魏俊红
,
林璇英
,
赵韦人
,
池凌飞
,
余云鹏
,
林揆训
,
黄锐
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
采用加热的调谐单探针技术,研究了射频辉光放电Ar等离子体空间电子能量分布函数,电子平均能量和电子密度,并系统分析了等离子体增强化学气相沉积工艺参量对等离子体空间电子特性的影响.
关键词:
调谐单探针
,
等离子体化学气相沉积
,
Ar等离子体
邱胜桦
,
陈城钊
,
刘翠青
,
吴燕丹
,
李平
,
林璇英
,
黄翀
,
余楚迎
功能材料
以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
氢稀释
,
晶化率
,
RF-PECVD
黄锐
,
林璇英
,
余云鹏
,
林揆训
,
姚若河
,
黄文勇
,
魏俊红
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4
,
生长速率
,
晶化度
陈城钊
,
邱胜桦
,
刘翠青
,
吴燕丹
,
李平
,
余楚迎
,
林璇英
功能材料
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压(133～266Pa)下,以0.4nm/s速率制备出优质的氢化纳米晶硅薄膜.薄膜的晶化率约60%,平均晶粒尺寸约6.0nm,暗电导率为10-3～104/Ω·cm.红外吸收谱显示,薄膜中没有Si-O、Si-C、Si-N等杂质键,随晶化率的提高,Si-H键也逐渐消失.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
RF-PECVD
,
生长速率
黄创君
,
林璇英
,
林揆训
,
余云鹏
,
余楚迎
,
池凌飞
功能材料
以SiCl4-H2为气源,用等离子体化学气相沉积技术,在衬底温度仅为200℃时能获得多晶硅薄膜.最大晶粒达1.5μm,结晶度在90%以上.薄膜中不合Cl、H、C、N、O等杂质,暗电导率高达10-4Ω-1@cm-1,光照稳定性好.对氯元素在低温成膜中的作用进行初步讨论.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4/H2气源
,
低温生长
,
结晶度
刘翠青
,
陈城钊
,
邱胜桦
,
吴燕丹
,
李平
,
余楚迎
功能材料
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在＞100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度＞100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
衬底温度
,
微结构特性
,
电学性能
黄创君
,
林璇英
,
林揆训
,
余楚迎
,
姚若河
功能材料
多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积(PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
关键词:
多晶硅
,
固相晶化
,
非晶硅氢合金薄膜
,
薄膜硅太阳能 电池
余楚迎
,
林璇英
,
姚若河
,
吴萍
,
林揆训
功能材料
用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅薄膜
,
衬底温度
,
掺杂比
,
晶化温度
,
晶粒尺寸
陈城钊
,
林璇英
,
林揆训
,
余云鹏
,
余楚迎
功能材料
利用氢等离子体加热晶化n+-a-Si∶H/a-Si∶H薄膜,可以在450℃的衬底温度下制备多晶硅薄膜.采用X射线衍射谱、Raman散射谱和扫描电子显微镜等手段进行表征和分析,研究了不同退火条件对薄膜晶化的影响.结果表明,随着射频氢等离子功率的提高、衬底温度升高和退火时间的增加,薄膜的晶化度呈现出增加趋势.
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢等离子体加热
,
退火工艺
,
晶化度
余楚迎
,
林璇英
,
黄锐
功能材料
研究了以SiCl4/H2为气源、用等离子体增强化学气相沉积方法, 在低于300℃温度下所制备的pc-Si薄膜在长时间的光照下电导率的变化情况.实验结果表明,所制备的多晶硅薄膜具有类稳恒光电导效应,而且薄膜的稳恒光电导特性依赖于薄膜的晶化率和晶粒尺寸,随晶化率的增加和晶粒尺寸的增大而增大.
关键词:
多晶硅薄膜
,
稳恒光电导效应
,
晶化率
,
晶粒尺寸
