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基于原子显微技术的PZT微阵列图形铁电性能

徐国敏 , 赵高扬 , 张卫华 , 邓小翠 , 谭红 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.013

应用基于原子显微镜与铁电分析仪联用的方法,在无顶电极的情况下,直接测试了PZT微阵列格点的电滞回线.结果表明,应用铁电分析仪与原子显微镜联用的测试技术能够表征铁电电容的电滞回线,并且可以定性地评价薄膜微电容的铁电特性.

关键词: 锆钛酸铅 , 铁电薄膜 , 电滞回线 , 微细图形

ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 杨建荣 , 于梅芳 , 杜美容 , 乔怡敏 , 郭世平 ,

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。

关键词: ZnSe , MBE , 生长控制 , 掺杂控制

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 李标 , 杨建荣 ,

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究, 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合,从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。

关键词: ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量

HgCdTe探测器应力的多重晶X射线衍射分析

孙涛 , 王庆学 , 陈文桥 , 梁晋穗 , 陈兴国 , 胡晓宁 , 李言谨 ,

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.03.007

HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介质膜应力进行了表征,发现在较高溅射能量下沉积的钝化膜,由于应力的作用,HgCdTe晶片出现弯曲,并有大量镶嵌结构,而在较低的溅射能量下和热蒸发下沉积的钝化膜,晶面未出现明显弯曲,可获得较低应力的钝化介质层.

关键词: HgCdTe , 应力 , 钝化 , 三重晶X射线衍射 , 倒易空间作图

低温去合金化脱镍处理镍钛记忆合金的表面特性

苏向东 , 韩锋 , , 刘日光 , 黄亚励 , 郝维昌 , 王天民

稀有金属材料与工程

采用低温去合金化(Dealloying)处理法对医用NiTi合金进行表面脱镍改性.经SEM、XRD、AES、FTIR、XPS和模拟体液(SBF)仿生沉积等分析研究表明,NiTi合金经低温去合金化处理后,在合金表面选择性地除去了有害元素镍,在距表层约400 nm深度内原位制备出完全无镍的具有纳米网架结构的水合氧化钛膜,并在500℃,进行1h热处理,晶化为锐钛矿型二氧化钛.由于经低温去合金化脱镍的NiTi合金表面富含羟基(OH),在SBF溶液中具有良好的生物活性,从而提高了NiTi合金的生物相容性.

关键词: NiTi , 记忆合金 , 去合金化 , 脱镍 , 表面改性 , 氧化钛

Si和GaAs衬底上的ZnTe、CdTe分子束外延材料的晶向倾角

王元樟 , 陈路 , 巫艳 , 吴俊 , 于梅芳 , 方维政 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.018

本文采用X射线双晶衍射二次测量法对φ76mm Si(211)和GaAs(211)B衬底上生长的ZnTe和CdTe外延层的晶向倾角进行了测量,发现对于Si和GaAs衬底,外延层的[211]均绕外延层与衬底的[0-11]复合轴朝[111]倾斜,其晶向倾角与晶格失配呈线性关系;通过实际测量验证了在外延层探测到的[133]峰代表[211]关于[111]旋转180°的[255]孪晶向.

关键词: 分子束外延 , 晶格失配 , 晶向倾角 , 孪晶

在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

王元樟 , 陈路 , 巫艳 , 吴俊 , 于梅芳 , 方维政 ,

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.034

本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.

关键词: CdTe/GaAs , CdTe/Si , 热应变 , 高分辨率多重晶多重反射X射线衍射 , 分子束外延

天然橡胶/EVA发泡复合材料发泡质量及力学性能的分析

张敬 , 王醴均 , 张纯 , , 郭建兵 , 于杰 , 龚维

高分子材料科学与工程

采取模压成型的方式制备发泡天然橡胶/乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)复合材料,通过复合材料的相容性和硫化与发泡匹配机理,研究了EVA含量对天然橡胶发泡质量及力学性能的影响.结果表明,随着EVA含量的增加,泡孔直径、泡孔尺寸分布先增大后降低,泡孔密度先降低后增大.EVA含量为20 phr时,其泡孔质量最好,泡孔直径为97.1 μm,泡孔尺寸分布为23.2 μm,泡孔密度为6.8×106 cm-3,当EVA含量超过20 phr时,泡孔直径、泡孔尺寸分布逐渐增大,泡孔密度随之降低.复合发泡材料的硬度、冲击回弹性、热压缩永久变形等性能则随着EVA含量的增加出现小范围降低,但结合发泡材料的性价比来看,在EVA含量为20 phr时,发泡材料的力学性能较理想.

关键词: 乙烯-醋酸乙烯共聚物 , 天然橡胶 , 发泡质量 , 力学性能

2011年度利基金获奖科学家年轻化突出

中国材料进展

2011年8日下午,利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”,丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”,吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信,全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。

关键词: 科学家 , 基金 , 中共中央政治局 , 全国人大常委会 , 突出 , 国防科技大学 , 计算机领域 , 科学与技术

低温去合金化处理对医用镍钛合金表面性质的影响

苏向东 , 王天民 , 郝维昌 , 韩峰 , 黄亚励 ,

稀有金属材料与工程

分析了近等原子比NiTi形状记忆合金实现去合金化的热力学条件,并采用低温去合金化处理法对其进行表面改性:经SEM、XRD、XPS、EDX,模拟体液(SBF)仿生沉积等分析研究表明,NiTi合金经去合金化处理后,在合金表面选择性地除去了有害元素镍,在距表层约130nm深度内原位制各出完全无镍的具有纳米结构的二氧化钛层;同时结合上羟基(OH-),在SBF溶液中,经低温去合金化处理后的合金表面具有诱导Ca/P沉积的能力,从而提高了NiTi形状记忆合金的生物相容性.

关键词: NiTi合金 , 去合金化 , 表面改性 , 热力学条件 , 纳米二氧化钛

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