材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

镀铂栅极抑制电子发射性能研究

蒋军 , 江炳尧 , 任琮欣 , 张福民 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面上沉积Pt膜,采用试验二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba,BaO蒸发到镀铂栅极和纯钼栅极表面上后的电子发射性能.采用XRD,EDX,XPS等测试手段对其栅极表面进行对比分析和表征.实验结果表明:镀铂栅极具有明显的抑制电子发射性能,并初步探讨了离子束辅助沉积Pt膜抑制栅电子发射的机理.

关键词: 电子发射 , 离子束辅助沉积 , 钼栅极 , 铂膜

用MOCVD法在YSZ衬底上制备YBCO膜

张宏 , 吴艺雄 , 王智河 , 周锷猷 , 任琮欣 , 江炳尧 , 牟海川 , 柳襄怀

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.04.007

用低压MOCVD多源法在单晶YSZ和具有双轴取向IBAD-YSZ的金属基带上沉积了YBCO膜,它们的Jc(77.3K,0T)分别为～2×106A/cm2和～7×104A/cm2.分析了本试验中的Jc差别原因.在单晶YSZ上YBCO高Jc 数值显示了用MOCVD制备涂层膜导体的潜力.

关键词:

离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射性能研究

蒋军 , 江炳尧 , 郑志宏 , 任琮欣 , 冯涛 , 王曦 , 柳襄怀 , 邹世昌

功能材料

利用离子束辅助沉积(IBAD)方法在Mo栅极表面沉积铪膜,采用模拟二极管方法测量和比较阴极活性物质Ba、BaO蒸发在镀铪和纯钼栅极表面的电子发射性能.实验结果表明,镀铪栅极抑制电子发射性能较好,并初步探讨了离子束辅助沉积铪膜抑制栅电子发射的机理.

关键词: 抑制电子发射 , 铪 , 离子束辅助沉积 , 钼栅极

低能Ar+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜

江炳尧 , 蒋军 , 冯涛 , 任琮欣 , 张正选 , 宋志棠 , 柳襄怀 , 郑里平

功能材料

采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3.若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向.因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜.本文采用Monte Carlo方法模拟低能Ar+离子注入 Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析.

关键词: 离子束辅助沉积 , Pt膜 , 择优取向

单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜结构及性能研究

朱宏 , 柳襄怀 , 任琮欣 , 陈国梁 , 邹世昌

金属学报

用单源低能氩离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）法制备了非晶碳薄膜．氩离子能量为４００－１５００ｅＶ．膜面光滑致密，与衬底的结合力较高。用Ｒａｍａｎ，ＦＴＩＲ，ＨＲＴＥＭ，ＴＥＤ，ＳＥＭ，ＥＲＤ及ＲＢＳ研究了薄膜的形貌、结构和组分，测量了膜的电阻率、显微硬度及摩擦系数．薄膜为无定形的类金刚石（ＤＬＣ）．其中含氢约为２０５ａｔ．－％，碳原子与氢原子几乎没有形成Ｃ－Ｈ键．随着离子束能量及束流的增加，显微硬度、摩擦系数增加，电阻率减小．硬度增加是由于薄膜致密度的增加，而电阻率降低是由于膜中金刚石键（ｓｐ~３键）含量减少的缘故．

关键词: 离子束辅助沉积 , ion beam assisted deposition , structure , property