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TiO2薄膜光催化气相甲醇制氢

在气相连续流动装置中以TiO2薄膜为光催化剂,对甲醇的脱氢反应进行了研究. 考察了空速、光照时间和反应温度对甲醇转化率的影响以及产氢量与添加的水蒸气量和甲醇浓度的关系,并将TiO2薄膜催化剂的光催化活性与TiO2纳米粉体催化剂进行了比较. 反应动力学研究表明,光催化甲醇脱氢反应为一级反应,其活化能为8.64 kJ/mol. 探讨了该反应的机理.

关键词: 二氧化钛 , 薄膜 , 光催化 , 甲醇 , 氢气 , 活化能 , 反应机理

TiO2压敏电阻的研究与应用

袁明军 , 崔文权 , 李苹 , 冯良荣

材料科学与工艺

为了更好地研制和应用压敏电阻元件,介绍了TiO2压敏电阻的基本性质,压敏机理以及研究现状,阐述了制备过程中掺杂物种、掺杂浓度、烧结温度、粉体材料等因素对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究表明,TiO2系列压敏电阻具有较低的压敏电压、较高的非线性系数、超高的介电常数,并且制备工艺简单.TiO2系列压敏电阻能有效弥补SrTiO3和ZnO系压敏电阻器所存在的不足之处,是低压压敏陶瓷的研发方向.

关键词: 二氧化钛 , 压敏电阻 , 掺杂 , 压敏性能

微波场下纳米Mg-Al-LDHs及PO34-,P2O47-柱撑Mg-Al层状双氢氧化物的合成

张泽江 , 兰彬 , 冯良荣 , 吕绍洁 , 邱发礼

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.009

用微波加热反应-变速滴加共沉淀法合成了[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物,并以[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物为前体,用微波加热反应-离子交换法制备了PO34-,P2O47-柱撑Mg-Al层状双氢氧化物.该法合成的[Mg-Al-CO3]纳米层状双氢氧化物的粒径约为10～40nm.讨论了微波和变速滴加碱液的速度对纳米层状双氢氧化物的合成的影响.用FT-IR、TEM与XRD对产物进行了表征,结果表明在微波加热反应的条件下可在短时间内用PO34-,P2O47-彻底交换CO23-.

关键词: 纳米 , 离子交换 , 微波 , 层状双氢氧化物

三聚氰胺聚磷酸盐阻燃剂的合成与表征

张泽江 , 梅秀娟 , 冯良荣 , 邱发礼

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.11.004

采用硅钨酸为催化剂,在甲醇反应介质中由三聚氰胺与聚磷酸反应制得三聚氰胺聚磷酸盐,用元素分析、IR、XRD、TG与DSC等对其进行了分析和表征,并对其阻燃性能进行了评价.从热分析可知,当温度升至684.8℃时,其热损失残余量为43.52%;在653.5℃时有1明显吸热峰,吸热量为629.1/g.涂覆含三聚氰胺磷酸盐的防火涂料的5层板在模拟实际火灾发生情况下,耐火极限为16 min,涂料发泡倍数为50～60倍.

关键词: 三聚氰胺聚磷酸盐 , 阻燃剂 , 合成

PMI 泡沫夹层结构整流罩冯卡门锥段成型技术研究

赵锐霞 , 尹亮 , 潘玲英

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.04.014

对PMI泡沫夹层结构整流罩冯卡门锥段成型技术进行了研究,通过对玻璃钢面板及其泡沫夹层结构性能、面板成型、泡沫热成形、泡沫拼接、玻璃钢泡沫夹层结构成型及无损检测等技术研究,确定了玻璃钢外面板、预先固化,然后与泡沫等复合组装,最后铺覆内面板,整体进罐固化的成型工艺.结果表明,玻璃钢面板纵、横向拉伸强度为602、593MPa,模量为26.0、27.2 GPa,满足设计强度≥350MPa、模量≥25GPa的要求；玻璃钢/PMI泡沫夹层结构泡沫密度为(110±10)kg/m3,厚度28mm,纵、横向侧压强度为32.9、30.5MPa、模量为2.31、2.38GPa,满足设计指标侧压强度≥25MPa、模量≥2.0GPa的要求,采用玻璃钢/PMI 泡沫夹层结构分步固化成型工艺研制的首件新型号整流罩冯卡门锥段,满足设计使用要求.

关键词: 泡沫夹层结构 , 冯卡门锥段 , 成型技术

良渚文化玉器的稀土元素特征及其考古学意义

程军 , 杨学明 , 杨晓勇 , 王昌燧 , 王巨宽

稀土 doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001

本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.

关键词: 良渚玉器 , ICP-MS , 稀土元素(REE) , 产地分析

磁控溅射成膜温度对纯铝薄膜小丘生长以及薄膜晶体管阵列工艺良率的影响

刘晓伟 , 郭会斌 , 李梁梁 , 郭总杰 , 郝昭慧

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142904.0548

纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 磁控溅射 , 纯铝薄膜 , 小丘 , 量产良率