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薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究

陈新亮 , 王斐 , 闫聪博 , 李林娜 , 林泉 , , 张晓丹 , 耿新华 , 赵颖

材料导报

阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果.绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本.磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如“弹坑”状和“类金字塔”状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点.

关键词: 镀膜技术 , TCO薄膜 , 绒面结构 , 高迁移率 , 缓冲层 , 梯度掺杂 , 薄膜太阳电池

氢氦共同稀释对微晶硅锗薄膜结构特性的影响

李天微 , 张建军 , 曹宇 , , 黄振华 , 赵颖

人工晶体学报

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在200℃的衬底温度下,以SiH4和GeH4为反应气体,H2和He为稀释气体,制备微晶硅锗(μc-Si Gex∶H)薄膜.结合Raman,XRF,FTIR,AFM等测试,我们分析了不同流量He的掺入对高锗含量(Ge含量~40%)μc-Si1-x Gex∶H薄膜结构性能和光电特性的影响.结果表明,随着He稀释/H2稀释(CHe/H2=He/H2)的增加,薄膜的Ge含量基本保持不变,H含量减少,致密度提高,Ge悬挂键和微结构因子先减少后增大.CHe/H2=36%时,薄膜光电特性最好.

关键词: 微晶硅锗薄膜 , 等离子体增强化学气相沉积 , He稀释

Si_3N_4基陶瓷裂纹扩展过程的动态观察

国年 , 孙克淋 , 罗相成

材料研究学报

Si_3N_4基陶瓷裂纹扩展过程的动态观察国年,孙克淋,罗相成(北京理工大学)摘要*发展了适用于Si3N4陶瓷及其复合材料的裂纹扩展动态观察方法.利用缺口梁两端的限制性载荷,控制三点弯曲时裂纹的扩展速度,从而获得关于其过程的信息.对于热压烧结的Si3N4基陶瓷,用此法在扫描电镜下成功地观察到了晶粒、晶须的桥联、拔出过程,以及裂纹分岔、偏转等特征.关键词Si_3N_4陶瓷,裂纹扩展,动态观察通过观察陶瓷基复合材料断口和分析压痕致?...

关键词: Si_3N_4陶瓷 , crack propagation , dynamic observation

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