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以山梨醇与3,4-二甲基苯甲醛为合成原料,通过缩醛反应合成出苄基类山梨醇成核剂二(3,4-二甲基二苄又)山梨醇(DMDBS).使用溶液沉淀法制备了DMDBS质量分数分别为0%和0.3%的粉末聚乙烯(PE)样品,采用X射线衍射仪、红外光谱仪、偏光显微镜、差示扫描量热仪等研究了结晶结构和结晶性质,并用Avrami模型和Kissinger方程计算了PE样品动力学参数.结果表明,DMDBS保持了PE晶体的稳定性,提高了成核密度,结晶度由60.08%提高至64.91%,球晶尺寸由65 μm降至51 μm;DMDBS能够提高PE结晶速率,促进异相成核过程,结晶活化能从484 kJ/mol降至351kJ/mol,Avrami指数由4.0减小至3.2.

关键词: 二(3,4-二甲基二苄叉)山梨醇 , 聚乙烯 , 结晶性质 , 结晶动力学

残影不良分析及改善对策研究

艾雨 , 蒋学兵

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0566

通过对大量残影不良样品进行分析,找到了残影不良产生的原因,并基于分析结果设计了改善残影的实验.通过分析发现:残影不良产生的原因是彩膜侧像素与黑矩阵之间的段差过大,在摩擦工程时段差过大区域形成了摩擦弱区,摩擦弱区内的液晶分子配向较弱,导致不良产生.为降低残影不良进行实验,结果显示:在彩膜侧加覆盖层可以有效降低残影不良的发生率,但不适用于量产;通过采用高预倾角的配向膜材料,同时控制配向膜工程到摩擦工程的时间,可使残影不良发生率由28.2％降低至0.2％,为企业的稳定高效生产奠定了基础.

关键词: 残影 , 扭曲向列型 , 预倾角 , 面板

孪晶马氏体的自协作效应及不变惯习面

谷南驹 , 王瑞祥 , 殷福星

金属学报

本文计算了孪晶马氏体基体和孪生部份的应变张量,发现二者的切变分量大致相反,故应变能降低。马氏体片可依靠基体和孪晶间的自协作效应沿孪晶面的法问长大。根据对不同惯习面法线的位移矢量的分析,{10,3,15}f面可构成宏观的不变惯习面,而{575}f,{252}f和{111}f面则难以构成。

关键词: 自协作 , invariant habit plane , displacement vector

有机分子晶体晶习预测的研究进展

王静康 , 黄向荣 , 刘秉文 , 张缨

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.006

本文简要介绍了晶习预测在工业结晶过程中的意义;从结晶内部结构出发,阐述了晶习预测的基本原理,介绍了几种常见的理论模型,就上述模型的特点和用途进行了比较,并对未来的发展方向做了展望.附带介绍了几种常见的计算软件.

关键词: 晶习预测 , 晶体形态学 , 有机分子晶体 , 进展

板条状马氏体形貌和惯习面的3D EBSD分析

王会珍 , 杨平 , 毛卫民

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2013.04.014

利用3D EBSD-FIB(three dimensional electron backscatter diffraction-focused ion beam)技术,以高锰钢为实验材料,构建晶粒三维立体形貌,并对马氏体惯习面进行观察分析.结果表明:热致板条状马氏体表面平直,接近马氏体的[110]α,惯习面平行于奥氏体的[225]γ,其初始形核及后期生长均在[225]γ上进行；而形变诱发形成的板条状马氏体表面和惯习面分布近于[021]α和[225]γ,初始形核和前期生长沿[225]γ,后期生长沿[111]γ,由于外加应力,其表面发生弯曲变形,形核时间不同,偏离[225]γ[111]γ程度不同.

关键词: 高锰钢 , 3D-EBSD-FIB , 板条状马氏体 , 三维立体形貌 , 惯习面

应用先验插值校正 CT 金属伪影

李铭 , 卢彦飞 , 袁刚 , 吴中毅 , 张涛

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153006.1032

针对 CT 系统在实际应用中出现的金属伪影问题，提出一种基于先验插值的金属伪影校正算法。文中通过预滤波、骨骼分割和软组织恢复步骤计算先验图像，并利用先验图像的正向投影对原始投影中的金属投影区进行插值校正。应用该算法对数值仿真图像和临床 CT 图像分别进行了校正重建实验。数值仿真实验表明，用提出算法校正的结果比线性插值金属伪影校正算法、归一化金属伪影校正算法校正的结果更接近理想体模。临床数据实验表明：该算法的重建结果有效抑制了金属伪影，清晰重建出金属边缘细节，极大地提高了重建图像的质量。

关键词: 金属伪影 , 先验图像 , 预滤波 , 软组织恢复

TFT-LCD残影不良的研究与改善

范恒亮 , 汤展峰 , 刘利萍 , 李静 , 黄静 , 刘岩龙

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163103.0270

影像残留是TFT-LCD,特别是TN型产品常见的不良,对产品良率影响很大.本文从产品设计、工艺参数、工艺管控3个方面对残影进行分析.发现产品设计时Data线两侧段差过大,是导致残影发生的主要原因,通过增加配向膜厚度和摩擦强度值可以有效降低残影,实验得出配向膜膜厚高于110 nm,摩擦强度高于5.5N,m时无残影发生.通过控制配向膜工程与摩擦工程间的延迟时间在5h,摩擦工程与对盒工程间的延迟时间在10 h,并且严格管控ITO偏移量可以有效减少Panel内部电场,从而降低残影.通过以上措施,对于15.6HD产品,良率提升了10％,为企业高效生产奠定基础.

关键词: 残影 , 扭曲向列型 , 配向弱区 , 内部电场

氮化铝晶体的生长惯习面和晶体形态

傅仁利 , 赵宇龙 , 周和平

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.007

本文采用氧化铝碳热还原方法制备出了多种形态的氮化铝单晶(晶须).通过透射电子显微镜电子衍射和X射线单晶衍射分析,确定了氮化铝单晶常见的生长惯习面,并分析和讨论了氮化铝晶须形态与氮化铝晶体结构与生长惯习面的关系.具有规则六棱柱锥形的AlN晶须的生长取向为[0001]晶向,而叶片状和四方截面形状的AlN晶须则大多沿〈21-1-3-〉晶向进行生长,细小的薄片状AlN晶须则多以{101-0}面和{101-1}面为生长面.

关键词: 氮化铝 , 晶体 , 生长惯习面 , 晶体形态