任鹏
,
孙立来
,
廖家欣
,
李君求
,
万小军
,
史向华
,
刘小兵
材料导报
运用微Raman谱仪以不同功率的激光入射到用阳极脉冲腐蚀制备的多孔硅样品以研究多孔硅的稳定性.用斯托克斯与反斯托克斯散射强度的比率确定样品的温度.观察比较不同温度下多孔硅样品的Raman谱趋向,发现在激光功率和样品温度之间的关系曲线上有3个过程,与Raman频移和Raman强度的曲线相一致.所有现象都可以用Si-O键和非晶Si被氧化的机制进行解释.
关键词:
多孔硅
,
热稳定性
,
微Raman谱
,
激光功率
杨修春
,
崔晓琳
,
任鹏
,
崔苗苗
,
段永胜
,
陈冠方
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.01.028
钛及钛合金由于具有良好的力学、生物学性能,已成为良好的骨修复和替换材料。为了改善钛的生物活性,首先采用两步电化学阳极氧化法对金属纯钛进行表面改性,即使之表面形成多孔纳米结构,然后对样品进行不同的后处理,如450℃热处理,NaOH 处理,NaOH-CaCl2处理,最后将后处理样品浸泡在人体模拟液(SBF)中,研究磷灰石在样品表面的生长情况。采用X射线衍射(XRD)、带能量散射谱(EDS)的场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)等对生成的磷灰石的物相、形貌、元素组成等进行表征。结果表明,非晶 TiO2纳米管阵列不能诱导磷灰石在其表面生成,而经450℃退火处理后形成的结晶良好的锐钛矿相 TiO2纳米管阵列具有一定生物活性,即可诱导部分磷灰石颗粒在其表面生成。进一步经NaOH-CaCl2溶液后处理可加速羟基磷灰石在样品表面的形成速度,样品在模拟体液(SBF)中浸泡8 d后,表面生成的磷灰石厚度约为5μm,磷灰石层是由大量球形颗粒堆积而成的,而球形颗粒是由无数纳米薄片组成的花状结构。
关键词:
两步阳极氧化
,
TiO2 纳米管阵列
,
后处理
,
磷灰石
戈晓霞
,
张东焕
,
王利民
,
何敏
,
任鹏
玻璃钢/复合材料
doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2009.06.002
为了研究玻璃纤维布的拉伸强度,通过5个涂浸渍胶和未涂胶的试件进行了轴向拉伸实验.结果表明,环氧树脂不仅有粘贴和保护玻璃纤维布的作用,而且能够提高其拉伸强度.为进一步分析玻璃纤维强化塑料(GFRP)板时加固结构的影响,特制备9个单层GFRP板加固混凝土梁试件,对其进行四点弯曲加载实验,并在其中一个试件的GFRP表面粘贴了应变片,进行电测跟踪测试,从而得到结构损伤破坏过程曲线和应变片粘贴处的应变值.对比两种实验得知,GFRP板轴向拉伸强度比四点弯曲实验得到的强度大.又由测试数据和力学模型,得到FRP板轴力以及与混凝土间界面上的切应力分布曲线.
关键词:
混凝土梁
,
玻璃纤维强化板(GFRP)
,
拉伸强度
,
电测
,
切应力分布
刘忠良
,
任鹏
,
刘金锋
,
徐彭寿
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00549
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下, 在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜. 利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术, 对生长的样品形貌和结构进行了研究. 结果表明, 在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω扫描得到半高宽为2.1°; RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环, 有孪晶斑点. 在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜, XRDω扫描得到的半高宽为1.5°, RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑, 表面比较粗糙. 从红外光谱得出
薄膜存在着比较大的应力. 但在Si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品, XRDω 扫描得到的半高宽仅为1.1°; RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹, 并可看到SiC的3×3表面重构, 无孪晶斑点; AFM图像表明, 没有明显的空洞, 表面比较平整. FTIR谱的位置显示, 在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小. 因此可以认为, 存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0), 在这个Si/C比下, 生长的薄膜质量较好.
关键词:
硅碳比
,
SiC
,
Si substrate
,
solid source molecular beam epitaxy
余彩莉
,
王孝磊
,
任鹏
,
张发爱
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.024
以苯乙烯(St)为单体,松香丙烯酸与甲基丙烯酸-2-羟乙酯酯化物(RAH)为交联剂,在油酸改性的Fe3 O4存在下,采用悬浮聚合法制备了含松香的磁性聚合物微球[P(St/RAH)/Fe3 O4],研究了 Fe3 O4用量对聚合物微球性能的影响,采用红外光谱、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、X射线光电子能谱、热重和磁强计对磁性聚合物微球进行了分析表征。结果表明,成功制得了 P(RAH/St)/Fe3 O4；得到的磁性微球球形良好,表面光滑,Fe3 O4包埋在聚合物中；微球为超顺磁性,在油酸改性 Fe3 O4用量为8%(质量分数)时磁性达到饱和,饱和磁化强度为3.13 A·m2/kg。
关键词:
松香
,
油酸改性 Fe3 O4
,
悬浮聚合
,
磁性聚合物微球
刘忠良
,
刘金锋
,
任鹏
,
李锐鹏
,
徐彭寿
,
潘国强
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00928
在衬底温度为1000℃条件下, 利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜. RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC, 并与衬底的取向基本一致. 采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量. 常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态. 3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因. 根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果, 发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好. 这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因. GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转, 表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.
关键词:
X射线衍射
,
GID
,
Si
,
SiC
,
SSMBE
刘忠良
,
任鹏
,
刘金锋
,
徐彭寿
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.03.026
利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,在不同的硅碳蒸发速率比(Si/C)条件下,在Si(111)衬底上生长SiC单晶薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和傅立叶变换红外光谱(FTIR)等实验技术,对生长的样品形貌和结构进行了研究.结果表明,在Si/C比(1.1:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到半高宽为2.1°;RHEED结果表明薄膜具有微弱的衍射环,有孪晶斑点.在Si/C比(2.3:1.0)下生长的薄膜,XRD ω扫描得到的半高宽为1.5°,RHEED显示具有Si的斑点和SiC的孪晶斑点. AFM显示在这两个Si/C比下生长的样品表面都有孔洞或者凹坑,表面比较粗糙.从红外光谱得出薄膜存在着比较大的应力.但在si/C比(1.5:1.0)下生长的薄膜样品,XRD ω扫描得到的半高宽仅为1.1°;RHEED显示出清晰的SiC的衍射条纹,并可看到SiC的3×3表面重构,无孪晶斑点;AFM图像表明,没有明显的空洞,表面比较平整.FTIR谱的位置显示,在此Si/C比下生长的薄膜内应力比较小.因此可以认为,存在着一个优化的Si/C比(1.5:1.0),在这个Si/C比下,生长的薄膜质量较好.
关键词:
硅碳比
,
碳化硅
,
硅衬底
,
固源分子束外延
刘忠良
,
刘金锋
,
任鹏
,
李锐鹏
,
徐彭寿
,
潘国强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.013
在衬底温度为1000℃条件下,利用固源分子束外延(SSMBE)技术在Si衬底上生长3C-SiC单晶薄膜.RHEED结果显示在Si(111)上所生长的SiC薄膜为3C-SiC,并与衬底的取向基本一致.采用同步辐射掠入射X射线衍射(GID)技术并结合常规X射线衍射(XRD)研究了SiC薄膜内的应变和晶体质量.常规衍射的联动扫描曲线得到薄膜处于双轴张应变状态.3C-SiC薄膜和Si衬底的晶格失配和热膨胀系数失配是导致双轴张应变的原因.根据不同角度的掠入射衍射Phi扫描的摇摆曲线结果,发现薄膜晶体质量在远离SiC/Si界面区变好.这是由于SiC薄膜中的缺陷随着远离界面逐渐减少的原因.GID和XRD的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的倾斜大于扭转,表明SiC薄膜在面内的晶格排列要比垂直方向更加有序.
关键词:
X射线衍射
,
掠入射衍射
,
硅
,
碳化硅
,
固源分子束外延
