刘鸿志
,
甘文君
,
葛韬
,
沈静
,
倪乐韩
,
金玉树
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2005.04.001
为获得高韧性环氧树脂,合成了异氰酸酯封端的聚氨酯预聚体,用两端含羟乙基的直链有机硅(PDMS)和二羟甲基丙酸(DMPA)进行扩链改性,得到羟基封端的有机硅改性的含羧基的聚氨酯齐聚物,用此齐聚物作为增韧剂去接枝改性环氧树脂,然后用甲基四氢苯酐进行固化,得到了聚氨酯(PU)/环氧树脂(EP)互穿聚合物网络.用红外光谱和扫描电镜研究了互穿聚合物网络形成的动力学和微相分离行为;用动态力学分析和摆锤冲击实验等考察了不同配比下IPN的力学性能;用热失重分析研究了材料的耐热性.结果表明:PU/EP在一定的配比范围内可以得到冲击强度、模量及耐热性同时得到提高的复合材料.
关键词:
聚氨酯齐聚物
,
聚二甲基硅氧烷
,
环氧树脂
,
增韧
,
互穿聚合物网络
陈月辉
,
陈思浩
,
刘鸿志
,
甘文君
,
张燕
,
施克炜
绝缘材料
doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2002.01.004
本文介绍一种涂布环氧树脂胶粘剂的绝缘薄膜,此复合膜主要用作干式变压器层间绝缘及电磁线绕组线的粘接.测试数据表明其表观分解温度为223℃,温度指数为159,薄膜的其它各项性能指标均能满足F级绝缘材料的要求.
关键词:
干式变压器
,
环氧树脂
,
粘接
,
复合膜
,
绝缘材料
刘鸿志
,
甘文君
,
沈静
,
葛韬
,
金玉树
,
倪乐韩
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2006.04.015
用二羟甲基丙酸对异氰酸酯封端的有机硅改性的聚氨酯预聚体进行扩链,得到异氰酸酯封端的有机硅改性的含羧基的聚氨酯齐聚物.以此齐聚物作为增韧剂接枝改性环氧树脂,用3,3'-二氯-4,4'-二氨基二苯甲烷(MOCA)进行固化,得到了聚氨酯(PU)/环氧树脂(EP)互穿聚合物网络(IPN).用FTIR和SEM测试技术研究了IPN形成的动力学和微相分离行为;用动态力学分析(DMA)考察了不同配比下IPN的力学性能;用TGA研究了材料的热稳定性.结果表明,当PU齐聚物的质量分数为25%时,所生成材料的抗冲强度为23.58 kg/m2,玻璃态模量为1×103 MPa,比纯环氧树脂的相应值分别提高了116.7%和近100%;而5%的质量热损失温度(362℃)几乎保持不变.
关键词:
聚氨酯齐聚物
,
聚二甲基硅氧烷
,
环氧树脂
,
增韧
,
IPN
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(刘等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
金属学报
<正> 我国古代冶铁技术发展史上,两汉是一个重要的发展时期。无论从冶铁业的规模、冶铸技术的进步还是铁器的广泛使用,都明显地进入到一个新的阶段。这对于以后社会的政治、军事、经济以及科学技术的发展,都有深远的影响。“人民,只有人民,才是创造世界历史的动力。”冶铁技术在西汉时期迅速发展,首先是由于劳动人民在生产实践中的创造。加之公元前二○九年,陈胜、吴广领导农民揭
关键词:
刘宗昌
,
计云萍
,
任慧平
,
袁长军
,
段宝玉
材料热处理学报
贝氏体铁索体在晶界形核的新观察验证了形核的一般规律.依据试验观察,理论计算得贝氏体临界晶核尺寸和形核功为:a*=16.7 nm;b*=25 nm,△G*=270 J·mol-1,此值合理.奥氏体中贫碳区的存在是普遍事实,试验也测得贝氏体相变孕育期内形成了贫碳区;不能将Spinodal分解与奥氏体中形成贫碳区和富碳区混为一谈.涨落是相变的契机,在孕育期内奥氏体中必由于涨落而形成贫碳区.阐述了非协同热激活跃迁形核机制.大量TTT图分析和实测均表明贝氏体铁索体形核-长大不可能以扩散方式进行.
关键词:
贝氏体铁素体
,
晶界形核
,
扩散
,
切变
,
热激活跃迁