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以醋酸镍为原料,用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了氧化镍薄膜,并利用X射线衍射、紫外-可见吸收谱对样品进行了表征.结果表明,当热处理温度低于800℃时,随着温度升高,石英衬底上生长的氧化镍薄膜的晶粒逐渐长大,其(200)面对应的衍射峰的强度增加,取向度提高.当热处理温度超过800℃后,晶粒尺寸不但不再增加,反而略有下降,同时,取向度也略有下降.因此就晶粒大小及取向度而言,最佳热处理温度为800℃,此时薄膜的晶粒尺寸最大,(200)取向度最高.紫外-可见吸收谱分析表明,氧化镍薄膜的禁带宽度也随着处理温度的变化而变化,其变化趋势与晶粒尺寸的变化正好相反,即禁带宽度在热处理温度为800℃时有极小值.纳米尺寸粒子中存在的量子约束效应可以说明这一变化趋势.

关键词: 氧化镍 , 薄膜 , 溶胶-凝胶 , X射线衍射 , 紫外-可见吸收

溶胶-凝胶提拉法制备光导型日盲区紫外探测器

季振国 , 杜娟 , 范镓 , 王玮 , 孙兰侠 , 何作鹏

稀有金属材料与工程

利用溶胶凝胶法制备了Ga2O3和InxGa2-xO3薄膜,对其晶体结构、光探测性能等进行了研究,并制作了1个基于上述氧化镓薄膜的光导型紫外探测器.实验结果表明,Ga2O3是很好的光导型日盲紫外探测材料之一.

关键词: 溶胶凝胶 , 氧化镓:紫外探测器:日盲

喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜

季振国 , 赵丽娜 , 何作鹏 , 陈琛 , 周强

无机材料学报

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小
时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时,
薄膜中有立方相的In₂Sn₂O_7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类
型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In³⁺取代Sn⁴⁺, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃
时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×10¹⁸cm^-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.

关键词: 铟锡氧化物 , transparent conducting , spray pyrolysis , p-type doping

喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜

季振国 , 赵丽娜 , 何作鹏 , 陈琛 , 周强

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.035

利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.

关键词: 铟锡氧化物 , 透明导电薄膜 , p型导电 , 喷雾热解

2011年度何梁何利基金获奖科学家年轻化突出

中国材料进展

2011年8日下午，何梁何利基金2011年度颁奖大会在京举行。我国高性能计算机领域杰出科学家、国防科技大学杨学军教授荣获“科学与技术成就奖”，丁伟岳等35人获“科学与技术进步奖”，吴朝晖等15人获“科学与技术创新奖”。中共中央政治局委员、国务委员刘延东向大会发来贺信，全国人大常委会副委员长桑国卫、全国政协副主席万钢出席会议并为获奖代表颁奖。何梁何利基金评选委员会主任朱丽兰向大会作工作报告。

关键词: 科学家 , 基金 , 中共中央政治局 , 全国人大常委会 , 突出 , 国防科技大学 , 计算机领域 , 科学与技术