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变压器油箱新型涂装前处理工艺

高波

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2002.02.020

介绍了油箱涂装前表面处理的工艺,并结合本公司表面处理工艺,指出了该工艺的主要特点及影响表面处理质量的几个因素.

关键词: 变压器油箱 , 前处理 , 工艺

防腐变压器的涂装

高波

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2001.05.016

介绍了防腐变压器的涂装工艺过程,分析了影响涂装质量的各因素.

关键词: 变压器 , 防腐 , 涂装

变压器外壁防腐蚀涂装

高波

腐蚀与防护

简述了变压器外壁防护涂料涂装体系,介绍了耐腐蚀涂料的主要技术指标,分析了影响涂装质量的因素.

关键词: 变压器 , 外壁防护 , 涂料涂装

变压器油箱涂装线及设备简介

高波 , 黄仲远 , 叶苓

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2002.06.017

介绍了油箱涂装线的工艺及设备,给出了工艺及设备的主要性能及技术参数.通过技改前后工艺对比,说明了油箱涂装生产线工艺改造是切实可行的.

关键词: 涂装生产线 , 变压器油箱 , 工艺 , 设备

不粘涂料在干式变压器浇注模上的应用

高波 , 黄仲远 , 叶苓

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2002.09.021

分析了干式绕组表面发白的原因,提出了解决干式绕组表面发白的措施.实践表明,在干式变压器浇注模上采用不粘涂料处理,效果明显.

关键词: 不粘涂料 , 烧结 , 浇注模 , 应用

砷对70/30黄铜在1NNaNO_2水溶液中应力腐蚀开裂的抑制作用

罗贤竟 ,

腐蚀学报(英文)

砷对70/30黄铜在1NNaNO_2水溶液中应力腐蚀开裂的抑制作用罗贤竟,健(上海材料研究所,上海200437)发表于《中国腐蚀与防护学报》,1991;11(1):83.获中国腐蚀与防护学会第三届全国青年腐蚀科技论文讲评会优秀奖罗贤觉,84年毕业于哈尔滨船舶工程学院.现在上海材料研究所从事应力腐蚀方面的工作.砷对70/30黄铜在1NNaNO_2水溶液中应力腐蚀开裂的抑制作用@罗贤竟,健$上海材料研究所....

关键词:

浙江省腐蚀与防护学会成立

中国腐蚀与防护学报

<正> 浙江省腐蚀与防护学会成立大会于1985年3月21~23日在杭州召开,参加大会的有来自全省各地的98名腐蚀与防护领域的科技工作人员。中国腐蚀与防护学会付理事长石声泰和省科协学会部付部长(金双)(金双)到会致词。徐崇嗣付教授代表筹备组作了“浙江省腐蚀与防护学会筹备工作报告”。会上邀请了石声泰、叶康民、曹楚南和宋诗哲等四位专家在大会作学术报告,省内科技人员共有43篇论文参加了分组学术交流。成立大会上选举产生了十七名理事,并且召开了第一届理事会,推选产生了理事会人员:

关键词:

电磁驱动熔体流动与枝晶变形断裂模拟

郭大勇 , 杨院生 , 童文辉

金属学报

建立了电磁离心凝固过程熔体动量传递、传热和传质耦合数学模拟,模拟计算了熔体在不同感应强度下的流动速度。计算结果表明,熔体在电磁力的作用下产生与铸模转动方向相反的流动,流动速度呈周期性分布,并且在凝固前沿达到最大。随着磁感应强度的增加,熔体流动速度达到的最大值也大。使用有限元软件ANSYS,把熔体流动计算结果作为参数,计算了枝晶的受力状态。通过计算表明,熔体流动枝晶会在枝晶周围产生很大的速度变化,流体对枝晶的冲刷可使枝晶产生机械折断。电磁搅拌通过增加断裂枝晶数量促进柱状晶—等轴晶转变.

关键词: 电磁离心铸造 , null

钙钛矿结构La1-xCaxMnO3的激光拉曼光谱分析

刘奇 , 许丹 , 李广 , 朱克荣 , 唐怀保

低温物理学报

用固相反应法制备了具有钙钛矿结构的La1-xCax MnO3(x=0和0.33)并对其晶体结构、磁性、电阻和激光显微共聚焦散射拉曼光谱进行了测试、表征和分析.每种样品在激光拉曼光谱上都呈现出高波数峰(~640cm-1)、中波数峰(~500 cm-1)和低波数峰(~220 cm-1)三个明显的特征峰.它们分别对应锰氧八面体面内氧原子的对称伸缩振动模式,氧原子的反对称伸缩振动模式和氧原子的旋转振动模式.高波数峰随温度的演化呈现出明显的变化行为,并且这种行为及对应的特征温度与材料的磁性和电子输运随温度的变化行为及特征温度基本吻合.但其他两种峰随温度变化没有较为明显的规律性.高波数峰对应的锰氧八面体面内氧原子的对称伸缩振动模式与锰氧化物材料的磁性和电子输运存在本质上的联系.

关键词: 锰氧化物 , 激光拉曼光谱 , 振动模式分析

GaAs多量子阱的光电流谱

程兴奎 , 周均铭 , 黄绮

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.023

在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.

关键词: GaAs量子阱 , 光电流 , 电子干涉

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