在制备无铅压电陶瓷的前沿探索中首次研究了Ta掺杂对Na0.5Bi0.5TiO3-0.02NaNbO3系压电陶瓷的压电、介电性能的影响.研究表明,掺杂适量的Ta有利于提高其性能.当Ta掺杂量为0.4mol时,压电常数d33达到最大值114pC/N;相对介电常数εT33/ε0、机电耦合系数kp也达到最大值431和0.184;而介电损耗tgδ随Ta含量的增加变化不大.
参考文献
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