程勇
,
苏勋家
,
侯根良
,
钟长荣
,
史子良
,
刑亚坤
稀有金属
在万能材料试验机平台的监控下,采用自蔓延高温合成/单向加压法(SHS/SAP)动态结合自蔓延高温合成/准热等静压法(SHS/PHIP)制备了ZrC陶瓷.研究了位移、负荷曲线变化规律与SHS/PHIP工艺参数之间的关系以及SHS/PHIP压力对产物显微结构与致密度的影响.通过万能材料试验机平台记录了位移、负荷曲线,利用XRD与SEM研究了产物的物相组成和显微结构,采用排液法测定了产物的密度.结果表明:位移、负荷曲线反映出了SHS反应结束的时间点和塑性时间段,可作为SHS/PHIP加压时机和保压时间的参数.随着压力的增大,ZrC晶粒表面挤压变形越加明显,在120 MPa时出现了烧结颈现象.致密度随压力增大呈增大的趋势,最高达到93.7%,其致密机理为晶粒重排和晶粒塑性变形共同作用.
关键词:
SHS/PHIP
,
ZrC
,
陶瓷
,
压力
栾风娇
,
周金龙
,
贾瑞亮
,
陆成新
,
白铭
,
梁红涛
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2017.02.2016062001
为查明新疆巴里坤-伊吾盆地地下水水化学特征及其成因,采用数理统计、Piper三线图、Gibbs图、离子比例系数等方法对研究区2011年9月的75组地下水水样测试结果进行分析.研究结果表明,潜水以HCO3和SO4型水为主,承压水以SO4型水为主,两者都是矿化度中等、硬度中等的弱碱性水;Gibbs图表明,研究区潜水水化学成分主要受蒸发浓缩和岩石风化双重作用的影响,承压水补给水源的水化学成分主要受蒸发浓缩作用影响;离子比例系数法及饱和指数表明潜水和承压水中离子主要来自岩盐、硫酸盐、硅酸盐的风化溶解.此外,(Na+-Cl-)与(Ca2+ +Mg2+)-(SO42-+HCO3-)之间的比值关系表明阳离子交换作用也是地下水中化学组分形成的重要作用之一.
关键词:
水化学特征
,
Gibbs图
,
离子比例系数法
,
阳离子交换
,
饱和指数
,
新疆巴里坤-伊吾盆地
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
李群
,
王清
,
董闯
,
王英敏
,
羌建兵
钛工业进展
获得具有优异性能的亚稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化,而如何有效进行合金的成分设计是亚稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元亚稳β-Ti合金的设计方法,包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇+连接原子”结构模型的设计方法,其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计,为合金设计开辟了新的设计思想。
关键词:
亚稳β-Ti合金
,
成分设计方法
,
团簇结构模型
中国材料进展
用背散射电子衍射(EBSD)技术测试了室温轧制高纯铝的微取向分布,提出了表征亚结构定量信息的概念并开发了分析软件,研究了亚晶的尺寸及其平均取向差的定量特征.结果表明,平均取向差(θcry)小于15°的亚晶数量占95%以上,其平均直径约6μm~7μm,随亚晶平均取向差增大,亚晶平均尺寸增大;亚晶尺寸与其自身平均取向差和周围亚晶平均取向差的平均值(θenv)有关,当θcry/θenv>1时,其尺寸大于周围亚晶尺寸的平均值;反之也成立.
关键词:
高纯铝
,
轧制
,
取向
,
亚结构
,
背散射电子衍射(EBSD)