徐大朋
,
万里
,
程新红
,
何大伟
,
宋朝瑞
,
俞跃辉
,
沈达身
稀有金属材料与工程
研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下退火后仍然是非晶的.散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散.X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeO的x生长.电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Coγ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移.
关键词:
HfO2
,
Al2O3
,
60Coγ射线辐射
夏超
,
王中健
,
何大伟
,
徐大伟
,
张有为
,
程新红
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.004
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高；Trench长度(0.8 -1.1μm)增加,器件触发电压几乎不变,维持电压降低；场氧化层长度(2 -4.5μm)增加,触发电压和维持电压均增加.
关键词:
SOI ESD
,
SCR
,
Sentaurus
,
保护器件
李云飞
,
王永生
,
张晓龙
,
刘宏宇
,
王刚
,
邵喜斌
,
何大伟
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.010
对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.
关键词:
OLED
,
有源驱动
,
存储电容
,
充电率
中国材料进展
2011年8日下午，何梁何利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”，丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”，吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信，全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。何梁何利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。
关键词:
科学家
,
基金
,
中共中央政治局
,
全国人大常委会
,
突出
,
国防科技大学
,
计算机领域
,
科学与技术
唐伟
,
何大伟
,
周丹
,
王永生
稀有金属材料与工程
研究了MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca, Sr, Ba)样品的结构、发光特性.MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca,Sr , Ba)具有硅酸钙镁石结构,基质掺入铽离子后结构没有明显变化.结果表明:MMgSi_2O_6:Tb~(3+) (M=Ca, Sr ,Ba)在168、220和294 nm附近有强烈的吸收峰.在168 nm真空紫外激发下,546 nm是主发射峰.当材料BaMgSi_2O_6:Tb~(3+)中掺杂Ce~(3+)时,BaMgSi_2O_6:Tb~(3+)样品在168 nm真空紫外激发下的发射强度明显下降.
关键词:
硅酸盐
,
VUV
,
能量传递
,
稀土离子
刘端阳
,
何大伟
,
康凯
,
刘春棠
,
李少霞
中国稀土学报
采用高温固相反应合成了(Y,Gd)Al3(BO3)4中掺杂Ce3+和Tb3+的样品,并研究了其结构特性、光谱特性和发光过程中稀土离子间的能量传递.(Y,Gd)Al3(BO3)4属于三角晶系,具有R32的空间群,掺入Ce3+,Tb3+杂质后晶格结构没有变化.(Y,Gd)Al3(BO3)4∶Ce,Tb的激发光谱由3个宽谱带组成,这3个谱带分别对应于Ce3+的4f-5d跃迁吸收.在该体系中存在Ce3+→Tb3+,Gd 3+→Tb3+和Gd3+→Ce3+的能量传递,其中Ce3+起敏化剂和中间体的双重作用.
关键词:
(Y,Gd)Al3(BO3)4
,
激发光谱
,
发射光谱
,
能量传递
,
稀土
富鸣
,
周济
,
王永生
,
何大伟
稀有金属材料与工程
采用电化学沉积方法,结合胶体晶体模板,通过循环伏安方法对体系的电化学特性进行研究,获得一种良好的低沉积速度的制备工艺,即通过合适的电位恒电势法,最终获得了单层二维的氧化锌有序孔膜结构.对应于不同的沉积厚度,所得有序孔的形貌也会有所不同.通过扫描电子显微镜对该氧化锌有序多孔膜结构进行了表征,并研究了相应的光致激发特性,二维氧化锌有序多孔膜在384 nm表现出明显光致激发峰,激发峰的位置没有因单层有序孔阵列结构存在而有明显改变.
关键词:
氧化锌
,
电沉积
,
有序孔
,
胶体晶体
