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紫外光激发Ce3+掺YVO4蓝光发射性能研究

张守超 , 阮永丰 , 贾国治 , 冯志辉 , , 裴利斌

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140060

利用提拉法生长了YVO4和掺2.0at% CeO2(或Ce2(CO3)3)的YVO4∶ Ce3+晶体.样品的XRD测试表明Ce3+代替Y3+进入晶格,Ce3+的加入并没有影响YVO4的晶格结构.XPS测试显示YVO4∶Ce3+晶体中Ce离子3d分裂为882.0、885.8、902.9、908.0和915.9 eV等5个峰,峰位表明样品中铈离子是以Ce3+和Ce4+两种价态形式存在.YVO4和YVO4∶ Ce3+激发谱都呈现出260~360nm宽带激发,此激发带源于基质中VO43-离子团的配体O到V的电荷迁移吸收.使用325nm的紫外线激发时,两种样品均可发出以440 nm为中心的宽带蓝光,其中YVO4发射峰应归属于VO43-离子团中3T2→1A1和3T1→1A1跃迁;而YVO4∶ Ce3+的蓝光发射则来源于Ce3+的5d→4f的跃迁.分析可知YVO4∶ Ce3+中VO43-的π轨道和Ce3+的电子波函数能有效地重叠,使得VO43-和Ce3+可通过交换作用有效地向Ce3+传递能量,可大幅提高Ce3+的蓝光发射强度.实验结果显示YVO4∶ Ce3+可作为UV-LED管芯激发的白光发光二极管用高亮度蓝色发光材料.

关键词: YVO4∶Ce3+ , 蓝光发射 , 紫外激发 , 能量传递 , 白光LED

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

, 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

晶研究的发展现状

黄琼 , 赵珊茸

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.014

本文主要介绍了晶研究的发展现状,主要包括晶形貌研究和生长理论研究两个方面.晶形貌方面:对生长形态选择问题,比较符合实际的解是"最大质量沉积速率"选择规律;晶分枝程度与过冷度和晶体对称性有关,分枝反映晶体的对称性.生长理论方面主要介绍三种生长模型:Zener近似因子模型,扩散限制聚集(DLA)模型和成核限制聚集(NLA)模型.并探讨了需进一步研究的两个方面:具对称结构的晶的生长机理和晶形貌的统一规范化描述.

关键词: , 晶形貌 , 晶生长 , 晶尖端

晶生长的数值模拟

朱鸣芳 , , , 孙国雄 , 洪俊杓

金属学报

对朱、洪已发展的一种微观尺度cellular automaton(CA)模型做了进一步改进. 在改进的模型中用二元合金的Gibbs-Thomson方程建立固/液界面的平衡关系. 考虑了动力学和表面能各向异性对晶择优生长方向的影响. 应用改进的模型 模拟了不同择优取向的单晶在过冷熔体中的自由生长、定向凝固过程中柱状 晶的竞争生长以及等轴晶的演变过程. 模拟结果表明, 改进后的模型成功地模 拟出各种不同择优取向的单晶和多晶的生长形貌.

关键词: 晶生长 , modeling

晶生长的数值模拟

朱鸣芳 , 陈晋 , 孙国雄 , 洪俊杓

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2005.06.005

对朱、洪已发展的一种微观尺度cellular automaton(CA)模型做了进一步改进.在改进的模型中用二元合金的Gibbs-Thomson方程建立固/液界面的平衡关系.考虑了动力学和表面能各向异性对晶择优生长方向的影响.应用改进的模型模拟了不同择优取向的单晶在过冷熔体中的自由生长、定向凝固过程中柱状晶的竞争生长以及等轴晶的演变过程.模拟结果表明,改进后的模型成功地模拟出各种不同择优取向的单晶和多晶的生长形貌.

关键词: 晶生长,数值模拟,cellular automaton 模型

铸造镁合金的晶生长模拟

志勇 , 许庆彦 , 柳百成

金属学报

根据hcp晶体学结构和优先生长方向, 建立了铸造镁合金晶体生长的物理模型, 提出了一种新的随机性模拟方法——虚拟生长中心计算模型. 模型考虑了晶生长动力学、各向异性和二次晶臂粗化, 采用晶形状函数揭示了一 次晶和二次晶的生长演化过程. 引入坐标变换技术可更快速准确计算任意晶向晶的生长捕获. 耦合了微观溶质场计算, 得到了更准确的晶生长形貌和溶质分布情况. 对Mg-Al合金定向凝固和等轴晶生长的模拟验证了本模型的正确性.

关键词: 数值模拟 , Magnesium alloy , Dendrite growth , Compact hexagonal

铸造镁合金的晶生长模拟

志勇 , 许庆彦 , 柳百成

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.04.007

根据hcp晶体学结构和优先生长方向,建立了铸造镁合金晶体生长的物理模型,提出了一种新的随机性模拟方法--虚拟生长中心计算模型.模型考虑了晶生长动力学、各向异性和二次晶臂粗化,采用晶形状函数揭示了一次晶和二次晶的生长演化过程.引入坐标变换技术可更快速准确计算任意晶向晶的生长捕获.耦合了微观溶质场计算,得到了更准确的晶生长形貌和溶质分布情况.对Mg-Al合金定向凝固和等轴晶生长的模拟验证了本模型的正确性.

关键词: 数值模拟 , hcp晶体 , 晶生长 , 镁合金

相场方法模拟氙晶生长研究

陈志 , 陈长乐 , 郝丽梅

功能材料

基于相场方法对纯物质的凝固过程进行了二维数值模拟.以氙为例,展示了界面形貌的演化过程,研究了相场参数对晶界面形貌的影响.结果表明,随着过冷度值的增加,晶核由一圆核逐渐发展为发达的晶,相应的晶稳态尖端速度明显加快;随着耦合系数的增大,晶核由一圆核发展为细长的晶,晶的稳态尖端速度呈单调递增趋势,界面的稳定性逐渐变差.

关键词: 相场方法 , , 晶生长 , 尖端速度 , 各向异性 , 过冷度

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