断开.
关键词:
阻变开关
,
STO
,
Ti反应电极
,
开关机制
,
脉冲激光沉积
娄建忠
,
贾长江
,
郝华
,
张二鹏
,
史守山
,
闫小兵
人工晶体学报
采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元.所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应.对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104 s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性.阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解.
关键词:
阻变开关
,
IGZO薄膜
,
Ag电极
,
开关机制
闫小兵
,
张二鹏
,
贾长江
,
史守山
,
娄建忠
,
刘保亭
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧(In-Ga-Zn-O)透明导电薄膜,并对该薄膜进行了真空退火.研究了不同退火温度对In-Ga-Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响.X射线衍射(XRD)表明,在300℃至500℃退火温度范围内,In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构.随着退火温度的增加,薄膜的电阻率先减小后增大.透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500～ 800 nm可见光区平均透过率超过80％,且在350 nm附近表现出较强的紫外吸收特性.经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小,350 ℃最大达到3.91 eV.
关键词:
In-Ga-Zn-O薄膜
,
退火温度
,
磁控溅射
,
光学带隙
王卫星
,
邓军
,
龚庆杰
,
韩志伟
,
吴发富
,
张改侠
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.04.004
豫西地区是中国仅次于胶东地区的第二大产金基地,而熊耳山地区则是豫西重要的黄金成矿带之一.研究区内燕山期五丈山、花山、合峪三大花岗岩体与区内金的成矿作用有着十分密切的关系.从三大岩体与金矿分布、成矿时间、物质来源等方面研究了二者之间的成生关系.研究认为:五丈山、花山、合峪花岗岩体与区内众多金矿床(点)显示出同空间的分布关系;岩体和金矿床均形成于燕山期,成矿与成岩在同阶段或稍晚于成岩阶段;在岩体和矿床铅同位素、硫同位素、氧同位素特征方面,显示出金成矿与五丈山、花山、合峪花岗岩体的同源关系.
关键词:
豫西熊耳山
,
五丈山、花山、合峪花岗岩
,
金成矿
梁艳
,
于世锋
,
陈卫军
,
曹炜
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.10.026
采用电喷雾质谱技术对山奈酚的质谱过程进行了表征,并用量子化学方法对山奈酚的质谱裂解途径进行了理论研究. 依据密度泛函理论,在B3LYP/6-31G(d)水平,对山奈酚的各质谱碎片离子进行了几何结构优化,确定了各碎片的稳定结构;然后,在ROB3LYP/ 6-311 + + G(2d,2p)水平计算了形成各碎片离子所需的键断裂能,进而推导出了山奈酚的质谱碎裂途径. 计算结果显示,山奈酚主要通过C环碎裂而发生裂解,出现碎片m/z 284.7、256.7、228.7、210.7、184.8、168.7和150.7,其中m/z 210.7的碎片离子键断裂能最小,m/z 150.7的碎片离子键断裂能最大,说明前者很容易由母离子碎片形成,后者较难由母离子碎片形成.
关键词:
山奈酚
,
电喷雾质谱
,
裂解途径
,
键断裂能
,
量子化学
郑明贵
,
王文潇
,
蔡嗣经
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2010.09.002
在矿区可持续发展研究现状的基础上,建立了姑山矿区可持续发展能力评价指标体系,综合运用熵值和Delphi法确定了各个评价指标的权重,并将综合指标划分为6个档次,然后对姑山矿区可持续发展能力进行了测算与分析,结果表明:姑山矿区可持续发展能力位于Ⅳ级,为差等级.最后,指出了矿区今后提高可持续发展能力的主要途径.
关键词:
姑山矿区
,
可持续发展
,
评价
