林娜娜
,
单振华
,
朱崇岭
,
任源
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.09.2015031604
通过采集清远某电子垃圾拆解区6个点位沉积物样品，测定底泥的pH、有机质、4种阴离子、重金属和多氯联苯的含量，研究电子垃圾对附近河流产生的影响及危害．采用原子吸收、离子色谱、气相色谱质谱联用（ GC／MS）分析底泥中重金属、阴离子、PCBs（ Polychlorinated biphenyls）的含量．结果显示，排污两点表层底泥的有机质含量达到11．73％和11．34％；4种阴离子含量为：SO2－4＞Cl－＞F－＞NO－3，SO2－4和Cl－的浓度在排污口表层含量高达320 mg·kg－1和60 mg·kg－1，阴离子含量随深度的增加而降低；排污口表层底泥的重金属Cd、Ni、Pb、Cu、Zn、Cr的含量最高分别能达50．87、967．89、5571．75、15673．09、10075．26、2253．86 mg·kg－1，超出《国家土壤环境质量标准》（GB15618—1995）三级标准；沉积物中PCBs含量在0．36—3．160μg·g－1，以三—五氯为主，约占总量的70％，生态风险大于50％，毒性风险较高．Cd和PCBs是最主要的生态风险因子，在排污口两点除Cd和PCBs外，Pb和Cu的生态风险也很强，RI值高达5000以上，具有极强的生态危害性．
关键词:
电子垃圾
,
盐分
,
重金属
,
多氯联苯
李明德
,
沈根生
金属学报
<正> 单泡(或无泡沫)浮选法是一种在浮选研究领域内广为采用的研究方法。这种方法适用于研究各种浮选药剂(捕收剂、起泡剂和調整剂)对矿物的作用、研究药剂与矿物作用的动力学以及研究各种矿物的可浮性。在研究矿石的可选性时,它也可以用来研究矿物分选的条件。单泡浮选法对于研究具有起泡能力的捕收剂的性貭尤为适用,它可以避
关键词:
王鹏程
,
陈晶
,
陆明
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2010.90575
以甲苯、乙苯、异丙苯、叔丁基苯、氟苯等为硝化底物,通过混酸硝化得到这些单取代芳烃转化率最大时的混酸硝化强度φ. 运用密度泛涵理论,在B3LYP/6-311G* *水平上优化了9种单元芳烃的几何构型,计算苯环上C原子电荷分布. 讨论了9种取代基的定位效应,以苯环取代基以外环上C原子总净电荷QRΣC(2～6)表示单取代苯的硝化反应活性与硝化强度φ之间的关系. 实验结果表明,烷基苯、卤苯、硝基苯的硝化反应活性与其混酸硝化转化率达最大时的混酸硝化强度φ呈良好的线性关系.
关键词:
芳烃
,
混酸硝化
,
量子化学计算
,
定位效应
张晶晶
,
范学良
,
蔡小舒
工程热物理学报
本文提出一种基于单帧单曝光图像的气固两相流固相颗粒的速度场测量方法。通过控制相机的单次曝光时间获得流场中颗粒的单帧运动模糊图像，运用分水岭算法分割图像，提取颗粒，由自相关函数获得各颗粒的速度大小和方向，重建二维速度场。利用该方法对玻璃珠在空气中重力沉降的速度测量结果与理论值基本一致，矢量场与颗粒运动轨迹相符，说明该方法可以用于气固两相流速度场的测量。研究发现使用片光源比背光源能够获得更加准确的速度值。
关键词:
气固两相流
,
速度场
,
运动模糊
,
单帧单曝光
李朝毅
,
段涛
,
杨玉山
材料导报
以氨水为催化剂、正硅酸乙酯为硅源、醇为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶工艺制备单分散SiO2微球,通过扫描电镜、激光粒度分析仪着重研究了正硅酸乙酯添加方式、反应温度、溶剂类型等单因素对SiO2的颗粒大小和形貌的影响.结果表明,正硅酸水解对醇溶剂是有选择性的,乙醇作为溶剂合成SiO2的单分散性和球形度最好.连续滴定和分步滴定更有利于单分散SiO2微球的形成.水解温度升高,生成的颗粒粒径将运渐增大,最佳反应温度为常温25℃或恒温水浴25～35℃.
关键词:
SiO2
,
单分散
,
微球
,
单因素
陈兵
,
张学学
工程热物理学报
本文在单颗粒脱硫缩核模型的基础上分析了晶粒模型,并指出了原有晶粒模型中的不足之处,分析了晶粒初始孔隙率非均匀的原因,建立了一个初始孔隙率沿半径变化的改进晶粒模型.改进后的非均匀模型考虑到颗粒内部初始孔隙率的非均匀性,分析了非均匀初始孔隙率对脱硫效率和脱硫剂利用率的影响,并给出了初始非均匀孔隙率模型的完整的数学描述.
关键词:
干法脱硫
,
晶粒模型
,
孔隙率
,
数学模型
黄成龙
,
张继成
,
易勇
,
曹磊峰
,
王红斌
材料导报
介绍了单级衍射光栅的应用背景及其基本理论,分析了单级衍射光栅与传统黑白透射光栅的不同之处.阐述了单级衍射光栅的制作技术,分析了以电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术为主的工艺路线的优缺点.综述了X光单级衍射光栅的发展历程以及存在的问题,并指出了其未来的研究方向.
关键词:
X光单级衍射光栅
,
黑白透射光栅
,
电子束光刻
,
X射线光刻
郭连权
,
韩东
,
马贺
,
宋开颜
,
武鹤楠
,
王帅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2007.04.029
本文以Maxwell电磁场理论为基础,对金属型单壁碳纳米管场发射阴极尖端附近的电场进行了计算,给出了不同结构单壁碳纳米管尖端附近的电场分布,发现场强沿管的径向及轴向方向随与管尖端距离的增加而迅速下降,说明了碳纳米管产生的激发场为极强的小范围局域场.通过计算不同几何尺寸单壁碳纳米管的场增强因子随其长度、半径的变化曲线,发现单壁碳纳米管的场增强因子数值非常大,并且根据曲线的变化规律可知,越细越长的单壁碳纳米管具有更大的场增强因子,同时也表明了单壁碳纳米管作为场发射阴极具有低的阈值和大的发射电流密度.本文所得结果为单壁碳纳米管做场发射材料提供了理论参考.
关键词:
单壁碳纳米管
,
场增强因子
,
阈值
,
场发射
