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磁电复合材料CuFe2O4/PbZr0.53Ti0.47O3的内耗与介电损耗

戴玉蓉 , 包鹏 , 朱劲松 , 沈惠敏 , , 王业宁

金属学报

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料,XRD实验表明,样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.4703相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1--6.4Hz)的内耗,同时利用HP4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100Hz--1 MHz)的介电损耗,分析了复合物中CuFe2o4和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献.

关键词: 内耗 , null , null

磁电复合材料CuFe2O4/PbZr0.53Ti0.47O3的内耗与介电损耗

戴玉蓉 , 包鹏 , 朱劲松 , 沈惠敏 , , 王业宁

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.023

制备了组分为xCuFe2O4-(1-x)PbZr0.53Ti0.47O3(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe2O4和PbZr0.53Ti0.47O3相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1-6.4 Hz)的内耗,同时利用HP 4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100 Hz-1 MHz)的介电损耗,分析了复合物中CuFe2O4和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献.

关键词: 内耗 , 磁电效应 , 介电损耗

非规则共晶定向凝固结构的标度律

, 治国 , 吴状春

金属学报

数值求解了Al-Si共晶定向凝固耦合方程,讨论了凝固界面形态作为共晶相间距函数的变化规律共晶凝固界面临界分叉态对应于边缘稳定点和界面位置的极大值点。α-液相界面临界分叉是局域规则层状结构相间距选择点,而非规则片状结构相间距的选择点对应于β-液相界面临界分叉导出的两种结构的标度律得到了试验测定结果的支持

关键词: 非规则共晶 , directional solidification , scaling law

Al-Si共晶强制性非稳态生长实验研究

, 周尧和 , 商宝禄

金属学报

本文在定向凝固系统上用变速抽拉方法试验研究了Al-Si共晶强制非稳态生长过程。在加速生长过程中,共晶相间距对生长速度的响应呈滞后效应,响应机制是共晶Si相成簇分枝和局域“终结”延伸。在减速生长过程中,Si相成簇分枝和“终结”伸缩机制仍控制相间距;共晶相间距由初始生长速度决定,对生长速度下降不产生响应。

关键词: Al-Si共晶 , nonstable growth , Si-phase

Al-Si共晶生长过程中Si相分枝的分维特征

, 周尧和 , 商宝禄

材料研究学报

本文研究了Al-Si 共晶强制性稳态生长过程中Si 的分枝特征,指出Si 分枝簇是一类分维结构,并测出其分维值D_f=1.74±0.10,此值同Laplace 分维(LF)模拟值相近。而且测定结果表明D_f 同生长速度和温度梯度没有明显的相关关系,Si 相分枝是自相似的。讨论了Si 相分枝生长的随机性问题。

关键词: 分维 , Al-Si eutectic , silicon-branching process

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

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