张艳霞
,
冀亚欣
,
欧玉峰
,
闫勇
,
李莎莎
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
,
余洲
功能材料
采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响.研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向.溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向.溅射时间超过15min后,薄膜呈现(...
关键词:
直流磁控溅射
,
择优取向
,
晶带模型
,
电性能
王丹
,
余洲
,
冀亚欣
,
闫勇
,
欧玉峰
,
晏传鹏
,
刘连
,
张勇
,
赵勇
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.03.025
综述了蒸发法、溅射后硒化法、单靶直接溅射法制备CIGS光吸收层的工艺和电池性能,比较了它们的优缺点;详细介绍了粉末冶金参数(如烧结温度、压力、时间)对制备CIGS靶材致密度、成分均匀性的影响;着重阐述了单靶溅射工艺参数(如衬底温度、溅射功率、工作气压)对沉积的CIGS薄膜的相结构、形貌、光学及电学性...
关键词:
CIGS电池
,
粉末冶金
,
单靶溅射
,
光电性能
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC...
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度...
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
