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四步法制备高质量硅基砷化镓薄膜

广政 , 徐波 , 叶晓玲 , , 王占国

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160120

为了提高在硅基上外延砷化镓薄膜的质量和实验的可重复性,我们提出了一种叫做四步生长法的新方法,该方法是通过在低温成核层和高温外延层中间先后插入低温缓冲层和高温缓冲层实现的.通过此方法,可以制备出表面具有单畴结构、在强白光下依然光亮如镜、粗糙度低且缺陷少的高质量砷化镓薄膜,而且此方法的重复性很好.即便没有任何生长后的退火处理,外延出的1 μm厚砷化镓薄膜在5 μm×5μm扫描区域内的表面粗糙度只有2.1 nm,且由X射线双晶衍射测试出的砷化镓(004)的半高宽只有210.6 arcsec.

关键词: 硅基砷化镓 , 四步生长法 , 缓冲层 , 分子束外延

1.08μmInAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

钱家骏 , 叶小玲 , 徐波 , 韩勤 , 陈涌海 , 丁鼎 , 梁基本 , , 张金福 , 张秀兰 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.

关键词: InAs/GaAs应变自组装量子点材料 , 量子点激光器 , 电致发光谱(EL) , MBE外延生长

二次退火制备III-V族半导体量子点

肖虎 , 孟宪权 , 朱振华 , 金鹏 , , 王占国

人工晶体学报

利用离子注入法在一块Si(001)衬底上注入了In+和As+,注入能量分别为210 keV,150 keV,注入剂量6.2×1016cm-2,8.6×1016 cm-2,另一块Si(001)衬底上注入Ga+和Sb+,注入能量分别为140 keV,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016 cm-2,6.2×1016 cm-2,然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了Si基量子点材料.用透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了退火后量子点截面像,用PL探测量子点的光致发光谱,发现经二次退火生长的量子点微晶格结构和Si衬底损伤的修复均明显优于一次退火.

关键词: 二次退火 , 量子点 , 离子注入

Z超重核的禁戒α衰变

许昌 , 任中洲

原子核物理评论 doi:10.11804/NuclPhysRev.30.03.308

采用密度依赖的结团模型研究了Z超重核的禁戒α衰变,α粒子与子核之间的微观核势通过双折叠模型对M3Y核子-核子相互作用势以及α粒子与子核的密度积分给出.α粒子与子核之间的库仑相互作用也通过α粒子与子核的电荷密度积分给出.计算发现,由于非零角动量带来的禁戒效应和小的α粒子预形成几率,Z超重核的α衰变寿命会明显变长.

关键词: α衰变 , 超重核 , 结团模型

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

压电材料切口性指数计算

程长征 , 程香 , 牛忠荣 , 周焕林

复合材料学报

利用一种数值方法分析压电材料切口尖端包括奇异应力场和奇异电位移场在内的双重奇异性.基于切口尖端的位移场按幂级数渐近展开假设,从应力平衡方程和Maxwell方程出发,推导出关于压电材料切口性指数的特征方程组,同时将切口的力学和电学边界条件转化为性指数和特征函数的组合表达,从而将压电材料双重性分析问题转化为在相应边界条件下微分方程组的特征值求解问题,采用插值矩阵法,可以一次性地计算出压电材料切口的各阶性指数.裂纹作为切口的特例,其尖端的电弹性性指数亦可以根据本法求出.

关键词: 压电材料 , 切口 , 裂纹 , 性指数 , 渐近展开

A≈110质量区A核形状演化研究

周厚兵 , 周小红 , 张玉虎 , 郑勇 , 李广顺 , M.Oshima , Y.Toh , M.Koizumi , A.Osa , Y.Hatsukawa

原子核物理评论

应用E-GOS(E-Gamma Over Spin)曲线方法研究了A≈110质量区A核结构随角动量增加的演化,发现随着角动量的增加原子核的激发特性从振动逐渐演化为转动.

关键词: E-GOS曲线 , 相变 , 形状演化

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

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