刘良
,
冯丹
,
郭金彪
,
汉继程
材料保护
炼厂塔顶系统多为典型的HCl-H2S-H2O腐蚀环境，常采用有机胺中和剂来改善系统的防腐蚀性能，但对其详细作用过程研究不够。为此，利用极化曲线和电化学阻抗，结合扫描电镜和能谱分析，研究了三乙烯四胺（TETA）对20钢在90℃的HCl-H2S-H2O溶液中的缓蚀作用。结果表明：中和缓蚀剂TETA的加入可有效地抑制20钢的腐蚀；当pH值为5．0-6．5时，TETA具有最优的缓蚀效果，电极表面形成的腐蚀产物膜比较致密，对腐蚀过程起到了抑制作用；当pH值为7．0～8．8时，20钢的腐蚀速率又加快，可能是由于金属表面形成的腐蚀产物变得疏松、易于破裂和脱落，使得其保护作用降低，同时金属表面出现点蚀等局部腐蚀现象所致。
关键词:
TETA
,
缓蚀作用
,
中和缓蚀剂
,
H2S
,
HCl
刘良
,
吴佳
腐蚀与防护
采用化学分析、宏观观察、扫描电镜及能谱分析等手段,分析了兰州石化500万t/a常减压装置常顶空冷器A-102/8出口线集合管爆管段腐蚀泄漏原因.结果表明,爆管原因是严重的酸性水腐蚀与物流的冲刷作用.该空冷器系统布置不合理造成物流偏流、分配不均,当物流通过分配管时,大量的汽相移向后程,使后程空冷器A-102/5～8中气相比例增大,由于后程空冷器供水不足,气相中H2S在冷凝、溶解过程中,形成高浓度的酸性水溶液,加之所注水溶性中和缓蚀剂在后程空冷器中缓蚀作用的弱化,酸性水溶液没有被均匀中和而形成严重了酸性腐蚀环境,并伴随物流的冲刷作用导致失效.同时,据此提出了相应的建议.
关键词:
空冷器
,
偏流
,
冲刷腐蚀
刘良
,
缪磊
,
汉继程
腐蚀与防护
利用极化曲线和电化学阻抗,结合扫描电镜和能谱分析,对20号钢在90℃HCl-H2S-H2O溶液中的腐蚀行为进行了研究.结果表明,当溶液中存在H2S时,电极表面形成的FeS膜对HCl的侵蚀具有一定的阻碍作用；随H2S浓度的增加,膜电阻、电荷转移电阻逐渐减小,说明膜的敛密性下降,腐蚀加重；当溶液中HCl较高时,FeS膜出现脱落现象,且随着HCl浓度的增加,膜的致密性逐渐降低,保护作用下降,导致腐蚀速率增加.
关键词:
腐蚀
,
硫化氢
,
氯化氢
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
徐祖耀
材料热处理学报
刘文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者（刘等）的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。刘等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在刘文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。
关键词:
贝氏体形核
,
扩散机制
,
切变机制
,
贫碳区
蔡敏敏
,
李国霞
,
赵维娟
,
李融武
,
赵文军
,
承焕生
,
郭敏
硅酸盐通报
利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和刘家门窑青瓷釉基本能很好的区分；但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、刘家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和刘家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.
关键词:
汝官瓷
,
张公巷窑青瓷
,
刘家门窑青瓷
,
判别分析
肖朋飞
,
赵红梅
,
李融武
,
赵文军
,
李国霞
,
赵维娟
,
承焕生
硅酸盐通报
本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个刘家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和刘家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.
关键词:
汝官瓷
,
钧官瓷
,
刘家门窑青瓷
,
PIXE
,
因子分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
