程勇
,
苏勋家
,
侯根良
,
史子良
,
钟长荣
,
邢亚坤
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.000125
采用自蔓延高温合成/单向加压法(SHS/SAP)在机械轴压下制备ZrC陶瓷.研究压力大小对ZrC陶瓷显微结构与致密度的影响以及位移、负荷曲线的变化规律与SHS反应过程之间的关系.利用XRD与SEM研究产物的物相组成和显微结构,采用排液法测定产物的密度,通过万能试验机平台记录位移、负荷曲线.结果表明:产物基体主要由ZrC相组成.压力的增大加速了排气过程.产物内部的孔洞及ZrC晶粒的尺寸呈变小趋势,致密度呈增大的趋势,而压力为80MPa后致密度增大趋势变化不大,由于在SHS反应结束后的最高温度时压力下降较剧烈,在压力为120MPa时产物的致密度也仅为65.7％.位移、负荷曲线反映了SHS反应结束的时间点及之后产物所处的塑性时间段,这为引入自蔓延高温合成/准热等静压法进一步提高陶瓷致密度的工艺参数提供了依据.
关键词:
SHS/SAP
,
ZrC
,
陶瓷
,
压力
程勇
,
苏勋家
,
侯根良
,
钟长荣
,
史子良
,
刑亚坤
稀有金属
在万能材料试验机平台的监控下,采用自蔓延高温合成/单向加压法(SHS/SAP)动态结合自蔓延高温合成/准热等静压法(SHS/PHIP)制备了ZrC陶瓷.研究了位移、负荷曲线变化规律与SHS/PHIP工艺参数之间的关系以及SHS/PHIP压力对产物显微结构与致密度的影响.通过万能材料试验机平台记录了位移、负荷曲线,利用XRD与SEM研究了产物的物相组成和显微结构,采用排液法测定了产物的密度.结果表明:位移、负荷曲线反映出了SHS反应结束的时间点和塑性时间段,可作为SHS/PHIP加压时机和保压时间的参数.随着压力的增大,ZrC晶粒表面挤压变形越加明显,在120 MPa时出现了烧结颈现象.致密度随压力增大呈增大的趋势,最高达到93.7％,其致密机理为晶粒重排和晶粒塑性变形共同作用.
关键词:
SHS/PHIP
,
ZrC
,
陶瓷
,
压力
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
温激鸿
,
韩小云
,
王刚
,
赵宏刚
,
刘耀宗
功能材料
声子晶体是一种新型的声学功能材料,对声子晶体的研究引起了各国研究机构的极大关注.文章介绍了声子晶体的概念及基本特征,阐述了声子晶体禁带机理及声子晶体的各种潜在应用领域,最后对声子晶体的研究发展作了展望.
关键词:
声子晶体
,
弹性波禁带
,
减振降噪
叶振强
,
董源
,
曹炳阳
,
过增元
工程热物理学报
声子是介电固体中导热过程的主要载体,研究声子的黏性对正确预测纳米材料中的非傅里叶导热等现象有着重要意义.本文从热质理论出发,基于涨落耗散理论导出了声子气黏度的表达式:ηh =hv/3πλα,其中ηh表示声子气的黏度,va为声子平均频率,λ为声子波长,α为材料热扩散系数.预测了单晶硅在300 K时的声子气黏度,其参考值为4.8×10-9 Pa·s.并且与基于声子水动力学模型和气体动理论模型的声子气黏度结果进行比较,发现本文模型的结果比声子水动力学模型的结果大2个量级,而比动理论模型小5个量级.
关键词:
声子气黏度
,
热质理论
,
声子气扩散系数
,
声子态密度
成泰民
,
陈曦
,
陈辉
低温物理学报
在二维复式正方Heisenber铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型,利用松原格林函数理论研究了系统T→OK下的磁振子衰减,计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子衰减的变化曲线,比较了磁性离子的与非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的影响以及各项参数的变化对磁振子衰减的影响,发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子衰减起主要作用,尤其是纵向光频支声子对磁振子衰减起更大的作用,并且非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用更显著.根据关系式-Im∑*(1)(k)=h/(2τ)可以对磁振子寿命和磁振子线宽进行判断.
关键词:
光频支声子-磁振子相互作用
,
磁振子衰减
,
绝缘复式正方铁磁体系统
