孙甲明
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张俊杰
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杨阳
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张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况.通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm、543 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性.在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化Ⅲ-V族半导体发光二极管的水平.
关键词:
半导体光电子
,
电致发光
,
MOS器件
,
稀土离子
,
二氧化硅
张俊杰
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孙甲明
,
杨阳
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响.随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用.相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率.
关键词:
铒
,
电致发光
,
光致发光
,
二氧化硅
,
纳米硅
杨阳
,
孙甲明
,
张俊杰
,
张新霞
,
刘海旭
,
材料科学与工程学报
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响.随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级.在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰.随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应.
关键词:
束缚激子
,
离子注入
,
硼
,
退火
,
调制掺杂
张新霞
,
孙甲明
,
张俊杰
,
杨阳
,
刘海旭
材料科学与工程学报
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性.以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光.Si/SiO2超晶格的电致发光亮度随电压升高呈现指数增强,最高发光亮度可达到1.4cd/m2.随着Si层厚度的增加,Si/SiO2超晶格电致发光谱的低能侧发光峰相对增强,可以归结为纳米Si层厚度对其中硅量子点尺寸分布的限制作用.当超品格中SiO2层厚度小于过热电子的平均自由程时,过热电子的平均能量减小导致短波侧的发光强度迅速下降,电致发光强度随之迅速降低.
关键词:
超晶格
,
电致发光
,
Si量子点
,
电子平均自由程
肖万峰
,
李光明
,
黄瀚霄
,
马东
,
张智林
,
曲扎
黄金
doi:10.11792/hj20131005
班公湖-怒江成矿带跨班公湖-怒江缝合带两侧，是近年来发现的一条重要的多金属成矿带。商旭金矿床位于班公湖-怒江缝合带中段，主要矿体呈透镜状或脉状产于中-下侏罗统木嘎岗日群浅变质海相复理石建造中，受近东西向断裂构造控制。矿石类型以石英脉型为主，其次为蚀变岩型，近矿围岩蚀变较弱，蚀变类型包括硅化、绢云母化、绿泥石化、碳酸盐化等。矿石中金属矿物主要为自然金、黄铁矿及方铅矿；脉石矿物以石英、方解石以及黏土矿物为主。初步研究表明，该矿床主要受地层及构造因素控制，成因类型为造山型金矿床。在此基础上，初步总结了矿区的主要找矿标志，包括岩性及构造标志、蚀变标志、硫化物标志、化探异常及古采矿遗迹标志等，并认为区域上存在找到商旭式金矿床的可能。
关键词:
商旭金矿床
,
地质特征
,
控矿因素
,
矿床成因
,
找矿标志
,
藏北
刘军梅
,
王海林
电镀与涂饰
分别在电流密度2 A/dm2和20 A/dm2下，考察了美国杜邦的N117CS型离子交换膜、国产科润的Nepem-417型离子交换膜以及日本旭硝子的HSF型氢离子选择透过膜电解溶锡时的电流效率、锡利用率以及离子交换膜对 Sn2+的阻隔率。结果表明，电流密度为2 A/dm2时，3种离子交换膜电解溶锡的电流效率、锡利用率以及三者对 Sn2+的阻隔率均相差不大；但电流密度为20 A/dm2、且保证Sn2+质量浓度为(28±2) g/L时，旭硝子HSF 型离子交换膜的各项性能都比另外两种离子交换膜理想，电流效率84.16%，锡利用率94.82%，对Sn2+的阻隔率96.24%。因此镀锡板生产中电解溶锡时宜选用HSF型离子交换膜。
关键词:
镀锡
,
溶锡
,
电解
,
离子交换膜
,
阻隔率
,
电流效率
,
锡利用率
桂南
,
樊建人
工程热物理学报
本文采用离散颗粒单元法对流化床内颗粒运动及其与固定埋管受热面的相互作用进行颗粒直接数值模拟,其中颗粒之间的碰撞采用Tsuji等提出的软球碰撞模型处理,而流场的计算采用大涡模拟,其亚网格应力为Smagorinsky涡黏性模型,流动工况为两维鼓泡流化床.磨损量的估计是基于祝京旭等人的埋管磨损试验研究的结论,并结合本文数值模拟的结果,揭示了流化床埋管磨损量及其分布的若干规律.
关键词:
流化床
,
埋管磨损量
,
离散单元法
,
大涡模拟
杨晓宾
,
王筠松
,
郭耘
,
郭杨龙
,
王丽
,
詹望成
,
卢冠忠
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20170108
La,Ce是丰度最高的稀土元素,主要用于催化和抛光材料.研究了从稀土盐到含F的La-Ce复合氧化物的制备过程,以及La/Ce比例、氟化过程、干燥过程及焙烧温度等对制备的含氟镧铈复合氧化物结构、粒径和形貌的影响.结果表明,用NaF 90℃氟化2h,经喷雾干燥,采用分段焙烧技术,最终经850℃焙烧后可制备出颗粒分布均匀、团聚少、呈椭球形的含F的La-Ce铈复合氧化物.制备的样品用于旭硝子玻璃的研磨抛光,测得切削率0.115 mm/20 min,样品合格率约为90％.
关键词:
含F的La-Ce复合氧化物
,
制备
,
喷雾干燥
,
形貌
,
抛光性能
