刘越峰
,
郑海务
,
张伟风
,
顾玉宗
,
李银丽
,
张华荣
功能材料
采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征.实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒的形成机理.测试了YMnO3纳米棒的M-T曲线,观察到了由表面未补偿自旋引起的自旋玻璃态.
关键词:
YMnO3
,
纳米棒
,
水热法
,
微结构
,
磁性
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
刘越峰
,
郑海务
,
张华荣
,
王超
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
采用化学溶液法在 SiC/Si 上制备了YMnO3 薄膜.XRD 结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长.拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3.以 Pt 为顶电极,测试了 YMnO3 薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3 薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
SiC/Si
,
电滞回线
康兰兰
,
郭兴
,
王蓉
,
康智慧
,
高锦岳
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0810
载流子迁移率是半导体材料的一项重要参数,而有机材料的载流子迁移率较低,限制了一些传统方法的使用.文章建立了一套用于测量有机材料载流子迁移率的渡越时间(TOF)法实验系统,着重介绍了实验系统中各元件的作用及要求,实验关键技术参数等.该实验系统的主要特点是把激发光源同时作为外触发光源,消除实验中杂散信号的干扰,得到清晰的信号.同时利用实验系统对无机材料Se,有机共轭聚合物材料MEH PPV的载流子迁移率进行测量,结果表明:该实验系统组建方便,快捷,可以较好用于测量有机材料低载流子迁移率,具有一定的实用价值.
关键词:
渡越时间
,
载流子迁移率
,
Se
,
MEH-PPV
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
姜燕丹
,
王保良
,
黄志尧
,
冀海峰
,
李海青
工程热物理学报
本文针对超声波气体流量计,提出了一种基于模型的超声波渡越时间测量的新方法.该方法首先通过超声波接收探头获取声波信号,然后建立超声波接收信号从起振到稳定的数学模型,最后通过模型参数拟合得到渡越时间参数最优值.作为初步研究,在内径100 mm管径下分别进行了静态和动态渡越时间测量实验.研究结果表明,建立的超声波接收信号的模型是有效的,提出的基于模型的超声波气体流量计渡越时间测量方法是可行的.
关键词:
超声波气体流量计
,
渡越时间测量
,
数学模型
,
参数拟合
吴涛
,
祝大龙
,
徐金平
,
王霄
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.03.004
本文给出了准确描述硅雪崩渡越时间二极管工作特性的大信号仿真模型,研究了影响硅雪崩越时间(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二极管工作状态的离化率和饱和漂移速度,考虑Si-IMPATT二极管热限制的条件下,计算了二极管的最大工作电流.通过大信号仿真分析,我们得到如下结果:(1)随着温度的降低,二极管输出功率提高;(2)随着温度的降低,二极管工作频率向高端偏移,本文还建立了液氮制冷环境下IMPATT振荡器的测试系统,与常温工作相比,77K低温环境下IMPATT二极管的输出功率提高了47.8%,频率也向高端偏移了6.3%,实验结果与仿真预测一致.
关键词:
太赫兹
,
硅崩越二极管
,
低温
,
频率特性
,
功率特性
