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工艺条件对电沉积CoPtW合金成分的影响

崔玉建 , 葛洪良 , 黄丽红 , 周红 , 韩雁冰 ,

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.066

报道了以钨酸钠、硫酸钴和二亚硝酸二胺铂为主盐、以柠檬酸盐为络合剂电沉积钴铂钨合金的工艺过程. 研究了镀液中钨盐浓度、络合剂浓度、电流密度、镀液温度等沉积条件对钴铂钨合金成份的影响. 结果表明, 在实验条件下, 镀液中钨盐含量的增加、电流密度的增大和镀液温度的升高都会引起合金镀层中的钨含量增大. 络合剂用量的增加使合金镀层中的钨含量下降, 而使钴和铂的含量增加.

关键词: CoPtW , 电沉积 , 沉积条件

铂钨合金电沉积的研究

黄丽红 , 葛洪良 , 崔玉建 ,

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2005.01.017

以氯铂酸铵、钨酸钠和柠檬酸等组成镀液,研究电流密度、络合剂与钨的摩尔比、镀液温度等工艺条件对铂钨合金电沉积的影响.结果表明:在实验条件下,电流密度的增大和络合剂用量的升高都会引起Pt-W合金镀层中的钨含量增大,但随着络合剂用量的升高,获得光亮合金镀层的电流密度范围变小.铂钨电沉积温度控制在(65±2)℃较合适.

关键词: 电沉积 , 铂钨合金 , 工艺条件

高频高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料的性能

, 何时金

材料科学与工程学报

高工作频率、低损耗和高直流迭加磁芯是决定电子器件体积和性能的主要因素。在开发出DMR50材料的基础上,采用低温烧结技术,用传统的陶瓷法工艺制备了可使用至3MHz的低功耗高直流迭加Mn-Zn铁氧体材料DMR50B。在3MHz,10mT和100℃时材料的功耗在200kW/m3左右,在700kHz,30mT和100℃时只有20kW/m3左右。材料在100℃时的Bm=430 mT,HDC=100A/m。材料的截止频率fr在4MHz左右,与用斯诺克定律计算出的结果相符合,并可用晶界模型解释。材料优异的性能是由其小于单畴临界尺寸3.8μm的均匀细晶粒结构(D=2.40μm)决定的。

关键词: Mn-Zn功率铁氧体 , 直流迭加场 , 高频 , 低功耗 , 截止频率

宗昌等《贝氏体铁素体的形核》一文

徐祖耀

材料热处理学报

文中,关于贝氏体形成机制,包括形核过程的文献很少被引述。作者(等)的主要论点为贝氏体铁素体以无扩散、非切变机制在奥氏体内贫碳区形核,并未引述形成贫碳区的必要条件。本文作者强调,在钢及铜合金中,不可能由Spinodal分解和位错偏聚形成贫溶质区。等的理念未得到先进理论观点和精细实验结果的支持。在文中,据此对临界核心大小和形核能的计算并无显著意义,期望青年学者对贝氏体相变机制作进一步研究。

关键词: 贝氏体形核 , 扩散机制 , 切变机制 , 贫碳区

汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷的判别分析研究

蔡敏敏 , 李国霞 , 赵维娟 , 李融武 , 赵文军 , 承焕生 , 郭敏

硅酸盐通报

利用质子激发X射线荧光分析(PIXE)测试分析汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷样品的主要化学组成,用多元统计判别分析方法对数据进行分析,以确定它们的分类和起源关系.结果表明:汝官瓷、张公巷窑青瓷和家门窑青瓷釉基本能很好的区分;但是胎区分得不是很理想,张公巷窑青瓷的胎可以和汝官瓷、家门窑青瓷胎很好的区分,汝官瓷胎和家门窑青瓷胎有个别样品不能分开.

关键词: 汝官瓷 , 张公巷窑青瓷 , 家门窑青瓷 , 判别分析

汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的多元统计分析

肖朋飞 , 赵红梅 , 李融武 , 赵文军 , 李国霞 , 赵维娟 , 承焕生

硅酸盐通报

本文采用质子激发X射线荧光分析(PIXE)技术测试了34个汝官瓷样品、30个蓝色系列钧官瓷样品(不含红釉系列)和17个家门窑青瓷样品的主量化学组成含量,根据这些样品的主量化学组成含量数据,应用多元统计分析方法进行分析.结果表明:汝官瓷、钧官瓷和家门窑青瓷的釉样品能够较好的区分开;但是3种瓷胎并不能很好的分开.

关键词: 汝官瓷 , 钧官瓷 , 家门窑青瓷 , PIXE , 因子分析

甲基磺酸锡与硫酸锡镀哑光锡的比较

张振华

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007

从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸锡和硫酸锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸锡镀哑光锡和硫酸锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸锡的趋势.

关键词: 甲基磺酸 , 硫酸 , 镀层性能 , 镀液性能 , 成本

短沟道SiC MESFET阈值特性

韩茹 , 杨银堂 , 贾护军

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成阈值电流随栅压的变化越快.

关键词: 碳化硅MESFET , 沟道电势 , 漏极引致势垒降低效应 , 阈值电压

甲基磺酸锡合成工艺研究

李立清 , 曾台彪 , 梁飞

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005

介绍了甲基磺酸锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.

关键词: 甲基磺酸 , 合成原理 , 产率 , 纯度

稳β-Ti合金设计方法

李群 , 王清 , 董闯 , 王英敏 , 羌建兵

钛工业进展

获得具有优异性能的稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化,而如何有效进行合金的成分设计是稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元稳β-Ti合金的设计方法,包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇+连接原子”结构模型的设计方法,其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计,为合金设计开辟了新的设计思想。

关键词: 稳β-Ti合金 , 成分设计方法 , 团簇结构模型

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