刘梅冬
,
陈实
,
曾亦可
,
饶韫华
,
李楚容
,
陈磊
,
潘晓光
,
邓传益
功能材料
用改进的溶胶-凝胶旋转涂覆技术,在Pt/Ti/SIO/Si基片上研制出1-2μm厚,具有钙钛矿型结构的PbTiO、PLT和PZT铅基铁电薄膜.该类铁电薄膜具有良好的结晶特性、优异的介电和热释电性能.
关键词:
铁电薄膜
,
溶胶-凝胶技术
,
介电性
,
热释电性
刘少波
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
夏冬林
,
黄焱球
,
李军
,
郭明金
材料导报
归纳了非致冷红外焦平面阵列(UFPA)技术自提出、发展直至趋于成熟以来,国内外曾研究报道过的近百种热电型探测材料,对其中前景看好的Si、Ti、VOx等微测辐射热计材料和(Ba、Sr)TiO3等热释电材料进行了重点评述.
关键词:
非致冷红外焦平面阵列
,
热释电
,
微测辐射热计
,
薄膜
李元昕
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
姜胜林
,
邓传益
材料导报
PST铁电薄膜是一种具有优良铁电、热释电和介电等性能的铁电材料.该材料在红外探测器、红外焦平面阵列、热成像器件、非易失性铁电存储器和大容量电容器等方面具有广泛的应用.PST铁电薄膜的制备方法多种多样,各具优缺点,不同的制备工艺对薄膜的性能有影响.叙述了PST铁电薄膜的制备技术、电性能和在热释电红外探测器方面的应用.
关键词:
PST薄膜
,
制备工艺
,
铁电性
,
热释电性
,
介电性
黄焱球
,
刘梅冬
,
李珍
,
曾亦可
功能材料
利用拉曼光谱结合X射线衍射分析对未掺杂和掺杂的ZnO薄膜、陶瓷薄膜进行了研究.ZnO薄膜及ZnO陶瓷薄膜均由sol-gel法制备,掺杂组份有Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3等.结果表明,未掺杂的薄膜的ZnO主晶相均表现出显著的定向生长特征,其拉曼光谱特征谱峰为437cm-1,谱峰强度随薄膜退火温度的提高略有增强.掺杂后ZnO的拉曼谱峰发生了红移.掺Bi2O3后ZnO的拉曼谱峰由347cm-1移质移至434cm-1,掺Sb2O3后ZnO的拉曼谱峰移至435cm-1,而掺杂Bi2Os、Sb2O3、MnO和Cr2O3等组份的ZnO陶瓷薄膜的ZnO拉曼谱峰则移至434cm-1,说明掺杂元素进入了ZnO晶格,引起了晶格的变化.ZnO薄膜性能不仅受次晶相组成的影响,而且受因掺杂元素进入而引起的ZnO晶格畸变的影响.
关键词:
ZnO薄膜
,
晶体结构
,
拉曼光谱
陈实
,
姜胜林
,
曾亦可
,
邓传益
,
刘梅冬
功能材料
通过傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、1H和13C核磁共振波谱(NMR)对制备PZT铁电薄膜的Sol-Gel化学反应过程进行了分析.结果表明,采用硝酸氧锆(ZrO(NO3)2·2H2O)为锆源并使用单一溶剂制备PZT铁电薄膜,溶胶-凝胶化过程中化学反应相对简单,多组分系统稳定性较高,工艺条件易于控制,所制备的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀.
关键词:
硝酸氧锆
,
PZT铁电薄膜
,
sol-gel方法
,
化学反应过程
张弛
,
刘梅冬
,
曾亦可
,
刘少波
,
黄焱球
材料导报
综述了VO2薄膜的制备工艺,着重探讨了热处理工艺和条件对其性能的影响,并介绍了它的最新应用情况.
关键词:
VO2薄膜
,
制备工艺
,
热处理
,
非制冷红外焦平面
,
光阀
,
激光器反射镜
夏冬林
,
刘梅冬
,
徐慢
,
赵修建
材料导报
铁电薄、厚膜材料具有良好的铁电、压电、热释电、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用.近年来,随着铁电薄、厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点.介绍了PZT铁电薄、厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄、厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄、厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向.
关键词:
PZT
,
铁电薄膜
,
铁电厚膜
,
制备技术
姜胜林
,
林汝湛
,
曾亦可
,
刘梅冬
材料研究学报
应用新型溶胶--凝胶法制备了ZnO陶瓷薄膜,
研究了退火温度对ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻电性能的影响. 结果表明,
采用溶胶掺杂在550℃退火条件下可形成Zn$_{7}$Sb$_{2}$O$_{12}$及ZnCr$_{2}$O$_{4}$相,
且在退火温度范围内(550$\sim$950℃)基本上没有焦绿石相形成. 当退火温度达到750℃以后,
Sb$_{2}$O$_{3}$已全部转变为稳定性好的尖晶石相, 同时存在Bi$_{2}$O$_{3}$、
ZnO的挥发. 采用适当的退火温度, 可得到具有优良电性能的ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻,
其压敏电压低于5 V, 非线性系数可达20, 漏电流密度小于0.5 $\mu$A/mm$^{2}$.
关键词:
无机非金属材料
,
a novel sol-gel process
,
annealing temperature
夏冬林
,
刘梅冬
,
赵修建
,
周学东
无机材料学报
以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.
关键词:
锆钛酸铅（PZT）薄膜
,
PT seedings
,
sol-gel processing
,
rapid thermal annealing
,
hysteresis loop
,
Ⅰ-Ⅴ characteristic
