Al2O3衬底MgB2超薄膜的研究

低温物理学报 , 2011, 33(3): 214-218.

Al2O3衬底MgB2超薄膜的研究

林智远 ^1, , 李东耀 ^2, , 张宇昊 ^3, , 冯庆荣 ^4,

1.北京大学物理学院,北京大学应用超导研究中心,北京,100871

2.北京大学物理学院,北京大学应用超导研究中心,北京,100871

3.北京大学物理学院,北京大学应用超导研究中心,北京,100871

4.北京大学物理学院,北京大学应用超导研究中心,北京,100871

基金项目: 国家"973计划"(2006CD601004) 教育部优秀本科生基础科研基金(J0630311)

关键词： MgB2超薄膜 , HPCVD法

STUDY OF ULTRATHIN EPITAXIAL MgB2 SUPERCONDUCTING FILMS GROWN ON Al2O3

我们利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)在(0001)Al2O3衬底上制备了系列干净的MgB2超薄膜,并通过R-T测量、SEM测量、M-T测量、XRD测量对它们进行了表征,探究了其超导电磁性能和薄膜的生长机制.其中的7.5nm厚的MgB2超薄膜为已报导的蓝宝石衬底上生长的性能最高的超薄膜.

参考文献

[1]	高建龙,周建中,张莉.MgB2超导薄膜制备方法对比研究[J].物理,2008(07):493-499.
[2]	孟胜,张从尧,冯庆荣.c轴取向SiC衬底MgB_2超导厚膜的制备及性质[J].低温物理学报,2010(01):12-15.
[3]	谭腾,冯思敏,庄承钢,冯庆荣.离轴生长的MgB2超导薄膜的研究[J].低温物理学报,2010(04):241-247.

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Al2O3衬底MgB2超薄膜的研究

STUDY OF ULTRATHIN EPITAXIAL MgB2 SUPERCONDUCTING FILMS GROWN ON Al2O3

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