赵丽伟
,
刘彩池
,
滕晓云
,
朱军山
,
郝秋艳
,
孙世龙
,
王海云
,
徐岳生
,
胡家辉
,
冯玉春
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.019
本文采用KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液,对Si基外延GaN进行湿法腐蚀.腐蚀后用扫描电子显微镜(SEM)观察,GaN面出现了六角腐蚀坑,它是外延层中的位错露头,密度约108/cm2.腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降低的,部分位错因相互作用而终止于GaN体内.观察缺陷腐蚀形貌还发现,接近裂纹处腐蚀坑的密度要高于远离裂纹处腐蚀坑的密度,围绕裂纹有许多由裂纹引起的位错.腐蚀坑的密度可以很好地反映GaN晶体的质量.晶体质量较差的GaN片,腐蚀后其六角腐蚀坑的密度高.
关键词:
GaN
,
湿法腐蚀
,
六角腐蚀坑
,
SEM
卫静婷
,
冯玉春
,
李炳乾
,
杨建文
,
刘文
,
王质武
,
施炜
,
杨清斗
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.013
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响.根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5 Ω·cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用.
关键词:
p型氮化镓
,
镍/金
,
比接触电阻率
冯玉春
,
胡加辉
,
张建宝
,
王文欣
,
朱军山
,
杨建文
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.030
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-AlN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN.过渡层为多层复合结构,分为高温变组分AlGaN、GaN、低温AlN、高温变组分AlGaN.在高温生长AlGaN和GaN层中插入一层低温生长AlN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺.当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂.本文研究了AlN缓冲层生长温度、高温变组分AlGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响.采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析.测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量.
关键词:
Si(111)
,
GaN
,
AlN
,
AlGaN
朱军山
,
胡加辉
,
徐岳生
,
刘彩池
,
冯玉春
,
郭宝平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.024
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840 s.采用高分辨率 DCXRD, 扫描电子显微镜(SEM)分析.结果表明, 以1040 ℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si-Ga结构, 是后续生长的"模板".低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷.DCXRD测得的FWHM为0.21, GaN峰强达7 K.
关键词:
Si(111)
,
GaN
,
金属有机物化学气相沉积(MOCVD)
,
双晶X射线衍射(DCXRD)
冯玉春
,
张铭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.013
利用磁控溅射法制备了La0.96Sr0.04MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质p-n结,研究了20-300 K温度范围内该p-n结的伏安特性,在20-300 K该p-n结表现出优异的整流特性,在温度大于100K时该异质p-n结I-V特性符合热激发模型.该异质结在170 K温度点表现出明显的金属-绝缘态转变,电阻温度曲线表现为绝缘态→金属态→绝缘态的转变过程.在5 T磁场作用下,随温度增大,正偏压时磁致电阻(MR)逐渐从负变为正;而在负偏压下MR逐渐从正变为负,并在-1 V的偏压下、金属-绝缘态转变温度点170 K处达到负的最大值-50.6%.
关键词:
p-n异质结
,
整流特性
,
磁致电阻
冯玉春
,
刘晓峰
,
王文欣
,
彭冬生
,
郭宝平
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.023
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-AlN生长温度.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析.试验和测试结果表明低温AlN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-AlN插入层的生长温度为680℃左右.
关键词:
彭冬生
,
冯玉春
,
牛憨笨
材料导报
阐述了Monte Carlo方法在薄膜生长中的应用和最新进展;简要论述了Monte Carlo算法的类型及各自的特点;结合MonteCarlo方法的特点,提出了模拟薄膜生长的模型以及处理方法.同时,归纳出MonteCarlo模拟薄膜生长需要解决的主要问题.
关键词:
Monte Carlo
,
薄膜生长
,
模型
程佑法
,
李建军
,
祝培明
,
范春丽
,
山广祺
人工晶体学报
泰山玉指产于山东省泰山西麓区域的蛇纹石质玉,常呈深色外观.将从泰山产出玉与泰山文化结合,直接命名为“泰山玉”,可最大限度地开发应用.关键要找出其区别于辽宁岫玉以及其它产地蛇纹石质玉的主要鉴定特征,确定其产地.分别测试了辽宁岫岩、甘肃酒泉及新疆等几个与泰山玉相似的玉石,得出泰山玉产地特征的关键检测项目为:(1)颜色:以暗色调的绿色为主.(2)放大检查:常伴有金星状反光包体、白色柱状包体,有黑色矿物包体.(3)X荧光光谱分析:金属元素主要为Fe、Ni、Cr、Mn等元素,其含量明显高于岫玉产品,并且Ni/Cr=2～4,其它产地的产品的比值接近于1.开展泰山玉检测实验室须配备参考样品.
关键词:
泰山玉
,
蛇纹石玉
,
产地特征
,
命名
聂黎行
,
王钢力
,
戴忠
,
林瑞超
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2010.01001
采用Chiralpak IC手性柱(250 mm×4.6 mm,5 μm),建立了正相高效液相色谱测定板蓝根中表告依春(R-告依春)和告依春(S-告依春)含量的方法.考察了流动相组成、流速和柱温对分离度的影响.经优化后的实验条件:以正己烷-异丙醇(体积比为90∶10)为流动相,流速为0.8 mL/min;检测波长为245 nm,柱温为20 ℃.在此优化条件下,表告依春和告依春分离度为3.4,检出限为2.0 mg/L,在0.02～2.0 g/L 范围内有良好的线性关系,平均回收率为101% ,相对标准偏差(RSD)小于3.0%(n=6).本方法可将具有抗病毒活性的表告依春与其对映体告依春基线分离并测定,专属性强,能有效控制板蓝根的质量.
关键词:
手性高效液相色谱法
,
表告依春(R-告依春)
,
告依春(S-告依春)
,
板蓝根
