徐凯
,
路远
,
凌永顺
,
乔亚
,
唐聪
材料科学与工程学报
采用直流磁控溅射法制备氧化钒薄膜,并采用不同的温度对其进行氧化法热处理,通过XRD、SEM、四探针薄膜电阻测试,分析了不同热处理温度对氧化钒薄膜的晶相特性与热敏特性的影响.实验分析证明热处理温度升高后(400℃)得到的薄膜热敏特性良好,其室温电阻为160KΩ·cm,室温电阻温度变化系数为-2.4％/℃,变温过程中(20～98℃)其平均值约-1.98％/℃,表明温度升高有利于改善薄膜热敏特性,在非制冷红外探测器应用方面具有发展潜力.
关键词:
氧化钒
,
氧化法
,
热处理温度
,
热敏特性
徐凯
,
路远
,
凌永顺
,
乔亚
,
唐聪
材料科学与工程学报
VO2具有在68℃左右低温半导体态-高温金属态(SMT)可逆相变的特性,在光电开关、光调制和存储方面有广泛的应用前景.本文总结了目前VO2相变理论研究中有代表性的成果.结合一般固态相变分类理论,微观上从VO2的晶胞结构、价带杂化、主宰方式等方面,宏观上从热力学函数等方面,综述了目前对VO2相变类型与机理分析的主流观点,综述结果对今后的研究工作具有一定的指导意义.
关键词:
VO2
,
相变类型
,
相变机理
,
晶体结构
,
价带杂化
徐凯
,
路远
,
凌永顺
,
乔亚
材料科学与工程学报
采用直流磁控溅射法与氧化法热处理相结合的工艺,在Si基底上制备VO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)透射率测试,分析了VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态及红外透射率相变特性.实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,其红外透射率具有明显相变特性,相变中心温度为57.5℃,3～5μm、8～12μm波段的红外透射率对比值达到99.5％,适合应用于红外探测器的激光防护研究.
关键词:
二氧化钒
,
直流磁控溅射
,
氧化热处理
,
红外相变特性
张振华
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2012.04.007
从实验验证、成本分析两个方面对甲基磺酸亚锡和硫酸亚锡为主盐的镀哑光锡电解液在镀液性能和镀层性能进行比较,验证了甲基磺酸亚锡镀哑光锡在镀层和镀液方面的性能优势,在成本上,对甲基磺酸亚锡镀哑光锡和硫酸亚锡镀哑光锡做对比分析,发现二者成本接近,综合研究结论为:甲基磺酸亚锡为主盐镀哑光锡在未来几年内,有取代硫酸亚锡的趋势.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
硫酸亚锡
,
镀层性能
,
镀液性能
,
成本
韩茹
,
杨银堂
,
贾护军
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.014
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.
关键词:
碳化硅MESFET
,
沟道电势
,
漏极引致势垒降低效应
,
阈值电压
李立清
,
曾台彪
,
梁飞
电镀与涂饰
doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2007.07.005
介绍了甲基磺酸亚锡的合成原理和实验步骤,分析了产物成分,研究了实验条件对甲基磺酸亚锡产率的影响.结果表明,本工艺合成路线简单,产物为白色固体,产率高,产品纯度高,最佳工艺为温度140 ℃,反应时间5.5 h,最好使用直径为3 mm的锡粒.
关键词:
甲基磺酸亚锡
,
合成原理
,
产率
,
纯度
李群
,
王清
,
董闯
,
王英敏
,
羌建兵
钛工业进展
获得具有优异性能的亚稳β-Ti合金需要添加多种元素进行合金化，而如何有效进行合金的成分设计是亚稳β-Ti合金合金化的关键。系统总结了多组元亚稳β-Ti合金的设计方法，包括Mo当量法、电子理论法、计算机模拟计算法以及基于“团簇＋连接原子”结构模型的设计方法，其中基于团簇结构模型的设计方法是从局域微观原子结构出发进行合金成分设计，为合金设计开辟了新的设计思想。
关键词:
亚稳β-Ti合金
,
成分设计方法
,
团簇结构模型
