采用氧化物固相烧结法制备了不同摩尔比的(Zn1-xMgx)(Ti0.8Sn02)O3(x=0.1 ～0.2)高频介电陶瓷,研究了陶瓷的微观结构和介电性能.结果表明:烧结温度超过1000℃时,陶瓷中均形成了立方尖晶石结构的固溶相(Zn,Mg)2(Ti,Sn)O4.当烧结温度为1100℃时的陶瓷致密程度最高;当烧结温度为1200℃且x=0.15时,在10 MHz测试频率下获得了陶瓷的最佳介电性能,其介电常数s=28.65,介电损耗tan δ=1.02×10-3,满足高频介电陶瓷的使用要求.
参考文献
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