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La0.67 Ca0.33 MnO3和La0.67 Ba0.33 MnO3中Dy的置换作用

刘宜华 , 张汝贞 , 王成建 , 黄宝歆 , , 原晓波 , 梅良模

功能材料

在La0.67Ca0.33MnO3和La0.67Ba0.33MnO3中用Dy对La进行了置换研究,结果发现,随掺Dy量的增加,两类材料的居里温度和金属-绝缘体相变温度单调下降,峰值电阻率单调增加.在Ca系样品中,掺入13%的Dy后,在5T的磁场下,最大磁电阻比达到7900%.在Ba系样品中,掺Dy对磁电阻的影响要小得多.掺Dy对材料性质的影响可以用晶格效应来解释,但晶格效应产生的作用与碱土离子的品种有明显关系.

关键词: 稀土掺杂锰氧化物 , 庞磁电阻 , 晶格效应

Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应

, 刘宜华 , 萧淑琴 , 张林 , 吴厚政 , 张延忠

金属学报

用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.

关键词: 磁性薄膜 , null , null

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政 , 刘宜华 , , 张林 , 萧淑琴

金属学报

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

关键词: 巨磁阻抗效应 , null

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

吴厚政 , 刘宜华 , 张林 , 萧淑琴 ,

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.020

研究了Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗(GMI)效应.样品在350℃下退火60 min后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的GMI效应.在1.4 MHz的交变电流频率下,获得了最大的GMI效应,磁阻抗比△Z/Zs=(Zo-Zs)/Zs最高可达192%.在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在100 kHz下,磁电感比达到769%.在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在13 MHz下,磁电阻比达到383%.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 非晶态软磁合金薄带 , 趋肤效应

Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应

, 刘宜华 , 萧淑琴 , 张林 , 吴厚政 , 张延忠

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.03.012

用射频溅射法制备了Cu夹层的Fe-Cu-Cr-V Si-B三明治膜,在不同条件下对样品进行了退火处理,在最佳退火条件下,样品的软磁特性得到明显改善,从而获得了优良的巨磁阻抗(GMI)效应.研究了GMI效应与交变电流频率f和外加直流磁场H关系在5 MHz的特征频率下,最大的横向阻抗比△ZH/Zm达91%.由于样品的三明治结构,横向磁阻抗比明显优于纵向.

关键词: 磁性薄膜 , 巨磁阻抗 , 趋肤效应

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

吴厚政 , 刘宜华 , , 张林 , 萧淑琴

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.016

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800 kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 非晶态软磁钴基合金薄带 , 趋肤效应

纳米Fe-ZnSe颗粒膜的光学特性

张林 , , 原晓波

功能材料

研究了射频溅射法制备的纳米"铁磁金属一半导体基体"Fex(ZnSe)1-x颗粒膜的光学特性.透射光谱测量结果表明,当Fe体积分数为35%时,颗粒膜样品的可见光透过率达到50%以上.研究发现,在ZnSe薄膜基体中嵌入纳米铁颗粒的Fe-ZnSe颗粒膜中,电子的带间跃迁为直接跃迁,其带隙随着Fe在颗粒膜中所占体积分数的增加而变宽.

关键词: 纳米金属颗粒膜 , 透射光谱 , 直接跃迁

液晶进展

宋晓凤 , 侯君 , 郑远洋

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.1999.01.011

综述了卤液晶近年来的进展,讨论了卤原子引入液晶端基、侧向位置及中心桥键等位置对液晶相变行为和光电性能的影响; 简要叙述了卤液晶的应用等.

关键词: 液晶 , 相变 , 光电特性

DCC偶联法合成腈乙酰胺

郑仙明 , 胡惟孝 , 王国洪

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2007.07.028

研究了DCC偶联法乙酸与取代胺合成腈乙酰胺的新方法.在等摩尔的腈乙酸、取代胺的溶液中,滴加等摩尔的DCC.然后加热回流反应,TLC跟踪.粗品用适当的溶剂重结晶或层析得到产品腈乙酰胺,产品用mp、IR和NMR测试技术表征.结果表明,伯胺、仲胺、芳胺等均可用本法简便地制得相应的腈乙酰胺,收率52%~90%,纯度≥95%.

关键词: 乙酰胺 , DCC , 腈乙酸

铬工艺的应用与维护

张伟峰 , 江淑珍 , 郑日栋

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2003.05.015

介绍了BH-30铬工艺配方及操作条件.提出了该铬工艺维护的各个方面.

关键词: BH-30铬工艺 , 工艺维护

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