于良
,
余新泉
,
邵磊
材料导报
碳化硼(B4C)具有高硬度、高熔点、低密度、高耐磨性等优良性能和广阔的应用前景.综述了无压浸渗工艺的国内外研究现状以及顺利完成此工艺的前提.详细归纳总结了采用无压浸渗工艺制备B4C/Al复合材料的各道工序,并展望了其发展方向.
关键词:
碳化硼
,
无压浸渗
,
制备
,
复合材料
程军
,
杨学明
,
杨晓勇
,
王昌燧
,
王巨宽
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2000.04.001
本文利用ICP-MS对新石器时代良渚文化瑶山遗址出土的古玉器进行了稀土元素分析,并与产于新疆和阗玉石矿的软玉进行了对比.结果表明,瑶山古玉器的稀土元素配分型式、特征比值均明显不同于和阗玉,说明良渚文化玉器的玉石应选自当地,这与李约瑟[1]教授认为中国古玉器都源于新疆和阗的论点不同.
关键词:
良渚玉器
,
ICP-MS
,
稀土元素(REE)
,
产地分析
刘晓伟
,
郭会斌
,
李梁梁
,
郭总杰
,
郝昭慧
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0548
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
磁控溅射
,
纯铝薄膜
,
小丘
,
量产良率
沈小炜
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2008.04.002
中国和印度同为亚洲国家,在社会、经济等诸多方面具有相似性.印度是世界上最大的黄金消费国,将它作为研究对象,分析其国内居民储藏黄金的来源与动力,对如何提高中国的黄金需求,从而实现"藏金于民",具有现实意义.经过比较研究,笔者认为增加国内的投资需求是提高中国民间储藏黄金比例的有效途径之一.
关键词:
储藏黄金
,
来源与动力
,
黄金需求结构
,
消费需求
,
投资需求
毕勤成
,
赵天寿
,
郭亚军
,
陈听宽
工程热物理学报
本文对浸泡于FC-72液池中的两个微小圆管进行了沸腾实验研究,得到了沸腾曲线和传热系数,并用Dv摄像机拍摄到了圆管出口处的沸腾状况,研究了管道尺寸对沸腾传热特性的影响.实验结果显示,管道尺寸对沸腾传热特性有显著的影响,传热系数和CHF随着管道尺寸的缩小而减小.直径为1.10 mm的圆管出口处在低热负荷加热时发生了汽泡阻塞,并导致了剧烈的沸腾滞后现象.
关键词:
沸腾传热
,
池沸腾
,
FC-72
,
微小圆管
李常丽
,
张庆红
,
王野
,
万惠霖
催化学报
针对Pd/SBA-15和MoO3/SBA-15两类催化剂样品,使用N2物理吸附手段对比研究了限域于介孔SBA-15分子筛孔道内活性相Pd与MoO3的聚集形态. 结果表明,金属Pd以颗粒状形态分布在SBA-15分子筛孔道内,氧化物MoO3则以层状形态存在. 并用高分辨透射电镜验证了此分析结果.
关键词:
钯
,
三氧化钼
,
活性相
,
聚集形态
,
SBA-15分子筛
,
吸附-脱附等温线
,
苯甲醇
,
氧化
朱文
,
杨君友
,
周东祥
,
肖承京
,
段兴凯
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2008.06.002
研究了碲欠电位沉积于金衬底表面体系中碲离子浓度和扫描速率等关键实验参数对碲欠电位沉积机制及其伏安特性的影响.结果表明,碲沉积在金表面的伏安特性依赖于使用的碲离子浓度,金属离子浓度的变化可能会影响到欠电位沉积过程的动力学机制.循环伏安实验结果表明,碲欠电位峰的电流与扫描速率的2/3次方呈线性关系.证实碲欠电位沉积于金衬底上遵循的是二维形核和生长机制.
关键词:
电化学原子层外延
,
欠电位沉积
,
碲
,
热电材料
李远士
,
牛焱
金属学报
研究了纯铁和３１０不锈钢于ＺｎＣｌ２－ＫＣｌ盐膜下在４５０℃纯氧气氛中的腐蚀行为. 结果表明, 两种材料都发生了加速腐蚀, 生成了与基体黏附性很差的的氧化膜, 并且在外氧化膜／基体界面出现了金属氯化物. 此外与纯铁相比, ３１０不锈钢腐蚀后的产物层更易于脱落. 讨论了材料发生加速腐蚀的机制.
关键词:
纯铁
,
null
,
null
