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以ZnO为沟道层的薄膜晶体管制备研究

采用光刻剥离工艺和射频磁控溅射法分别在(100)硅片和ITO玻璃衬底上制备了以氧化锌为沟道层的底栅式薄膜晶体管(ZnO-TFT).用X射线衍射仪、原子力显微镜对生长在绝缘层上的ZnO薄膜进行了表征.在硅衬底ZnO-TFT中,热氧化生长的二氧化硅薄膜作为绝缘层,金属铝用作源漏电极,该器件工作在N沟道增强模式,其阈值电压为8V,电流开关比为5×103,电子的场迁移率达到0.61cm2/(V·s).在以ITO玻璃为衬底的透明ZnO-TFT中,分别采用了SiO2、Al2O3、SiNx、PbTiO3薄膜作为绝缘层,实验表明生长在不同绝缘层上的ZnO薄膜都有很高的c轴择优取向,透明ZnO-TFT在可见光波段的平均透过率达到85%.

关键词: ZnO 薄膜 , 薄膜晶体管 , 绝缘层 , 光学透过率

光合作用PSⅡ Chl分子传能超快光谱学

王水才 , 贺俊芳 , 蔡霞 , 任兆玉 , 侯洵 , 李良璧 , 匡廷云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.003

利用ICCD皮秒、飞秒扫描成像和飞秒时间分辨光谱装置实验研究了高等植物捕光天线LHC II三聚体和PS II颗粒复合物及PSII核心复合物的超快光谱动力学,经过吸收光谱和发射光谱分析,确定在LHC I三聚体中至少存在7种Chl分子光谱特性,它们是:Chl b658.7 653/656、Chla665.2662.0、Chla/b671.6670/671、Chla677.1 665.0、Chla682.9 680/681、Chla689.1 685和Chla695.6 695.0:采用光强1013光子/cm2/脉冲激励浓度为30μg/ml的捕光天线LHC I三聚体,在650nm到705nm谱段逐点探测分析处理,产生了两组短寿命组分210 fs、520 fs和5.2 ps、36.7 ps及两个长寿命组分1.8 ns、2 ns.最快的三个寿命210 fs、520 fs和5.2 ps反映了三聚体Chl b分子向Chl a分子的激发能传递过程;寿命36.7 ps反映了Chl a分子向相邻单体Chl a分子的激发能传递过程;最长的两个寿命1.8 ns和2 ns是在三聚体中Chl a分子通过中间体Chl a分子辐射荧光,分别跃迁回基态的过程.获得的六个寿命组分有把激发能传递时间与Chl a/b分子发射光谱相结合的特点.经拟合处理解析PS II颗粒复合物光谱,得到三个组分谱,其峰值分别为686.8 nm、692.2 nm和694.9 nm,与LHC II比较分析,说明天然构型的PS II有很强的吸收光能和有效传递光能的本领.PSII核心复合物的核心天线CP43和CP47,各自含有三种不同状态的Chl a分子,CP43有Chla661 660、Chla670 669、Chla686 682,CP47有Chla661 660、Chla670 669、Chla681 680.

关键词: 光系统Ⅱ , 叶绿素分子 , 能量传递 , 超快光谱

侯增寿教授生平

材料热处理学报

侯增寿教授1925年5月生于河北省定县（现定州市），太原理工大学教授，博士生导师。

关键词: 生平 , 太原理工大学 , 博士生导师 , 定州市 , 河北省

硼离子对铕掺杂SiO2干凝胶发光性能的影响

胡晓云 , 樊君 , 白晋涛 , 仁兆玉 , 侯洵

中国稀土学报

采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B, Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶. 利用荧光光谱、 IR, XRD, DSC, TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响. 经500 ℃以上退火处理用248 nm激发的样品, 产生Eu3+离子5D0→7FJ的特征发射, 5D0→7F1的跃迁分裂为两个峰. 比较615 nm处的发光强度, 掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3.3倍. 这是因为B离子的加入, 在材料中形成了Si-O-B键, 破坏了网络的对称性, 加强了Eu3+的红光发射. 当退火温度上升到850 ℃用350 nm激发时, 样品有很强的Eu2+蓝光发射,Al单掺的发射中心在437 nm处, 发射半峰宽约为70 nm, 而B, Al共掺样品的发光中心蓝移到425 nm处, 单掺样品的蓝光强度几乎是共掺样品强度的2倍. 这是由于硼酸的加入改变了基质的网络结构, 从而导致单掺和共掺样品发射峰位和强度的改变.

关键词: 硼离子 , 溶胶-凝胶法 , 发光性质 , (Eu3+,Eu2+,SiO2)干凝胶 , 稀土

生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

徐庆安 , 张景文 , 杨晓东 , 巨楷如 , 贺永宁 , 侯洵

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.010

在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.

关键词: ZnO薄膜 , 生长温度 , 激光分子束外延 , X射线衍射 , 光致发光谱

两类新型多模叠加态光场的二阶不等幂次Nj次方H压缩

王菊霞 , 杨志勇 , 申正民 , 侯洵

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.012

根据量子力学的线性叠加原理,构造了两类新型的多模叠加态光场;利用多模压缩态理论,首次详细研究了这两类多模叠加态光场的二阶不等幂次Nj次方H压缩特性.结果发现:在各模场幅幂次Nj不等(全部偶数、全部奇数、部分偶数、部分奇数)的情况下,当各模的初始相位、两态叠加的几率幅以及纵模总数等分别满足一定的条件时,这两类新型的多模叠加态光场总可呈现出周期性变化的、二阶不等幂次的Nj次方H压缩效应,这种纯量子效应说明它们属于多模非经典光场;同时,本文的研究结果还表明,上述两类多模叠加态光场之间存在"相似压缩"与"压缩简并"现象.

关键词: 多模叠加态 , Nj次方H压缩 , 多模非经典光场 , Nj次方H相似压缩 , Nj次方H压缩简并

两多模泛函相干态叠加态的高次和压缩--广义磁场分量的不等幂次高次和压缩效应

魏世秀 , 杨志勇 , 侯洵 , 刘宝盈 , 赖振讲

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.013

利用多模压缩态理论,研究了多模泛函相干态|{fj(x,y,z)}〉q及其相反态|{-fj(z,y,z)}〉q的线性叠加所组成的两态叠加多模叠加态光场|ψ(2)(f)〉q的广义磁场分量的不等幂次高次和压缩特性.结果发现:1)当各模的压缩次数Nj(j=1,2,…,…,q下同)之和为偶数时,态|ψ(2)(f)〉q恒处于不等幂次Nj-H最小测不准态;2)当各模的压缩次数Nj之和为奇数时,态|ψ(2)(f)〉q在一定条件下可呈现出周期性变化的、任意不等幂次的广义非线性高次和压缩效应.

关键词: 量子光学 , 多模泛函相干态 , 两态叠加 , 多模压缩态 , 广义磁场分量 , 不等幂次高次和压缩

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

张新安 , 张景文 , 张伟风 , 侯洵

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.018

采用光刻剥离法和射频磁控溅射技术在带有热氧化层的硅衬底上制备了以氧化锌(ZnO)为沟道层的薄膜晶体管(ZnO-TFT).研究了不同温度退火处理对ZnO-TFT电学性能的影响,发现随着ZnO薄膜退火温度的增加,ZnO-TFT的阈值电压减小,电子的场效应迁移率增大.用原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜的微区结构进行观察,发现ZnO薄膜的平均粒径随退火温度的增加而增大,表明ZnO-TFT电学性质和沟道层薄膜晶粒大小密切相关.

关键词: 氧化锌 , 薄膜 , 晶体管 , 退火

ZnO宽带隙半导体及其基本特性

贺永宁 , 朱长纯 , 侯洵

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.002

ZnO半导体是宽带隙半导体领域中继GaN和SiC之后的研究热点.同时,作为一种氧化物半导体,ZnO半导体在能带结构、晶格缺陷、抗辐照特性以及电学性质等方面具有特殊性,已有的研究中还存在一些不同的认识.本工作在阐述ZnO的晶体结构和基本性质基础之上,对其能带结构和缺陷特征、电子输运以及P型掺杂等主要的半导体特性研究现状进行了较为全面综述和分析.由于ZnO半导体具有高的激子束缚能、优良的电子输运性质、强抗辐照特性以及低成本和环境友好等显著特征,它是未来半导体光电子领域极具应用潜力的新一代宽带隙半导体材料,但是到目前为止,p型掺杂技术仍然是ZnO半导体器件面临的最大挑战.

关键词: ZnO , 宽带隙半导体 , 晶体缺陷 , 电子输运 , p型掺杂