段镇忠
,
李月南
,
姚永勋
,
栾文洲
,
王媛
,
冯日宝
,
周其
,
古宏伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.04.012
本研究采用溶胶凝胶颗粒包覆技术,将钙铜离子均匀包覆在2212颗粒表面,通过适当的热处理,使包覆层转变为Ca2CuO3+CuO相,同时确保2212相结构稳定,从而获得了均匀混合的装管前驱粉体.详细研究了钙铜溶胶体系的胶凝工艺,2212悬浮体系的稳定性以及Ca2CuO3 成相温区等工艺参数,并利用XRD, SEM等分析手段,研究了粉体的粒度分布,形貌,相组成及其均匀性.
关键词:
溶胶-凝胶
,
Bi-2223
,
包覆前驱粉
王俊平
,
古宏伟
,
吴培钧
,
陈烈
,
杨涛
,
陈珂
,
陈岚峰
,
袁冠森
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.02.014
在SrTiO3 (STO) 双晶衬底上激光沉积YBCO超导薄膜, 并光刻成DC SQUID, 在超导屏蔽和μ合金屏蔽桶两种情况下, 测量了DC SQUID磁强计的噪声, 前种情况下的噪声只是后种情况下噪声的三分之一.
关键词:
超导量子干涉器件
,
磁强计
,
超导屏蔽
,
噪声
王俊平
,
陈烈
,
陈珂
,
吴培钧
,
陈岚峰
,
古宏伟
,
袁冠森
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.04.006
介绍了一种新的高 Tc SQUID无损检测装置和它的应用. SQUID位于金属杜瓦真空夹层中, 既保护了SQUID, 又减小了被测物体与探头之间的距离, 同时提高了系统的分辨率. 本文利用涡流技术和该装置可以探测到板厚为2 mm的无磁多层铝锂合金板中40 mm×4 mm×2 mm的模拟缺陷, 这远远大于常规涡流无损检测的深度.
关键词:
磁强计
,
涡流技术
,
杜瓦
,
无损探测
王小平
,
王霈文
,
李季
,
李弢
,
齐善学
,
华志强
,
古宏伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2003.z1.051
临界电流密度Jc是评价超导薄膜质量的重要参数之一.采用Jc测量装置可以准确、快速、无损检测Φ2～3英寸双面膜的Jc均匀性.该装置是利用高温超导薄膜的超导转变对线圈内感应电压产生的变化这一原理,测量线圈由初级和次级组成.所用信号频率为20kHz.次级信号在同样频率下由锁相放大器检测.测量过程全部由计算机控制.对于超导微波滤波器应用所要求的高质量Φ2～3英寸双面超导薄膜材料,必须具有高的Jc和低的Rs值.采用该装置测量超导薄膜的Jc均匀性,与Rs对应关系进行分析,将有助于超导薄膜的质量控制.
关键词:
彭星煜
,
古宏伟
,
屈飞
,
丁发柱
,
张腾
,
王洪艳
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.05.014
化学水浴法是目前制备CdS薄膜的主流方法之一,其中对溶液实施不同的溶液激发方式会对薄膜的性能产生很大影响.采用4种不同的溶液激发方式:搅拌法、静置法、超声法、摇晃法以化学水浴法沉积了CdS薄膜.采用台阶仪、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等系统地研究了这4种不同的溶液激发方式对CdS薄膜的生长速度、晶体结构与表面形貌的影响.实验结果表明,随着沉积时间增加,CdS薄膜的厚度都会逐渐增加并最终趋于一恒定值.搅拌法与摇晃法制备的CdS薄膜具有更快的生长速度、更大的颗粒尺寸以及更加粗糙的表面形貌.采用静置法沉积薄膜在沉积时间较短时,薄膜表面存在大面积的由尺寸12 nm的小颗粒构成的区域.随着沉积时间增加,该区域面积逐渐减小进而消失.通过对薄膜表面形貌随沉积时间增加的演化过程的研究,在一定浓度下CdS薄膜的生长是离子-离子生长机制.通过对比不同溶液激发方式沉积的CdS薄膜的表面形貌,分析了不同溶液激发方式对CdS薄膜形貌的影响.
关键词:
CdS
,
化学水浴法
,
薄膜
,
生长机制
张华
,
刘慧舟
,
杨坚
,
金薇
,
杨玉卫
,
古宏伟
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2007.03.012
用带有反应溅射装置的走带系统在立方织构的Ni-5% W衬底上连续制备了长10 cm的CeO2隔离层.为避免金属衬底氧化,以H2O作为反应气体.论文主要研究了衬底温度、走带速率对CeO2隔离层外延生长的影响.用X射线θ～2θ扫描,ψ扫描对薄膜的取向和织构进行表征.结果显示在温度650 ℃,走带速度2.5 mm/s的条件下,连续制备的CeO2隔离层有效地继承并改善了基底的织构,平均平面内ψ扫描半高宽为6.18°,扫描电镜(SEM)观察表明薄膜表面致密,且无裂纹生成.
关键词:
反应溅射
,
连续沉积
,
CeO2隔离层
,
NiW衬底
王萍
,
李弢
,
谢波玮
,
古宏伟
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.026
研究了Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备Ba0.7Sr0.3TiO3(BST7/3)薄膜时,基片加热温度和溅射功率对薄膜显微形貌和成相的影响.实验结果表明:常温下低功率溅射的BST7/3薄膜,表面形貌非常平整,但为非晶态物质的堆积;400 ℃高功率150 W溅射4 h的BST薄膜,其最大表面起伏约为40 nm;400 ℃低功率、长时间8 h溅射的BST薄膜,其表面起伏约为12 nm;说明在保证BST充分成相的前提下,可以通过控制溅射功率和时间调控BST薄膜的表面形貌,降低表面粗糙度,使之适于后续器件制备工艺.介电性能测量表明,400 ℃,75 W,8 h溅射获得的BST7/3薄膜体现出典型的位移型铁电体特征;1 kHz薄膜的损耗约为0.04.
关键词:
射频磁控溅射
,
Pt/Ti/SiO2/Si
,
BST薄膜
,
表面形貌
