李炎
,
孙鸣
,
李洪波
,
刘玉岭
,
王傲尘
,
何彦刚
,
闫辰奇
,
张金
表面技术
目的：探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。
关键词:
碱性研磨液
,
铜CMP
,
TSV技术
,
FA/O型螯合剂
,
表面粗糙度
李炎
,
刘玉岭
,
卜小峰
,
孙铭斌
,
杨志欣
,
张男男
,
张玉峰
,
程川
表面技术
目的：研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺,并通过研究优化的清洗条件对不同类型铜晶圆表面划伤、残留颗粒的清洗效果,验证该清洗剂的清洗性能。结果优化的清洗剂组分和清洗工艺为：金属离子螯合剂体积分数0.025%,表面活性剂体积分数0.1%；清洗剂温度30℃,清洗剂流量3 L/ min。优化的复合清洗剂能大幅度降低铜膜表面划伤和表面粗糙度,对铜膜表面残留的颗粒有较强的去除作用。结论优化的复合清洗剂能够对不同类型铜晶圆表面缺陷进行大幅度的修正,研究成果对提高大规模生产中晶圆的成品率有一定的指导作用。
关键词:
复合清洗剂
,
大分子螯合剂
,
表面活性剂
,
铜膜
,
腐蚀速率
李炎
,
刘玉岭
,
李洪波
,
唐继英
,
樊世燕
,
闫辰奇
,
张金
电镀与涂饰
介绍了一种用于铜膜化学机械抛光的多元胺醇型非离子表面活性剂。研究了该表面活性剂对抛光液表面张力、黏度、粒径、抛光速率和抛光后铜的表面状态的影响。抛光液的基本组成和工艺条件为：SiO20.5%，H2O20.5%，FA/OII 型螯合剂5%(以上均为体积分数)，工作压力2 psi，抛头转速60 r/min，抛盘转速65 r/min，抛光液流量150 mL/min，抛光时间3 min，抛光温度21°C。结果表明，微量表面活性剂的加入能显著降低抛光液的表面张力并大幅提高抛光液的稳定性，但对静置24 h后抛光液黏度的影响不大。表面活性剂含量为0%~2%时，随其含量增大，化学机械抛光速率减小，抛光面的粗糙度降低。
关键词:
铜
,
化学机械抛光
,
非离子表面活性剂
,
表面张力
,
黏度
,
粒径
李炎
,
刘玉岭
,
李洪波
,
樊世燕
,
唐继英
,
闫辰奇
,
张金
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009
对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.
关键词:
化学机械抛光
,
碱性抛光液
,
磨料
,
片内速率非均匀性
,
表面粗糙度
,
铜膜
孙继兵
,
崔春翔
,
王如
,
张颖
,
刘玉岭
,
李林
,
杨伟
功能材料
采用HDDR及氮化工艺制备了Sm2Fe16.5Ti0.5Ny粉末.铸态Sm2Fe16.5Ti0.5合金存在择优取向,Sm2(Fe,Ti)17主相的214衍射峰增强.均匀化退火后,只有约0.6%的α-Fe(Ti)相与主相Sm2(Fe,Ti)17共存.经不同循环的HDDR工艺处理后,物相组成不发生变化,但α-Fe(Ti)相含量增加.HDDR工艺有助于获得细晶结构,提高磁粉的矫顽力.HDDR处理的合金的氮化由初期的Sm-Fe-Ti合金与氮快速反应阶段及后期氮在合金中的均匀化扩散阶段组成.随着氮化时间的延长,富铁相含量增加.氮化物中Sm2(Fe,Ti)17Ny主相的晶格膨胀行为由HDDR与氮化工艺共同决定.在500℃氮化2h后,796kA/m最大外场下得到的最大矫顽力为164.9kA/m,氮化12h时后得到最大剩磁45.7Am2/kg.
关键词:
Sm2Fe16.5Ti0.5
,
HDDR
,
结构
,
氮化
,
磁性能
郑伟艳
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
串利伟
,
魏文浩
,
岳红维
,
曹冠龙
功能材料
随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化（CMP）须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性（WIWNU）为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低（0.178nm）,表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
关键词:
低压
,
碱性
,
铜布线化学机械平坦化
,
高低差
,
速率
闫辰奇
,
刘玉岭
,
张金
,
张文霞
,
王辰伟
,
何平
,
潘国峰
电镀与涂饰
研究了一种多元胺醇型非离子表面活性剂对铜化学机械抛光(CMP)液粒径及分散度、抛光速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度的影响.抛光液的基本组成和工艺条件为:SiO2(粒径60 ～ 70 nm) 5％(体积分数,下同),多羟多胺螯合剂3％,30％(质量分数)过氧化氢3％,工作压力1 psi,背压1 psi,抛头转速87 r/min,抛盘转速93 r/min,抛光液流量300 mL/min,抛光时间60 s,抛光温度23℃.结果表明,表面活性剂的引入可提高抛光液的稳定性.当表面活性剂含量为3％时,抛光速率、抛光后碟形坑高度、表面非均匀性和表面粗糙度分别为614.86 nm/min、76.5 nm、3.26％和0.483 nm,对铜晶圆的平坦化效果最好.
关键词:
铜
,
晶圆
,
化学机械抛光
,
平坦化
,
非离子型表面活性剂
,
机理
刘效岩
,
刘玉岭
,
梁艳
,
赵之雯
,
胡轶
,
赵东磊
功能材料
纳米SiO2是一种性能优越的功能材料,化学机械抛光(CMP)过程的精确控制在很大程度上取决于对纳米SiO2功能的认识.但是目前对碱性纳米SiO2在CMP过程中的功能还没有完全弄清楚,探讨它在CMP中作用是提高CMP技术水平的前提.纳米SiO2溶胶的表面效应使其表面存在大量的羟基,在CMP过程中纳米SiO2表面羟基与碱反应生成硅酸负离子,硅酸负离子再与硅反应来降低纳米SiO2的表面能量,同时达到除去硅的目的.综上所述,碱性纳米SiO2在CMP的过程中不仅起到了磨料的作用,同时参加了化学反应,在此基础上提出了在碱性条件下纳米SiO2与硅的反应机理.
关键词:
纳米SiO2溶胶
,
化学机械抛光
,
表面效应
,
pH值
,
化学反应模型
于江勇
,
刘玉岭
,
牛新环
,
李英的
,
夏显召
功能材料
分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.
关键词:
蓝宝石衬底
,
化学机械抛光
,
混合磨料
,
去除速率
