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采用直流磁控溅射工艺,室温下在载玻片上制备ZnO:Al透明导电薄膜.研究Al掺杂和溅射功率对薄膜生长取向、微观结构和电阻率的影响.研究表明:不同溅射功率下Al掺杂ZnO薄膜均为高度c-轴择优取向生长;在1%～3%(质量分数)的掺杂范围内,薄膜的电阻率随掺杂孱的增加而减小,掺杂的质量分数超过3%后,薄膜的电阻率又有所增大.溅射功率通过改变晶粒尺寸和晶界所产生的散射作用而影响薄膜的导电性能,溅射功率低于100 W时,薄膜的电阻率随功率增加而明显降低,但超过100 W后,薄膜的电阻率下降趋缓,并最终趋于平稳.在Al掺杂的质量分数为3%、溅射功率为100 W的条件下,可获得2.3×10~(-3) Ω·cm的最低电阻率.

关键词: 氧化锌铝 , 透明导电薄膜 , 导电性能 , 磁控溅射

La、Nb掺杂对Bi4Ti3O12薄膜介电性能和C-V特性的影响

冯湘 , 王华

人工晶体学报

采用溶胶-凝胶工艺制备了Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12铁电薄膜,研究了La、Nb掺杂对薄膜介电性能和C-V特性的影响.研究表明,在x<0.75、y<0.06范围内,随La、Nb掺杂量的增加, Bi4-xLaxTi3O12和Bi4Ti3-yNbyO12薄膜的介电常数和C-V特性曲线回滞窗口增大,介电损耗和漏电流密度减小.x>0.5时,Bi4-xLaxTi3O12薄膜可获得大于1.8 V的C-V回滞窗口,且经1010极化开关后其回滞窗口的减小未超过6%;而Nb掺杂对增大Bi4Ti3-yNbyO12薄膜C-V回滞窗口的作用更加明显,但经1010极化开关后,其回滞窗口的减小较为明显,并出现一定平移.

关键词: Bi4Ti3O12薄膜 , 介电性能 , 漏电流 , C-V特性

湘钢合理炉料结构研究

高泽平 , 刘竹林

钢铁

通过对湘钢炼铁入炉炉料进行还原性及熔滴性能试验,分析了不同炉料结构对高炉软熔带的影响;结合成本分析,指出了在当前条件下,湘钢炉料结构的合理搭配.

关键词: 高炉 , 炉料结构 , 试验研究

湘钢3号高炉开炉技术的完善

高泽平

钢铁研究 doi:10.3969/j.issn.1001-1447.2000.04.006

介绍了湘钢3号炉恢复性检修与中修开炉实践,并着重介绍了湘钢3号高炉中修开炉不烘炉,达产速度快的成功经验.

关键词: 高炉 , 中修 , 开炉 , 实践

PMI 泡沫夹层结构整流罩冯卡门锥段成型技术研究

赵锐霞 , 尹亮 , 潘玲英

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2012.04.014

对PMI泡沫夹层结构整流罩冯卡门锥段成型技术进行了研究,通过对玻璃钢面板及其泡沫夹层结构性能、面板成型、泡沫热成形、泡沫拼接、玻璃钢泡沫夹层结构成型及无损检测等技术研究,确定了玻璃钢外面板、预先固化,然后与泡沫等复合组装,最后铺覆内面板,整体进罐固化的成型工艺.结果表明,玻璃钢面板纵、横向拉伸强度为602、593MPa,模量为26.0、27.2 GPa,满足设计强度≥350MPa、模量≥25GPa的要求；玻璃钢/PMI泡沫夹层结构泡沫密度为(110±10)kg/m3,厚度28mm,纵、横向侧压强度为32.9、30.5MPa、模量为2.31、2.38GPa,满足设计指标侧压强度≥25MPa、模量≥2.0GPa的要求,采用玻璃钢/PMI 泡沫夹层结构分步固化成型工艺研制的首件新型号整流罩冯卡门锥段,满足设计使用要求.

关键词: 泡沫夹层结构 , 冯卡门锥段 , 成型技术